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nand flash 文章 進(jìn)入nand flash技術(shù)社區
全球NAND Flash擴產(chǎn)競賽3缺1
- 存儲器大廠(chǎng)海力士(Hynix)2010年第4季獲利受到DRAM報價(jià)下跌影響而驟降，除了積極布局非標準型DRAM相關(guān)的應用領(lǐng)域之外，市場(chǎng)認為目前全球4大NAND Flash陣營(yíng)中，唯一沒(méi)有宣布要擴產(chǎn)的只剩下海力士，2011年平板計算機和智能型手機等應用都是NAND Flash當道，海力士還有1座空著(zhù)的12寸晶圓廠(chǎng)M12，未來(lái)若此座廠(chǎng)房加入NAND Flash生產(chǎn)行列，全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)4大天王將全部到齊!
- 關(guān)鍵字： 海力士 NAND
三星2010年NAND Flash市占直逼40% 產(chǎn)業(yè)成長(cháng)率達58%
- 2010年的NAND Flash產(chǎn)業(yè)由平板計算機(Tablet PC)及智能型手機(Smartphone)稱(chēng)霸應用端，傳統的快閃記憶卡和優(yōu)盤(pán)一直等到2010年第4季都沒(méi)有表現的舞臺，整體2010年NAND Flash市場(chǎng)營(yíng)收成長(cháng)達58.7%，為191.7億美元，其中三星電子(Samsung Electronics)持續稱(chēng)王，美光(Micron)在第4季市占率持續超越海力士(Hynix)，但差距相當少，雙方持續纏斗意味濃厚。 2010年快閃記憶卡和優(yōu)盤(pán)等NAND Flash應用風(fēng)光不再，取而代之的
- 關(guān)鍵字： 三星電子 NAND
2011年NAND閃存銷(xiāo)售額將進(jìn)一步增長(cháng)
- 據iSuppli公司，作為多種消費電子產(chǎn)品的事實(shí)性存儲媒介，NAND閃存2011年將再度實(shí)現兩位數的增長(cháng)。 2010年NAND閃存銷(xiāo)售額創(chuàng )下最高紀錄，增長(cháng)38%。預計今年銷(xiāo)售額將達到220億美元，比2010年的187億美元增長(cháng)18%。而NAND閃存比特出貨量增長(cháng)幅度更大，預計2011年增長(cháng)72%，達到193億GB。 盡管增長(cháng)勢頭強勁，但2011年底市場(chǎng)形勢可能發(fā)生變化?？紤]到目前市場(chǎng)中樂(lè )觀(guān)氣氛彌漫，而且供應商可能過(guò)度投資擴大生產(chǎn)，風(fēng)險可能在2011年底浮現，屆時(shí)供應可能超過(guò)需求。預計201
- 關(guān)鍵字： NAND 閃存
英特爾亞太NAND Flash操盤(pán)手離職引發(fā)業(yè)者嘩然
- 英特爾(Intel)跨足NAND Flash產(chǎn)業(yè)邁入第5年，但近期在策略上有諸多調整，引發(fā)存儲器業(yè)界高度關(guān)注，包括日前合作伙伴美光(Micron)宣布新加坡廠(chǎng)將于2011年投產(chǎn)，卻不見(jiàn)英特爾投資身影，近期英特爾在亞太區NAND Flash操盤(pán)手、亦是嵌入式產(chǎn)品事業(yè)群暨微型移動(dòng)裝置事業(yè)群執行總監陳武宏閃電離職，更引發(fā)存儲器業(yè)者一陣嘩然，目前該職務(wù)由英特爾亞太區技術(shù)營(yíng)銷(xiāo)服務(wù)事業(yè)群執行總監黃逸松暫代，而相關(guān)模塊廠(chǎng)對此表示，雙方合作關(guān)系不會(huì )受影響。
- 關(guān)鍵字： 英特爾 NAND
Gartner下調2011年度半導體設備市場(chǎng)預測
- 根據Gartner發(fā)布的報告，該公司下調對于明(2011)年度半導體設備市場(chǎng)的預測;原先該公司預期將成長(cháng)4.9%，現在預期將縮減1%。另外，Gartner原先預估今年成長(cháng)113%，現在估計可達131%至384億美元。該公司分析家KlausRinnen指出，今年產(chǎn)業(yè)創(chuàng )造了有史以來(lái)最強勁的成長(cháng)，不過(guò)2011年度的市場(chǎng)將比較疲軟，屆時(shí)設備采購主要的重點(diǎn)將在于產(chǎn)能的擴充而不是在技術(shù)設備上。他表示由于媒體平板電腦的拉抬，NAND將是記憶體領(lǐng)域中資本投資最多者。
- 關(guān)鍵字： 半導體設備 NAND
美光新加坡廠(chǎng)明年投產(chǎn)
- 美系存儲器大廠(chǎng)美光(Micron)2010年全球NAND Flash市占率大躍進(jìn)，已擠下海力士(Hynix)坐穩全球三哥寶座，在擴產(chǎn)速度上，美光在2011年也不會(huì )缺席，與英特爾(Intel)合資的新加坡廠(chǎng)也將在2011年第2季開(kāi)始投產(chǎn)，對于三星電子(Samsung Electronics)和東芝(Toshiba)2011年也有擴產(chǎn)計畫(huà)，美光表示不擔心供過(guò)于求，在產(chǎn)能增加的同時(shí)，平板計算機等應用也大幅崛起，預計2011年NAND Flash市場(chǎng)供需可維持健康的狀態(tài)。
- 關(guān)鍵字： 美光 NAND
臺灣加入NAND Flash戰局
- 臺灣長(cháng)久缺席的快閃存儲器產(chǎn)業(yè)終于出現曙光，由于既有NAND Flash技術(shù)在20納米制程以下面臨天險，全球大廠(chǎng)紛競逐下世代技術(shù)，近期國家納米元件實(shí)驗室(NDL)成功在R-RAM(Resistive Random-Access Memory)技術(shù)架構下，研發(fā)出全球最小的9納米電阻式存儲器，計劃在2011年下半正式成立“16-8納米元件聯(lián)盟”，將廣邀存儲器廠(chǎng)及晶圓代工廠(chǎng)加入，首波會(huì )先洽談臺系存儲器廠(chǎng)，目標5~10年內將此技術(shù)導入量產(chǎn)，讓臺灣正式加入NAND Flash產(chǎn)業(yè)戰局。
- 關(guān)鍵字： NAND 9納米
nand flash介紹
Nand-flash內存是flash內存的-種，其內部采用非線(xiàn)性宏單元模式，為固態(tài)大容量?jì)却娴膶?shí)現提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫(xiě)速度快，適用于大量數據的存儲，因而在業(yè)界得到了越來(lái)越廣泛的應用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數碼相機、MP3隨身聽(tīng)記憶卡、體積小巧的U盤(pán)等。
NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫(xiě)入操作必須在空白區域進(jìn)行，如果目標區域已經(jīng)有數 [ 查看詳細 ]
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