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賽靈思演示ships Zynq-7000器件

  •   近日在A(yíng)ETC(歐洲的ARM技術(shù)會(huì )議),賽靈思公司宣布,該公司現已開(kāi)始發(fā)售其Zynq-7000 EPP(擴展式處理平臺)設備,并運行一個(gè)基于Linux的應用程序的設備,提供了第一個(gè)公開(kāi)演示。   Zynq-7020 EPP最初的樣品目前正在出貨為早期試用計劃的參與者,跟蹤生產(chǎn)合格的零件使其走向正規,在2012年下半年開(kāi)始出貨。   “自從我們在2010年4月首次推出的可擴展處理平臺程序以來(lái),我們很高興的看到早期客戶(hù)充分利用他們所完成并運用他們的系統對這些設備”Lawrenc
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多個(gè)AD9779TxDAC器件的同步

  • 簡(jiǎn)介

      AD9779 TxDAC的DAC輸出采樣速率最高可達1 GSPS.在某些應用中,例如需要波束導引的應用,用戶(hù)可以同步多個(gè)AD9779.因此,當AD9779以接近最高速度工作時(shí),TxDAC時(shí)序特性變得至關(guān)重要。

      本應用筆記不
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2011年未來(lái)電子技術(shù)發(fā)展與專(zhuān)業(yè)人才培養高峰論壇

  •   作為一年一度大學(xué)生人才培養與創(chuàng )業(yè)指導的重要活動(dòng),“2011年未來(lái)電子技術(shù)發(fā)展與專(zhuān)業(yè)人才培養高峰論壇”秉承前一屆的成功經(jīng)驗,于2011年12月9日在北京會(huì )議中心如期舉行。   本次論壇是由中國電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展研究院主辦,由賽迪顧問(wèn)股份有限公司承辦,日本村田制作所贊助。以“成長(cháng)于信息時(shí)代 奮斗于電子夢(mèng)想”為主題,圍繞“電子技術(shù)發(fā)展現狀與趨勢展望”、“下一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)領(lǐng)域解析”與“大學(xué)生學(xué)習與
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功率器件IGBT在不間斷電源(UPS)中的應用

  • 1. 引言
      
    在UPS 中使用的功率器件有雙極型功率晶體管、功率MOSFET、可控硅和IGBT,IGBT 既有功率MOSFET 易于驅動(dòng),控制簡(jiǎn)單、開(kāi)關(guān)頻率高的優(yōu)點(diǎn),又有功率晶體管的導通電壓低,通態(tài)電流大的優(yōu)點(diǎn)、使用IGBT 成為
  • 關(guān)鍵字: UPS  應用  電源  間斷  器件  IGBT  功率  

PLD器件的應用

  • 10.4 PLD器件的應用10.4.1 可編程器件的開(kāi)發(fā)系統10.4.2 ABEL硬件描述語(yǔ)言一、ABEL源文件的結構二、ABEL的基本語(yǔ)法10.4.3 應用舉例10.4 PLD器件的應用10.4.1 可編程器件的開(kāi)發(fā)系統10.4.2 ABEL硬件描述語(yǔ)言一、ABEL源文
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半導體制程簡(jiǎn)史

  • 當線(xiàn)寬遠高于10微米時(shí),純凈度還不像今天的器件生產(chǎn)中那樣至關(guān)緊要。旦隨著(zhù)器件變得越來(lái)越集成, 超凈間也變得越來(lái)越干凈。今天,工廠(chǎng)內是加壓過(guò)濾空氣,來(lái)去除哪怕那些可能留在芯片上并形成缺陷的最小的粒子。半導體制造車(chē)間里的工人被要求著(zhù)超凈服來(lái)保護器件不被人類(lèi)污染。
  • 關(guān)鍵字: 半導體  器件  芯片  

基于IGBT器件的大功率DC/DC電源并聯(lián)技術(shù)研究

  • 中心議題: 大功率直流電源的拓撲結構 大功率直流電源的控制方案 電源的數據傳輸拓撲結構
    本文基于IGBT器件,利用DC/DC電源并聯(lián)技術(shù)設計大功率直流電源。該電源可用作EAST托卡馬克裝置中的大功率垂直位移快
  • 關(guān)鍵字: 電源  技術(shù)  研究  DC/DC  大功率  IGBT  器件  基于  

