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nand閃存 文章 進(jìn)入nand閃存技術(shù)社區
第四季度全球NAND閃存出貨環(huán)比下滑8.6%
- 據國外媒體報道，根據亞洲最大芯片現貨市場(chǎng)的交易商集邦科技(Dramexchange Technology Inc)提供的最新數據，2011年第四季度全球第四季度NAND閃存芯片市場(chǎng)規模達到48.9億美元，環(huán)比下滑了8.6%。三星電子依然是該市場(chǎng)的龍頭，市場(chǎng)份額達到了34.6%。 集邦科技提供的數據顯示，NAND閃存出貨環(huán)比增長(cháng)了大約5%，而平均銷(xiāo)售價(jià)格則環(huán)比下滑了13%。集邦科技指出，雖然存儲卡和閃存的零售增幅依然緩慢，但是智能手機和平板電腦制造商對閃存的需求依然非常強勁。 集邦科技指出，
- 關(guān)鍵字： 三星電子 NAND閃存
蘋(píng)果轉售NAND閃存大賺：成本10.7美元賣(mài)100美元
- 投資公司Bernstein Research今天公布一份報告，談及蘋(píng)果采購NAND閃存的情況。蘋(píng)果iPhone 4S有16GB版本和32GB版本，二者的差別就在于NAND閃存容量不同，32GB版本高100美元。不過(guò)根據Bernstein Research的研究發(fā)現，蘋(píng)果在采購NAND閃存時(shí)有很大的折扣，每GB只有0.67美元，16GB相當于10.72美元。 由此看來(lái)，蘋(píng)果的利潤戰略相當成功。讓分析師奇怪的是蘋(píng)果戰略如此成功，為什么競爭者不仿效。 報告中寫(xiě)道：“2011年4季度，
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IMFT推出20納米制程的NAND閃存
- 日前，英特爾(Intel)與美光(Micron)合資成立的IM Flash Technology(IMFT)推出以20納米制程生產(chǎn)之128GB NAND閃存。兩家公司的20納米制程的64GB NAND閃存也將進(jìn)入量產(chǎn);128GB NAND閃存預計于2012年進(jìn)行量產(chǎn)。 20納米制程之128GB NAND Flash由英特爾與美光合資成立之IMFT所發(fā)展出來(lái)。該128GB NAND Flash為多層(multilevel)單元，英特爾與美光并未透露一個(gè)單元含有多少位(bit)。128GB NAND
- 關(guān)鍵字： IMFT NAND閃存
三星有可能在中國建芯片廠(chǎng)
- 日前消息稱(chēng)，三星計劃投資約35億美元，在中國開(kāi)辦芯片工廠(chǎng)，并于2013年投入營(yíng)運。據該公司一份監管檔中表示，工廠(chǎng)將采用先進(jìn)的20納米技術(shù)，生產(chǎn)NAND閃存芯片，但并未透露該座新工廠(chǎng)的地址和具體投資金額。 如果建廠(chǎng)計劃獲得中國官方批準，該工廠(chǎng)將是三星繼美國德州奧斯汀之后的第2座海外芯片制造工廠(chǎng)，三星還計劃在中國建立平板顯示屏幕生產(chǎn)基地。 韓國新韓投資公司分析師金永燦預計，三星將為中國新廠(chǎng)投資4兆韓元(約合35億美元)至5兆韓元。 三星表示，已經(jīng)就在外國投建生產(chǎn)基地向韓國政府提交申請，后
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND閃存
20nm最強制程 三星造出8Gb相變內存顆粒
- 來(lái)自SemiAccurate網(wǎng)站的消息稱(chēng)，三星已經(jīng)研發(fā)并制造出容量達到8Gb的相變內存顆粒，采用移動(dòng)設備中常用的LPDDR2界面，此前制造的1Gb相變內存顆粒樣品容量一般只有1Gb，是它的1/8。 新的內存顆粒最大的亮點(diǎn)是采用目前存儲芯片最先進(jìn)的20nm制程工藝打造，幾乎達到了包括相變內存在內的所有DDR內存以及NAND閃存的極限。 相變內存結合了DDR與NAND閃存的特點(diǎn)，具有斷電不掉數據，耐久性好，速度快等優(yōu)點(diǎn);根據內存制造材料的每個(gè)晶胞在晶態(tài)/非晶態(tài)之間來(lái)回轉換來(lái)存儲數據。 預
