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海力士看好存儲器價(jià)格反彈

  • 　　韓國存儲器大廠(chǎng)海力士(Hynix)對DRAM及NAND Flash產(chǎn)業(yè)后市，發(fā)表脫離谷底的看法，對于臺系DRAM廠(chǎng)而言，可望注入強心針。在硅晶圓部分，海力士與臺廠(chǎng)目前都有1~2個(gè)月不等庫存，短期仍可支應生產(chǎn)，但中長(cháng)線(xiàn)來(lái)看，日本地震造成硅晶圓短缺問(wèn)題仍待厘清，目前市場(chǎng)買(mǎi)盤(pán)多是邊走邊看，沒(méi)有一窩蜂搶貨，但也會(huì )擔心日后供給吃緊造成漲價(jià)問(wèn)題。 　　
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DSP芯片（TMS320C6711D）的Flash存儲器

  • 在嵌入式系統中，為了實(shí)現程序的脫機自動(dòng)運行，程序往往固化在電可擦除的Flash存儲器中。要實(shí)現一個(gè)嵌入式系統...
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TMS320F2812芯片開(kāi)發(fā)中Flash代碼性能的研究

  • TMS320F2812是目前性能非常優(yōu)秀的32位定點(diǎn)DSP，集成了多種外設。對TMS320F2812開(kāi)發(fā)通常利用TI公司的CCS2集成...
  • 關(guān)鍵字： TMS320F2812  Flash  

NAND Flash優(yōu)先供應一線(xiàn)廠(chǎng)　二線(xiàn)平板計算機廠(chǎng)5月恐斷貨

  • 　　硅晶圓斷料陰影籠罩半導體產(chǎn)業(yè)，原本要展翅高飛的平板計算機、智能型手機等應用，現在都要看NAND Flash芯片后續供應情況，存儲器業(yè)者指出，雖然3、4月供貨沒(méi)問(wèn)題，但5月之后若因硅晶圓不足而造成供給吃緊，蘋(píng)果(Apple)等一線(xiàn)大廠(chǎng)會(huì )是優(yōu)先供貨對象，iPad-like陣營(yíng)恐面臨斷貨危機。 　　盡管NAND Flash大廠(chǎng)東芝(Toshiba)12寸晶圓廠(chǎng)不在日本強震震央，但上游材料如硅晶圓、光阻劑、化學(xué)研磨液、鈀材、氮氣等，紛因地震而面臨供應商停工窘境，不僅業(yè)者始料未及，亦讓NAND Flash產(chǎn)業(yè)
  • 關(guān)鍵字： 硅晶圓  NAND  

日本強震影響蘋(píng)果公司股價(jià)

  • 　　據經(jīng)濟之聲報道，蘋(píng)果公司這幾天股價(jià)連續大幅下滑，市值損失接近220億美元。周五的股市交易中，蘋(píng)果股價(jià)再一次小幅下挫。分析人士指出，在很多外在不確定因素的影響下，股價(jià)短期震蕩在所難免，日本地震對蘋(píng)果股價(jià)也有一定的影響。 　　
  • 關(guān)鍵字： 蘋(píng)果  NAND  

日本地震電子供應鏈修復至少4月以上

  • 　　針對日本強震對電子供應鏈的影響，美銀美林證券全球半導體研究部主管何浩銘(Daniel Heyler)昨天表示，由于BT樹(shù)脂兩大供貨商三菱瓦斯與日立化成現在已停止接單，而兩家占BT樹(shù)脂供給量的九成，使得基板供給影響比想象嚴重，目前預估這次震災對NAND、LCD面板、太陽(yáng)能等供給的影響分別為40%、10%、20%，預期這次電子供應鏈修復期至少4-6個(gè)月?！?/li>
  • 關(guān)鍵字： NAND  基板  

VLSI上調2011年全球IC市場(chǎng)成長(cháng)率

  • 　　市場(chǎng)研究機構 VLSI Research 最近調升了對 2011年 IC市場(chǎng)成長(cháng)率的預測;該機構先前估計 2011年全球IC市場(chǎng)將成長(cháng)8.1%、達到2,687億美元營(yíng)收規模，現在則是認為今年度該市場(chǎng)成長(cháng)率為8.9%，營(yíng)收規模2,707億美元。 　　
  • 關(guān)鍵字： IC  NAND  