IGBT及其子器件的四種失效模式比較

  • 摘要:本文通過(guò)案例和實(shí)驗,概述了四種IGBT及其子器件的失效模式:MOS柵擊穿、IGBT-MOS閾值電壓漂移、IGBT有限次連續短路脈沖沖擊的積累損傷和靜電保護用高壓npn管的硅熔融。

    關(guān)鍵詞:柵擊穿 閾值電壓漂移 積累損傷 硅熔融

  • 關(guān)鍵字: 模式  比較  失效  器件  及其  IGBT  

IGBT及其子器件的四種失效模式介紹

  • IGBT及其子器件的四種失效模式介紹,本文通過(guò)案例和實(shí)驗,概述了四種IGBT及其子器件的失效模式:MOS柵擊穿、IGBT-MOS閾值電壓漂移、IGBT有限次連續短路脈沖沖擊的積累損傷和靜電保護用高壓npn管的硅熔融。

    關(guān)鍵詞:柵擊穿 閾值電壓漂移 積累損傷 硅熔融

  • 關(guān)鍵字: 模式  介紹  失效  器件  及其  IGBT  

嵌入式半導體器件混合信號測試策略

  • 嵌入式半導體器件混合信號測試策略, 混合信號技術(shù)給當今的半導體制造商們帶來(lái)了很多新挑戰,以前一些對數字電路只有很小影響的缺陷如今在嵌入式器件中卻可能大大改變模擬電路的功能,導致器件無(wú)法使用。為確保這些新型半導體器件達到“無(wú)缺陷rdquo
  • 關(guān)鍵字: 測試  策略  信號  混合  半導體  器件  嵌入式  

基于51單片機和可編程邏輯器件實(shí)現LED顯示屏的硬件設計

  • 0 引言L(fǎng)ED顯示屏主要由電流驅動(dòng)電路及LED點(diǎn)陣陣列、控制系統和PC端管理軟件三部分構成(圖1)??刂葡到y負責接收、轉換和處理各種外部信號,并實(shí)現掃描控制,然后驅動(dòng)LED點(diǎn)陣顯示需要的文字或圖案??刂葡到y作為L(cháng)ED顯
  • 關(guān)鍵字: LED  顯示屏  硬件  設計  實(shí)現  器件  單片機  可編程  邏輯  

高效能保護器件-TVS的特性及應用

  • 瞬態(tài)電壓抑制器(Transient Voltage Suppressor)簡(jiǎn)稱(chēng)TVS,是一種二極管形式的高效能保護器件,有的文獻上也為T(mén)VP、AJTVS、SAJTVS等。當TVS二極管的兩極受到反向瞬態(tài)高能量沖擊時(shí),它能以10-12秒量級的速度,將其兩極
  • 關(guān)鍵字: 特性  應用  -TVS  器件  保護  高效  

PC機電源內部器件分析

  • 要看電源是由什么組成的,最好的方法是我們打開(kāi)電源的外殼,看看電源的內部結構。1.二極管二極管組成,是將四個(gè)二極管封裝在一起。而后一種的方式就被稱(chēng)為全橋。全橋和二極管所能承受的最低耐壓程度和最大電流是有限
  • 關(guān)鍵字: 分析  器件  內部  電源  PC  

為5V 1-Wire®從器件提供過(guò)壓保護

  • 摘要:如果應用中是在完成系統部署后寫(xiě)入EPROM器件,此時(shí)需要對5V器件提供過(guò)壓保護。本文介紹如何在同一總線(xiàn)上使用1-Wire EPROM和5V 1-Wire器件,以及如何保護5V器件不受編程脈沖的沖擊。引言大多數1-Wire器件工作在
  • 關(guān)鍵字: Wire  reg  器件  過(guò)壓保護    

Oscium新WiPry系列選用賽普拉斯PSoC 3器件

  • 賽普拉斯半導體公司日前宣布 Oscium 在其面向 iPod touch、iPhone 和 iPad 的全新 WiPry 系列產(chǎn)品中選用了 PSoC 3 可編程片上系統。WiPry 系列是業(yè)界首款面向 iOS 設備的 RF 檢測設備,可將 iOS 設備轉變成為頻譜分析儀、動(dòng)態(tài)功率表或兼具二者功能的設備。WiPry 系列產(chǎn)品中的 PSoC 3 器件可無(wú)縫地管理賽普拉斯 WirelessUSB LP 收發(fā)器,并支持 Apple 專(zhuān)有的 MFi 協(xié)議,實(shí)現與 iOS 設備的通信。
  • 關(guān)鍵字: 賽普拉斯  器件  PSoC 3   
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