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LED照明器件與系統設計因素關(guān)系分析

  • 一 前言　　設計者們給發(fā)光二極管—LED和陣列作光源設計的供電電源，稱(chēng)之為L(cháng)ED電子驅動(dòng)器。對于LED照明器件和系統而言，LED光源本身就是其電子封裝組成的一部分。這種給LED陣列提供能源并對其進(jìn)行控制的電子驅動(dòng)
  • 關(guān)鍵字： 因素  關(guān)系  分析  設計  系統  照明  器件  LED  

用于計算應用的占位面積優(yōu)化功率器件

  • I.概述　本文將：. 總結針對計算應用的典型同步降壓調節器負載設計規范；Tjcn、負載電流、DC和瞬態(tài)調節. 簡(jiǎn)單概述帶來(lái)典型的每相20 - 30 A電流的因素；工作頻率、瞬態(tài)響應和效率. 解釋三要素概念=>額定輸出電流由三個(gè)
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PROTEL DXP如何創(chuàng )建原理圖器件（二）

  • 添加電路仿真模型電路仿真用的SPICE 模型文件（.ckt and .mdl）存放在A(yíng)ltiumLibrary路徑里的集成庫文件中。如果你希望在你的設計上進(jìn)行電路仿真分析，你就需要加入這些模型。如果你要將這些仿真模型用到你的庫元件中
  • 關(guān)鍵字： PROTEL  DXP  原理圖  器件    

PROTEL DXP如何創(chuàng )建原理圖器件（一）

  • 介紹了使用PROTEL DXP 的庫編輯器創(chuàng )建原理圖器件和PCB 封裝。這個(gè)指南假設你能理解如何在原理圖及PCB 環(huán)境中工作并且具有擺放及編輯器件的能力。你可以在A(yíng)ltiumExamples utorials 路徑中找到指南中的例子中使用到的器
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功率邏輯器件在嵌入式系統中的應用分析

  • 嵌入式可編程控制器及其I/O模塊為較合理地解決目前可編程邏輯控制器.html target=_blank>控制器自身的軟硬件分配，以及與上位機通信協(xié)調工作中存在的問(wèn)題，結合外掛式和虛擬式的優(yōu)點(diǎn)，本文基于ISA總線(xiàn)技術(shù)自行開(kāi)發(fā)
  • 關(guān)鍵字： 功率邏輯  分析  器件  嵌入式系統    

存儲器件軟誤差解決方案

  • 軟誤差是半導體器件中無(wú)法有意再生的“干擾”（即數據丟失）。它是由那些不受設計師控制的外部因素所引起的，包括alpha;粒子、宇宙射線(xiàn)和熱中子。許多系統能夠容忍一定程度的軟誤差。例如，如果為音頻、視
  • 關(guān)鍵字： 存儲  器件  方案  軟誤差    

基于VHDL語(yǔ)言對高速A/D器件TLC5510控制的實(shí)現

  • 基于VHDL語(yǔ)言對高速A/D器件TLC5510控制的實(shí)現,--TLC5510 VHDL控制程序　　--文件名：TLC5510.vhd　　--功能：基于VHDL語(yǔ)言，實(shí)現對高速A/D器件TLC5510控制　　--最后修改日期：2004.3.20　　library ieee;　　use ieee.std_logic_1164.all;　　entity tlc5510 is
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低功耗器件的“設計時(shí)測試”方法

  • 在65nm制造工藝條件下，依靠電池供電的器件正在大量出現。這種先進(jìn)的工藝技術(shù)使得新器件較前代工藝的同類(lèi)器件具有很多改進(jìn)。采用65nm工藝之后，設計人員可以在一塊單獨的裸片上集成遠多于過(guò)去的晶體管，還可以在器件
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飛兆新近擴展重啟定時(shí)器產(chǎn)品系列

