IMFT推出20納米制程的NAND閃存

　　日前，英特爾(Intel)與美光(Micron)合資成立的IM Flash Technology(IMFT)推出以20納米制程生產(chǎn)之128GB NAND閃存。兩家公司的20納米制程的64GB NAND閃存也將進(jìn)入量產(chǎn)，128GB NAND閃存預計于2012年進(jìn)行量產(chǎn)。

　　20納米制程之128GB NAND Flash由英特爾與美光合資成立之IMFT所發(fā)展出來(lái)。該128GB NAND Flash為多層(multilevel)單元，英特爾與美光并未透露一個(gè)單元含有多少位(bit)。128GB NAND Flash首次采用平面式單元結構(planar cell structure)，該結構將高K金屬柵極(High-K Metal Gate;HKMG)技術(shù)整合至NAND制作過(guò)程，突破傳統NAND Flash技術(shù)的傳統浮動(dòng)閘(Floating Gate)架構。

　　20納米制程的128GB NAND Flash可實(shí)現1秒333MT(megatransfer)的速度，并于未來(lái)應用于智能型手機(Smartphone)、平板計算機(Tablet PC)與固態(tài)硬盤(pán)。

　　其他NAND Flash大廠(chǎng)也動(dòng)作頻頻，如三星電子(Samsung Electronics)已對外宣布10納米閃存研發(fā)完成，并計劃在大陸興建新的20納米閃存生產(chǎn)線(xiàn)，一旦建廠(chǎng)獲得批準，建廠(chǎng)也如期完工，新產(chǎn)線(xiàn)將于2013年投入量產(chǎn)。 而日本大廠(chǎng)東芝(Toshiba)則將3座模擬芯片廠(chǎng)關(guān)閉，并將資源投注于NAND Flash研發(fā)。