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三星將停產(chǎn)MLC NAND，未來(lái)聚焦TLC和QLC技術(shù)
- 據消息人士透露，三星計劃在下個(gè)月停止接收MLC NAND芯片的訂單，標志著(zhù)其將逐步退出MLC NAND（多層單元NAND）業(yè)務(wù)。同時(shí)，三星還提高了MLC NAND的價(jià)格，促使部分客戶(hù)開(kāi)始尋找替代供應商。LG顯示（LG Display）正是受影響的客戶(hù)之一。該公司此前在其用于大型OLED面板的4GB eMMC（嵌入式多媒體卡）中使用三星的MLC NAND。目前，LG顯示正在尋求其他供應商，以填補這一空缺。據悉，LG顯示此前的eMMC產(chǎn)品還使用了ESMT和鎧俠的產(chǎn)品。其中，ESMT的eMMC采用了三星的MLC
- 關(guān)鍵字： 三星 MLC NAND TLC QLC
意法半導體Web工具配合智能傳感器加快AIoT項目落地
- 意法半導體新推出了一款基于網(wǎng)絡(luò )的工具ST AIoT Craft，該工具可以簡(jiǎn)化在意法半導體智能 MEMS 傳感器的機器學(xué)習內核 (MLC)上開(kāi)發(fā)節點(diǎn)到云端的 AIoT（物聯(lián)網(wǎng)人工智能）項目以及相關(guān)網(wǎng)絡(luò )配置。MLC機器學(xué)習內核是 ST MEMS 產(chǎn)品組合的專(zhuān)屬功能，能夠讓傳感器直接運行決策樹(shù)學(xué)習模型。MLC 能夠自主運行，無(wú)需主機系統參與，低延遲，低功耗，高效處理需要 AI 功能的任務(wù)，例如，分類(lèi)和模式檢測。ST AIoT Craft 還集成了利用 MLC在傳感器內實(shí)現AI的物聯(lián)網(wǎng)項目開(kāi)發(fā)配置所需的全部步驟
- 關(guān)鍵字： 意法半導體 ST AIoT Craft MLC 智能傳感器
機器學(xué)習模型設計過(guò)程和MEMS MLC
- 開(kāi)發(fā)機器學(xué)習項目的五個(gè)步驟 — 掌握要點(diǎn)，應用并不困難！邊緣機器學(xué)習具有許多優(yōu)勢。 然而，由于開(kāi)發(fā)方法與標準程序設計方法截然不同，許多機器學(xué)習開(kāi)發(fā)者可能會(huì )擔心自己難以駕馭。其實(shí)，完全沒(méi)有必要擔心。一旦熟悉了步驟，并掌握了機器學(xué)習項目的要點(diǎn)，就能夠開(kāi)發(fā)具有價(jià)值的機器學(xué)習應用。此外，意法半導體（STMicroelectronics；ST）提供解決方案，以促進(jìn)邊緣機器學(xué)習得到廣泛應用發(fā)揮全部潛力。本文描述機器學(xué)習項目的必要開(kāi)發(fā)步驟，并介紹了ST MEMS傳感器內嵌機器學(xué)習核心（MLC）的優(yōu)勢。 圖一
- 關(guān)鍵字： 機器學(xué)習 模型設計 MEMS MLC
意法半導體推出高級iNEMO傳感器，為工業(yè)和消費應用增添機器學(xué)習內核的能效優(yōu)勢
- 近日，意法半導體推出最新的ISM330DHCX?和?LSM6DSRX?iNEMO?6軸慣性測量單元(IMU)，將動(dòng)作檢測機器學(xué)習內核(MLC)技術(shù)的優(yōu)勢擴大到工業(yè)和高端消費應用領(lǐng)域。機器學(xué)習內核(MLC)技術(shù)對動(dòng)作數據執行基本的AI預處理任務(wù)所用功耗，約為典型微控制器(MCU)完成相同任務(wù)所用功耗的千分之一。因此，集成這一IP技術(shù)的IMU傳感器可以減輕主MCU的處理負荷，延長(cháng)情景感知和體感設備的電池續航時(shí)間，降低維護檢修成本，縮減產(chǎn)品體積和重量。繼去年推出首個(gè)MLC增強型商用
