EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
metal gate
metal gate 文章 進(jìn)入metal gate技術(shù)社區
Vishay推出新款Power Metal Strip電阻
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用2726和4026外形尺寸的新款表面貼裝Power Metal Strip 電阻--- WSLP2726和WSLP4026，該電阻兼具5W～7W的高功率等級和0.5mΩ的極低阻值。器件采用4接頭設計，可實(shí)現1.0%的穩定電阻容差。
- 關(guān)鍵字： Vishay 電阻 Power Metal Strip
Vishay幫助客戶(hù)進(jìn)一步了解Vishay Dale電阻技術(shù)的先進(jìn)性
- Vishay在官方網(wǎng)站上發(fā)布Power Metal Strip?分流電阻如何應用在定制產(chǎn)品中的解決方案的視頻介紹 賓夕法尼亞、MALVERN — 2010 年 5 月 6 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，為幫助客戶(hù)了解如何將Vishay Dale電阻技術(shù)用于定制產(chǎn)品，滿(mǎn)足特定用戶(hù)的需求，Vishay在其網(wǎng)站(http://www.vishay.com)新增加了一個(gè)介紹Power Metal Stri
- 關(guān)鍵字： Vishay Power Metal Strip 分流電阻
傳三星正積極研究Gate-last工藝
- 據消息來(lái)源透露，三星公司的芯片制造技術(shù)發(fā)展戰略可能發(fā)生較大的變化，他們正在考慮轉向使用gate-last工藝制作high-k器件。按照三星原來(lái)的計劃，他們將在年內推出的28/32nm制程芯片產(chǎn)品中使用gate-first工藝來(lái)制作high-k型器件。不過(guò)也有人認為三星很可能只在28/32nm制程 中才會(huì )采用gate-first工藝，而在22nm制程則會(huì )轉向采用gate-last工藝。于此同時(shí)，三星芯片代工業(yè)務(wù)部門(mén)的副總裁Ana Hunter則拒絕就三星轉向gate-last工藝事宜發(fā)表任何評論。
- 關(guān)鍵字： 三星 Gate-last
臺積電宣布驚人之舉 28nm制程節點(diǎn)將轉向Gate-last工藝
- 去年夏季，一直走Gate-first工藝路線(xiàn)的臺積電公司忽然作了一個(gè)驚人的決定：他們將在其28nm HKMG柵極結構制程技術(shù)中采用Gate-last工藝。不過(guò)據臺積電負責技術(shù)研發(fā)的高級副總裁蔣尚義表示，臺積電此番作出這種決定是要“以史為鑒”。以下，便讓我們在蔣尚義的介紹中，了解臺積電28nm HKMG Gate-last工藝推出的背景及其有關(guān)的實(shí)現計劃。 Gate-last是用于制作金屬柵極結構的一種工藝技術(shù)，這種技術(shù)的特點(diǎn)是在對硅片進(jìn)行漏/源區離子注入操作以及隨后的高溫
- 關(guān)鍵字： 臺積電 Gate-last 28nm
Vishay推出Bulk Metal箔電阻
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出副基準、密封充油的Bulk Metal?箔電阻 --- H和HZ系列，在精度、穩定性和速度上都設定了新的行業(yè)基準。新的H和HZ系列具有0.001%(10ppm)的容差，5Ω～1.84MΩ的阻值范圍，在至少6年內(未受潮)的工廠(chǎng)壽命穩定率可達2ppm(±0.0002%)，上升時(shí)間小于1ns。H系列的最大TCR為±2ppm/℃，Z-Foil HZ系列的最大TCR僅有&plus
- 關(guān)鍵字： Vishay 箔電阻 Bulk Metal
特許半導體四季度上馬32nm工藝 明年轉入28nm
- 新加坡特許半導體計劃在今年第四季度推出32nm制造工藝，明年上半年再進(jìn)一步轉入28nm。 特許半導體很可能會(huì )在明天的技術(shù)論壇上公布32nm SOI工藝生產(chǎn)線(xiàn)的試運行計劃，并披露28nm Bulk CMOS工藝路線(xiàn)圖，另外45/40nm LP低功耗工藝也已就緒。 特許的28nm工藝并非獨立研發(fā)，而是在其所處的IBM技術(shù)聯(lián)盟中獲取的，將會(huì )使用高K金屬柵極(HKMG)技術(shù)以及Gate-first技術(shù)(Intel是Gate-last的堅定支持者)。 特許半導體2009年技術(shù)論壇將在臺灣新竹市
- 關(guān)鍵字： 特許半導體 32nm 28nm Gate-first
臺積電28納米明年1Q試產(chǎn) 迎擊IBM陣營(yíng)
- 臺積電28納米制程再邁大步，預計最快2010年第1季底進(jìn)入試產(chǎn)，2011年明顯貢獻營(yíng)收，臺積電可望在28納米世代迎接中央處理器(CPU)代工訂單，目前28納米制程技術(shù)最大競爭對手，仍是來(lái)自IBM陣營(yíng)的Global Foundries與新加坡特許(Chartered)，雙方競爭更趨激烈。 臺積電表示，已將低耗電制程納入28納米高介電層/金屬閘(HKMG)制程技術(shù)藍圖，預計2010年第3季進(jìn)行試產(chǎn)，至于28納米低功耗制程(28LP)、高效能制程(28HP)則分別于2010年第1季底、第2季底進(jìn)入試產(chǎn)
- 關(guān)鍵字： 臺積電 28納米 gate-last
面向未來(lái)汽車(chē)應用的高可靠性創(chuàng )新半導體方案綜述
- 現在，汽車(chē)行業(yè)的創(chuàng )新幾乎完全由智能電子技術(shù)驅動(dòng)，很多情況下這也是唯一可以實(shí)現新功能特性的途徑。為了支持針...
- 關(guān)鍵字： MCU 汽車(chē)行業(yè) 半導體行業(yè) 非易失存儲器 高可靠性 工藝范圍 保護單元 X-GATE 半導體產(chǎn)品 半導體技術(shù)
Vishay 推出首款 Power Metal Strip 電阻
- 賓夕法尼亞、MALVERN — 2008 年 2 月 13 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布推出兩款高性能表面貼裝 Power Metal Strip? 電阻，這兩款電阻是業(yè)界率先采用 3921 及 5931 封裝尺寸且工作溫度范圍介于 –65°C～+275°C 的此類(lèi)器件。 新型 WSLT3921 及WSLT5931器件的專(zhuān)有結構將固體金屬鐵鉻合金電阻元件與低 TC
- 關(guān)鍵字： Vishay Power Metal Strip 電阻
metal gate介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條metal gate!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對metal gate的理解，并與今后在此搜索metal gate的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對metal gate的理解，并與今后在此搜索metal gate的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
metal gate電路
metal gate相關(guān)帖子
metal gate資料下載
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì )員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473