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鎧俠與閃迪合作研發(fā)出332層NAND閃存
- 自鎧俠官網(wǎng)獲悉，日前， 鎧俠公司和閃迪公司宣布率先推出了最先進(jìn)的3D閃存技術(shù)，以4.8Gb/s的NAND接口速度、卓越的能效和更高的密度樹(shù)立了行業(yè)標桿。據悉，鎧俠新閃存采用CBA雙晶圓鍵合技術(shù)，分別制造CMOS控制電路、NAND存儲陣列，然后鍵合在一起，類(lèi)似長(cháng)江存儲的Xtacking晶棧架構。3D堆疊層數達到空前的332層，對比第8代的218層增加了多達38%。兩家公司的新一代3D閃存較目前量產(chǎn)的第八代產(chǎn)品（BiCS FLASH? generation 8）實(shí)現了33%的NAND接口速度提升，達到4.8G
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NAND閃存再減產(chǎn)：三星、SK海力士將至少削減10%
- 據報道，NAND閃存在2025年將繼續面臨需求疲軟和供過(guò)于求的雙重壓力。三星、SK海力士、美光等NAND閃存制造商都選擇在2025年執行減產(chǎn)計劃。當前，存儲器市場(chǎng)，尤其是NAND閃存領(lǐng)域，似乎正步入一個(gè)低迷階段。自2024年第三季度以來(lái)，NAND閃存價(jià)格持續下滑，這一趨勢使得供應商對2025年上半年的市場(chǎng)需求前景持悲觀(guān)態(tài)度。長(cháng)期的價(jià)格疲軟無(wú)疑將進(jìn)一步壓縮企業(yè)的利潤空間，為此，三星與SK海力士均選擇在2025年第一季度實(shí)施更為激進(jìn)的減產(chǎn)措施，將NAND閃存產(chǎn)量削減幅度提高至10%以上。在此前的上升周期時(shí)，N
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國際最新研究將3D NAND深孔蝕刻速度提升一倍
- 據媒體報道，近日，研究人員發(fā)現了一種使用先進(jìn)的等離子工藝在3D NAND閃存中蝕刻深孔的更快、更高效的方法。通過(guò)調整化學(xué)成分，將蝕刻速度提高了一倍，提高了精度，為更密集、更大容量的內存存儲奠定了基礎。這項研究是由來(lái)自L(fǎng)am Research、科羅拉多大學(xué)博爾德分校和美國能源部普林斯頓等離子體物理實(shí)驗室（PPPL）的科學(xué)家通過(guò)模擬和實(shí)驗進(jìn)行的。根據報道，前PPPL研究員、現就職于Lam Research的Yuri Barsukov表示，使用等離子體中發(fā)現的帶電粒子是創(chuàng )建微電子學(xué)所需的非常小但很深的圓孔的最簡(jiǎn)
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NAND Flash廠(chǎng)商2025年重啟減產(chǎn)策略，以緩解供需失衡和穩定價(jià)格
- 根據TrendForce集邦咨詢(xún)最新研究報告指出，NAND Flash產(chǎn)業(yè)2025年持續面臨需求疲弱、供給過(guò)剩的雙重壓力。在此背景下，除了Micron（美光）率先宣布減產(chǎn)，Kioxia/ SanDisk（鎧俠/閃迪）、Samsung（三星）和SK hynix/ Solidigm（SK海力士/思得）也啟動(dòng)相關(guān)計劃，可能長(cháng)期內加快供應商整合步伐。TrendForce集邦咨詢(xún)表示，NAND Flash廠(chǎng)商主要通過(guò)降低2025年稼動(dòng)率和延后制程升級等方式達成減產(chǎn)目的，背后受以下因素驅動(dòng)：第一，需求疲軟
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應對降價(jià)：三星大幅減產(chǎn)西安工廠(chǎng)NAND閃存！
- 1月13日消息，據媒體報道，三星電子已決定大幅減少其位于中國西安工廠(chǎng)的NAND閃存生產(chǎn)，以此應對全球NAND供應過(guò)剩導致的價(jià)格下跌，確保公司的收入和利潤。DRAMeXchange的數據顯示，截至2024年10月底，用于存儲卡和U盤(pán)的通用NAND閃存產(chǎn)品的價(jià)格較9月下降了29.18%。據行業(yè)消息，三星電子已將其西安工廠(chǎng)的晶圓投入量減少超過(guò)10%，每月平均產(chǎn)量預計將從20萬(wàn)片減少至約17萬(wàn)片。此外，三星韓國華城的12號和17號生產(chǎn)線(xiàn)也將調整其供應，導致整體產(chǎn)能降低。三星在2023年曾實(shí)施過(guò)類(lèi)似的減產(chǎn)措施，當時(shí)