- 關(guān)鍵字： IMU MLC
NAND閃存的三種架構：MLC、SLC、MBC
- NAND閃存的內部架構:NAND閃存可以分為三種不同架構，即：?jiǎn)螌訂卧猄LC 多層單元MLC多位單元MBC。其中，MBC以NROM技術(shù)為基礎的NAND閃存架構，由英飛凌與Saifun合作開(kāi)發(fā)，但該項架構技術(shù)并不成熟。采SLC架構是在每個(gè)Cell中存儲1個(gè)bit的信息，以達到其穩定、讀寫(xiě)速度快等特點(diǎn)，Cell可擦寫(xiě)次數為10萬(wàn)次左右。作為SLC架構，其也有很大的缺點(diǎn)，就是面積容量相對比較小，并且由于技術(shù)限制，基本上很難再向前發(fā)展了。
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東芝攜強大產(chǎn)品陣容亮相慕尼黑上海電子展
- 日本半導體制造商株式會(huì )社東芝(Toshiba)旗下東芝半導體&存儲產(chǎn)品公司宣布，東芝攜其強勢產(chǎn)品和尖端技術(shù)參加了于2015年3月17日至19日在上海新國際博覽中心舉辦的2015慕尼黑電子展。并于3月18日在展會(huì )同期舉辦新聞發(fā)布會(huì )，推出促進(jìn)人類(lèi)智慧生活的四大應用最新解決方案：Energy & Life、Automotive、Memory & Storage、Mobile & Connectivity。延續“智社會(huì ) 人為本”的企業(yè)理念，致力于打造放心、安全、舒適的社會(huì )。
- 關(guān)鍵字： 東芝 慕尼黑上海電子展 閃存 MLC MMC SLC BENAND
東芝：泄密了的閃存技術(shù)走勢
- 全球市場(chǎng)研究機構TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange的數據表明，東芝2014年會(huì )計年度第二季(7月~9月)的NAND Flash營(yíng)運表現最亮眼，位出貨量季成長(cháng)25%以上，營(yíng)收較上季度成長(cháng)23.7%?！ |芝電子(中國)有限公司董事長(cháng)兼總經(jīng)理田中基仁在日前的2014年高交會(huì )電子展上也透露，2014年?yáng)|芝在中國的閃存生意非常好。東芝在高交會(huì )電子展上展示的存儲技術(shù)和產(chǎn)品也是很有分量的，從MLC、MMC到SLC，都可以看到最新的產(chǎn)品，并且東芝的技術(shù)動(dòng)向，也在引領(lǐng)未來(lái)閃存的發(fā)展趨勢。
- 關(guān)鍵字： 東芝 閃存 MLC MMC SLC BENAND
NAND閃存窮途末路 下一代閃存技術(shù)百花齊放
- 由于閃存技術(shù)的發(fā)展，閃存正從U盤(pán)、MP3走向電腦、存儲陣列等更廣泛的領(lǐng)域。雖然其速度較以往的機械硬盤(pán)有了較大幅度的提升，但縱觀(guān)整個(gè)計算架構，閃存仍舊是計算系統中比較慢的部分。況且目前主流的MLC和TLC在寫(xiě)入壽命上都還不盡如人意，并且隨著(zhù)工藝水平的提升，其壽命和良率還有越來(lái)越糟的傾向。閃存生產(chǎn)線(xiàn)已經(jīng)達到15nm的水平，存儲密度難在攀升、壽命卻大幅下降。所以業(yè)界各個(gè)巨頭都在積極研究下一代非易失性存儲技術(shù)。 日前，鎂光在IEEE IEDM 2014(國際電子設備大會(huì ))上就公布了其最新的可變電阻式存儲
- 關(guān)鍵字： NAND MLC TLC
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