用CPLD和Flash實(shí)現FPGA配置

  • 摘要：FPGA可以通過(guò)串行接口進(jìn)行配置。本文對傳統的配置方法進(jìn)行了研究，并從更新配置文件的方法入手，提出了利用處理機通過(guò)網(wǎng)絡(luò )更新的方法，給出了一個(gè)用CPLD和Flash對FPGA進(jìn)行配置的應用實(shí)例。
    關(guān)鍵詞：現場(chǎng)可編程
  • 關(guān)鍵字： Flash  CPLD  FPGA    

iPad將推動(dòng)今年NAND閃存出貨量增長(cháng)近五倍

  • 　　據市場(chǎng)研究公司iSuppli星期五發(fā)表的研究報告稱(chēng)，隨著(zhù)消費者越來(lái)越多地使用平板電腦，蘋(píng)果的iPad今年將推動(dòng)NAND閃存芯片的應用增長(cháng)將近五倍。 　　iSuppli稱(chēng)，用于制作移動(dòng)設備中使用的固態(tài)硬盤(pán)的NAND閃存芯片今年的消費量預計將達到23億GB，比2010年消費的4768億GB增長(cháng)382.4%。iSuppli預計到2014年，NAND閃存芯片的出貨量將達到123億GB?！?/li>
  • 關(guān)鍵字： NAND  閃存芯片  

全球NAND Flash擴產(chǎn)競賽3缺1　

  • 　　存儲器大廠(chǎng)海力士(Hynix)2010年第4季獲利受到DRAM報價(jià)下跌影響而驟降，除了積極布局非標準型DRAM相關(guān)的應用領(lǐng)域之外，市場(chǎng)認為目前全球4大NAND Flash陣營(yíng)中，唯一沒(méi)有宣布要擴產(chǎn)的只剩下海力士，2011年平板計算機和智能型手機等應用都是NAND Flash當道，海力士還有1座空著(zhù)的12寸晶圓廠(chǎng)M12，未來(lái)若此座廠(chǎng)房加入NAND Flash生產(chǎn)行列，全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)4大天王將全部到齊! 　
  • 關(guān)鍵字： Hynix  NAND   

蘋(píng)果再施狙擊式采購

  • 　　蘋(píng)果目前正在跟三星電子洽談購買(mǎi)約78億美元的零組件，內容包括屏幕、處理器、NAND閃存等，主要都是要用在 iPad、iPhone等產(chǎn)品上面。一旦該筆訂單確定下來(lái)，蘋(píng)果將成為三星的最大單一客戶(hù)。 　　
  • 關(guān)鍵字： 三星  NAND  

DRAM、NAND芯片現貨均價(jià)上周再度下滑

  • 　　市場(chǎng)調研公司inSpectrum近日發(fā)布的存儲芯片市場(chǎng)周統計報告顯示，上周DRAM和NAND芯片現貨市場(chǎng)上的平均價(jià)格再次有了比較明顯的下滑，相比1月份的穩定價(jià)格此次的變化對整個(gè)市場(chǎng)有一定的影響。 　　
  • 關(guān)鍵字： DRAM  NAND  

NAND閃存市場(chǎng)或將“崩盤(pán)”

  • 　　在2011年的國際固態(tài)電路會(huì )議(ISSCC)上，海力士、三星和東芝公布了各自關(guān)于尖端NAND部件的更多細節。 　　在一段時(shí)間內，由于手機、平板電腦和固態(tài)存儲等產(chǎn)品市場(chǎng)的強勁需求，NAND閃存廠(chǎng)商一直有著(zhù)驚人的增長(cháng)速度。 　　
  • 關(guān)鍵字： NAND  閃存  

DRAM/NAND芯片現貨均價(jià)上周再度下滑

  • 　　來(lái)自臺灣媒體的最新消息稱(chēng)，市場(chǎng)調研公司inSpectrum近日發(fā)布的存儲芯片市場(chǎng)周統計報告顯示，上周DRAM和NAND芯片現貨市場(chǎng)上的平均價(jià)格再次有了比較明顯的下滑，相比1月份的穩定價(jià)格此次的變化對整個(gè)市場(chǎng)有一定的影響。 　　
  • 關(guān)鍵字： DRAM  NAND  

DRAM合約價(jià)醞釀反彈

  • 　　DRAM合約價(jià)在2010年第4季跌幅高達50%，隨著(zhù)現貨價(jià)在農歷年前率先反彈，2011年2月DRAM合約價(jià)亦走向止跌，存儲器模塊廠(chǎng)表示，近期甫出爐1Gb、2Gb、4Gb產(chǎn)品合約價(jià)都呈現止跌跡象，由于目前現貨價(jià)比合約價(jià)至少高出20%，使得DRAM廠(chǎng)在合約價(jià)談判上輕松許多;南亞科則預計，2月 DRAM合約價(jià)漲幅目標是至少5%?！　?/li>
  • 關(guān)鍵字： DRAM  NAND  
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nand flash介紹

　Nand-flash內存是flash內存的-種，其內部采用非線(xiàn)性宏單元模式，為固態(tài)大容量?jì)却娴膶?shí)現提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫(xiě)速度快，適用于大量數據的存儲，因而在業(yè)界得到了越來(lái)越廣泛的應用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數碼相機、MP3隨身聽(tīng)記憶卡、體積小巧的U盤(pán)等。 　　NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫(xiě)入操作必須在空白區域進(jìn)行，如果目標區域已經(jīng)有數 [ 查看詳細 ]

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