  • 隨著(zhù)技術(shù)的發(fā)展，消費者越來(lái)越多地利用便攜設備處理業(yè)務(wù)和私人事務(wù)。由于這些便攜設備中構建了眾多的基礎架構系統，擁有能夠快速解決系統鎖死的簡(jiǎn)單方案是至關(guān)重要的。飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)新近擴展重啟定時(shí)器產(chǎn)品系列，能夠為便攜設備鎖死問(wèn)題提供更好的解決方案。
  • 關(guān)鍵字： 飛兆  器件  重啟定時(shí)器  

ESD保護手機器件pcb設計

  • 目前普遍接受的關(guān)鍵ESD保護電壓水平約為500V。在這一水平，芯片成本增加得較合理，良率水平也不會(huì )受到損害。這是因為典型的晶圓廠(chǎng)和裝配車(chē)間有將ESD限制在500V或以下的政策。目前業(yè)內最常見(jiàn)的板級ESD保護器件主要有以
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LED芯片/器件封裝缺陷的非接觸檢測技術(shù)

  • 摘要：為了在大批量封裝生產(chǎn)線(xiàn)上對LED的封裝質(zhì)量進(jìn)行實(shí)時(shí)檢測，利用LED具有與PD類(lèi)似的光伏效應的特點(diǎn)，導出了LED芯片/器件封裝質(zhì)量與光生電流之間的關(guān)系，并根據LED封裝工藝過(guò)程的特點(diǎn)，研制了LED封裝質(zhì)量非接觸檢測
  • 關(guān)鍵字： 非接觸  檢測技術(shù)  缺陷  封裝  芯片  器件  LED  

基于集成芯片MC34152和CMOS邏輯器件的軟開(kāi)關(guān)變換器驅動(dòng)電路設計

  • 在高頻PWM開(kāi)關(guān)變換器中，為保證功率MOSFET在高頻、高壓、大電流下工作，要設計可靠的柵極驅動(dòng)電路。一個(gè)性能良好的驅動(dòng)電路要求觸發(fā)脈沖應具有足夠快的上升和下降速度，脈沖前后沿要陡峭；驅動(dòng)源的內阻要足夠小、電流
  • 關(guān)鍵字： 開(kāi)關(guān)  變換器  驅動(dòng)  電路設計  器件  邏輯  集成  芯片  MC34152  

Microsemi推出系統管理設計工具

  • 致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導體技術(shù)產(chǎn)品的領(lǐng)先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達克交易所代號：MSCC) 推出一套用于高可用性有線(xiàn)和無(wú)線(xiàn)通信基礎設施設備的系統與功率管理設計工具。新設計工具包括美高森美混合信號功率管理工具(Mixed Signal Power Manager，MPM) 4.0參考設計，支持多達64個(gè)電源軌和混合模擬與數字負載點(diǎn)(point-of-loads，POL)，以及基于PMBus?的通信。美高森美還提供了可用于Microsemi
  • 關(guān)鍵字： 美高森美  器件  MPM 4.0  

選用磁性器件中磁芯的設計原理

  • 開(kāi)關(guān)電源中使用的磁性器件較多，其中常用的軟磁器件有：作為開(kāi)關(guān)電源核心器件的主變壓器(高頻功率變壓器)、共模扼流圈、高頻磁放大器、濾波阻流圈、尖峰信號抑制器等。不同的器件對材料的性能要求各不相同，如表所示
  • 關(guān)鍵字： 原理  設計  器件  磁性  選用  

針對未來(lái)十年 “All Programmable”器件的顛覆之作

  • 歷經(jīng)四年的開(kāi)發(fā)和一年的試用版本測試，賽靈思可編程顛覆之作 Vivado 設計套件終于震撼登場(chǎng)，并通過(guò)其早期試用計劃開(kāi)始向客戶(hù)隆重推出。新的工具套件面向未來(lái)十年 “All Programmable”器件而精心打造， 致力于加速其設計生產(chǎn)力。
  • 關(guān)鍵字： 賽靈思  器件  Vivado  
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lora?器件介紹

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