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SK 海力士新設 AI 芯片開(kāi)發(fā)和量產(chǎn)部門(mén)，任命首席開(kāi)發(fā)官及首席生產(chǎn)官
- 12 月 5 日消息，據 Businesses Korea 今日報道，SK 海力士今日宣布完成 2025 年的高管任命和組織架構優(yōu)化。本次調整任命了 1 位總裁、33 位新高管及 2 位研究員。為提升決策效率，該公司推行“C-Level”管理體系，依據核心職能分工明確責任與權限，業(yè)務(wù)單元被劃分為包括 AI 基礎設施（CMO）、未來(lái)技術(shù)研究院（CTO）、研發(fā)（CDO）和生產(chǎn)（CPO）在內的五大部門(mén)。據介紹，新設的 AI 芯片開(kāi)發(fā)部門(mén)整合了 DRAM、NAND 和解決方案的開(kāi)發(fā)能力，著(zhù)眼于下一代 AI 內存等
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3Q24 NAND Flash營(yíng)收季增4.8%，企業(yè)級SSD需求強勁，消費性訂單未復蘇
- 根據TrendForce集邦咨詢(xún)最新調查，2024年第三季NAND Flash產(chǎn)業(yè)出貨量位元季減2%，但平均銷(xiāo)售單價(jià)（ASP）上漲7%，帶動(dòng)產(chǎn)業(yè)整體營(yíng)收達176億美元，季增4.8%。TrendForce集邦咨詢(xún)表示，不同應用領(lǐng)域的NAND Flash價(jià)格走勢在今年第三季出現分化，企業(yè)級SSD需求強勁，推升價(jià)格季增近15%，消費級SSD價(jià)格雖有小幅上漲，但訂單需求較前一季衰退。智能手機用產(chǎn)品因中國手機品牌嚴守低庫存策略，訂單大量減少，第三季合約價(jià)幾乎與上季持平。Wafer受零售市場(chǎng)需求疲軟影響，合約價(jià)反
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三星大幅減少未來(lái)生產(chǎn)NAND所需光刻膠使用量
- 據韓媒報道，稱(chēng)三星電子在生產(chǎn) 3D NAND 閃存方面取得重大突破，在其中光刻工藝中大幅縮減光刻膠（PR）用量，降幅達到此前用量的一半。報道稱(chēng)，此前每層涂層需要7-8cc的光刻膠，而三星通過(guò)精確控制涂布機的轉速（rpm）以及優(yōu)化PR涂層后的蝕刻工藝，現在只需4-4.5cc。此外，三星使用了更厚的氟化氪（KrF）光刻膠，通常情況下一次工藝形成1層涂層，而使用更厚的光刻膠，三星可以一次形成多個(gè)層，從而提高工藝效率，但同時(shí)也有均勻性問(wèn)題。東進(jìn)半導體一直是三星KrF光刻膠的獨家供應商，為三星第7代（11微米）和第
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消息稱(chēng)三星下代 400+ 層 V-NAND 2026 年推出，0a DRAM 采用 VCT 結構
- 10 月 29 日消息，《韓國經(jīng)濟日報》當地時(shí)間昨日表示，根據其掌握的最新三星半導體存儲路線(xiàn)圖，三星電子將于 2026 年推出的下代 V-NAND 堆疊層數超過(guò) 400，而預計于 2027 年推出的 0a nm DRAM 則將采用 VCT 結構。三星目前最先進(jìn)的 NAND 和 DRAM 工藝分別為第 9 代 V-NAND 和 1b nm（12 納米級）DRAM。報道表示三星第 10 代（即下代） V-NAND 將被命名為 BV（Bonding Vertical） NAND，這是因為這代產(chǎn)品將調
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TrendForce：預計 Q4 NAND Flash 合約價(jià)將下調 3% 至 8%