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Elpida 和Spansion開(kāi)始合作生產(chǎn)電荷俘獲型NAND閃存
- Elpida和Spansion發(fā)明一種電荷俘獲型閃存，為1.8V SLC(單層單元)4Gb NAND閃存存儲器。它是基于Spansion的MirrorBit電荷俘獲型技術(shù)在Elpida的廣島廠(chǎng)進(jìn)行量產(chǎn)。 按公司的說(shuō)法，與通常的浮柵NAND閃存相比，電荷俘獲型NAND在更簡(jiǎn)單的單元結構下可以作到尺寸更小，同時(shí)功能更強，讀出速度更快及可編程速度更快。 Elpida計劃把NAND閃存與移動(dòng)RAM結合一起銷(xiāo)售移動(dòng)消費類(lèi)產(chǎn)品。除此之外，Spansion正開(kāi)發(fā)用于嵌入式及選擇無(wú)線(xiàn)市場(chǎng)的NAND，以及繼
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東芝開(kāi)始量產(chǎn)24nm工藝NAND閃存
- 東芝公司宣布，即日起開(kāi)始使用24nm工藝批量生產(chǎn)NAND閃存芯片，這也是該領(lǐng)域內迄今為止最為先進(jìn)的制造技術(shù)。 東芝透露，24nm工藝已被用于生產(chǎn)世界上體積最小、存儲密度最高的2bpc(每單元兩個(gè)比特)MLC NAND閃存芯片，單顆容量64Gb(8GB)，今后還會(huì )使用同樣工藝制造32Gb(4GB)容量和3bpc規格的閃存芯片。 東芝表示，新工藝將進(jìn)一步減小芯片尺寸、提高生產(chǎn)效率，同時(shí)還支持Toggle DDR接口規范，有助于增強數據傳輸速度。 在此之前，Intel、美光合資的IM Fl
- 關(guān)鍵字： 東芝 NAND閃存 24nm
爾必達計劃收購美國Spansion閃存資產(chǎn)
- 3月4日消息，據國外媒體報道，爾必達公司今日表示，計劃收購美國晶片制造商Spansion的NAND閃存資產(chǎn)。Spansion是由日本富士通和AMD組建的合資企業(yè)，該公司去年3月申請破產(chǎn)。 爾必達記憶體將斥資30-50億日元(合3400-5700萬(wàn)美元)收購S(chǎng)pansion的NAND相關(guān)資產(chǎn)，其中包括在意大利的一個(gè)研發(fā)工廠(chǎng)。 爾必達希望提供半導體模組，結合DRAM和閃存功能。這些模組在蘋(píng)果iPhone等智能手機方面的運用增長(cháng)趨勢明顯，爾必達正在追趕DRAM領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)三星電子和海力士半導體
- 關(guān)鍵字： 爾必達 NAND閃存 DRAM
市場(chǎng)調研公司開(kāi)始對于2010年半導體市場(chǎng)作第一次修正
- 全球1月半導體的銷(xiāo)售額數據出籠，讓分析師們的眼睛一亮，紛紛提高2010年的預測。為什么如此迫不及待，值得思考。 按SIA總裁的看法,全球半導體銷(xiāo)售額1月的最新數據(三個(gè)月的移動(dòng)平均值) 比12月的225億美元上升0,3%,分析推動(dòng)市場(chǎng)增長(cháng)在眾多方面, 包括計算機, 手機, 汽車(chē)電子和工業(yè)應用。如果與去年同期相比, 銷(xiāo)售額增長(cháng)達47%,顯然與09年1月時(shí)正值全球的最低點(diǎn)有關(guān)。 SIA總裁Scalise認為,傳統上因為季節的原因, 通常1月會(huì )比12月有所下降, 所以
- 關(guān)鍵字： 半導體 汽車(chē)電子 DRAM NAND閃存
nand閃存介紹
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歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對nand閃存的理解，并與今后在此搜索nand閃存的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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