- IT之家?10 月 15 日消息，根據 TrendForce 集邦咨詢(xún)最新調查，NAND Flash 產(chǎn)品受 2024 年下半年旺季不旺影響，wafer 合約價(jià)于第三季率先下跌，預期第四季跌幅將擴大至 10% 以上。IT之家注意到，模組產(chǎn)品部分，除了 Enterprise SSD 因訂單動(dòng)能支撐，有望于第四季小漲 0% 至 5%；PC SSD 及 UFS 因買(mǎi)家的終端產(chǎn)品銷(xiāo)售不如預期，采購策略更加保守。TrendForce 預估，第四季 NAND Flash 產(chǎn)品整體合約價(jià)將出現季減 3% 至
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三星電子開(kāi)發(fā)出其首款基于第八代V-NAND的車(chē)載SSD
- 三星電子今日宣布成功開(kāi)發(fā)其首款基于第八代V-NAND技術(shù)的PCIe 4.0車(chē)載SSD。三星新款AM9C1車(chē)載SSD憑借行業(yè)前沿的速度和更高的可靠性，成為適配車(chē)載應用端側人工智能功能的解決方案。三星新款256GB AM9C1車(chē)載SSD相比前代產(chǎn)品AM991，能效提高約50%，順序讀寫(xiě)速度分別高達4,400MB/s和400MB/s。三星半導體基于第八代V-NAND技術(shù)的車(chē)載SSD AM9C1三星電子副總裁兼存儲器事業(yè)部汽車(chē)業(yè)務(wù)負責人Hyunduk Cho表示：“我們正在與全球自動(dòng)駕駛汽車(chē)廠(chǎng)商合作，為這些企業(yè)提
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三星首款！第八代V-NAND車(chē)載SSD發(fā)布：讀取4400MB/s
- 9月24日消息，今日，三星電子宣布成功開(kāi)發(fā)其首款基于第八代V-NAND 技術(shù)的PCIe 4.0車(chē)載SSD——AM9C1。相比前代產(chǎn)品AM991，AM9C1能效提高約50%，順序讀寫(xiě)速度分別高達4400MB/s和400MB/s。三星表示，AM9C1能滿(mǎn)足汽車(chē)半導體質(zhì)量標準AEC-Q1003的2級溫度測試標準，在-40°C至105°C寬幅的溫度范圍內能保持穩定運行。據介紹，AM9C1采用三星5nm主控，用戶(hù)可將TLC狀態(tài)切換至SLC模式，以此大幅提升讀寫(xiě)速度。其中，讀取速度高達4700MB/s，寫(xiě)入速度高達1
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2024二季度NAND Flash出貨增長(cháng)放緩，AI SSD推動(dòng)營(yíng)收季增14%
- 根據TrendForce集邦咨詢(xún)最新調查，由于Server（服務(wù)器）終端庫存調整接近尾聲，加上AI推動(dòng)了大容量存儲產(chǎn)品需求，2024年第二季NAND Flash（閃存）價(jià)格持續上漲，但因為PC和智能手機廠(chǎng)商庫存偏高，導致第二季NAND Flash位元出貨量季減1%，平均銷(xiāo)售單價(jià)上漲了15%，總營(yíng)收達167.96億美元，較前一季增長(cháng)了14.2%。第二季起所有NAND Flash供應商已恢復盈利狀態(tài)，并計劃在第三季擴大產(chǎn)能，以滿(mǎn)足AI和服務(wù)器的強勁需求，但由于PC和智能手機今年上半年市場(chǎng)表現不佳，
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nand介紹
一般快閃記憶體可分為二大規格，一是NAND，一是NOR.
簡(jiǎn)單的來(lái)說(shuō)，NAND規格快閃記憶體像硬碟，以?xún)Υ鏀祿橹?，又稱(chēng)為Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已達二Gb；NOR規格記憶體則類(lèi)似DRAM，以?xún)Υ娉绦虼a為主，又稱(chēng)為Co deFlash，所以可讓微處理器直接讀取，但晶片容量較低，主流容量為五一二Mb。
NAND規格與NOR規格快閃記憶體除了容量上的不同，讀寫(xiě)速度也有很 [ 查看詳細 ]
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