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納芯微新品，專(zhuān)門(mén)用于驅動(dòng)E?mode（增強型）GaN 開(kāi)關(guān)管的半橋芯片NSD2621
- 前言現階段的大多數 GaN 電源系統都是由多個(gè)芯片組成。GaN 器件在電路板上組裝前采用分立式的元件組裝會(huì )產(chǎn)生寄生電感，從而影響器件的性能。例如驅動(dòng)器會(huì )在單獨的芯片上帶有驅動(dòng)器的分立晶體管，受到驅動(dòng)器輸出級和晶體管輸入之間以及半橋開(kāi)關(guān)節點(diǎn)之間的寄生電感的影響，同時(shí)GaN HEMT 具有非常高的開(kāi)關(guān)速度，如果寄生電感未被抑制，將會(huì )導致信號傳輸的波動(dòng)。近日，納芯微推出了兩款全新的GaN相關(guān)產(chǎn)品，分別是GaN驅動(dòng)NSD2621，一顆高壓半橋柵極驅動(dòng)芯片，專(zhuān)門(mén)用于驅動(dòng)E?mode（增強型）GaN 開(kāi)關(guān)管；集成化的
- 關(guān)鍵字： GaN 納芯微 半橋驅動(dòng)芯片
納芯微全新推出GaN相關(guān)產(chǎn)品NSD2621和NSG65N15K
- 納芯微全新推出GaN相關(guān)產(chǎn)品，包含GaN驅動(dòng)NSD2621與集成化的Power Stage產(chǎn)品NSG65N15K，均可廣泛適用于快充、儲能、服務(wù)器電源等多種GaN應用場(chǎng)景。其中，NSD2621是一顆高壓半橋柵極驅動(dòng)芯片，專(zhuān)門(mén)用于驅動(dòng)E?mode（增強型）GaN 開(kāi)關(guān)管；NSG65N15K是一顆集成化的Power Stage產(chǎn)品，內部集成了高壓半橋驅動(dòng)器和兩顆650V耐壓的GaN開(kāi)關(guān)管。NSD2621產(chǎn)品特性： 01. SW引腳耐壓±700V 02. 峰值驅動(dòng)電流2A/-4A 03.&n
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基于安森美半導體高頻率準諧振NCP1342搭配GaN的65W PD電源適配器
- 電源適配器曾在電子產(chǎn)品中占據相當大的空間，而市場(chǎng)對于高功率密度的需求也正日益增高。過(guò)去硅(silicon)電源技術(shù)的發(fā)展與創(chuàng )新曾大幅縮減產(chǎn)品尺寸，但卻難有更進(jìn)一步的突破。在現今的尺寸規格下，硅材料已無(wú)法在所需的頻率下輸出更高的功率。對于未來(lái)的5G無(wú)線(xiàn)網(wǎng)絡(luò )、機器人，以及再生能源至數據中心技術(shù)，功率將是關(guān)鍵的影響因素。GaN作為款能帶隙材質(zhì)，在電子遷移率遠遠高于硅，輸出電容也大大小于硅，致使其可工作在更高頻率以致變壓器尺寸可以做的更小來(lái)實(shí)現更高功率的小尺寸電源。?場(chǎng)景應用圖?產(chǎn)品實(shí)體圖?方案方塊圖?核心技術(shù)優(yōu)
- 關(guān)鍵字： 安森美 NCP1342 PD QR 高頻率 GaN
基于安森美半導體有源鉗位的NCP1568搭配GaN的65W PD電源適配器
- 電源適配器曾在電子產(chǎn)品中占據相當大的空間，而市場(chǎng)對于高功率密度的需求也正日益增高。過(guò)去硅(silicon)電源技術(shù)的發(fā)展與創(chuàng )新曾大幅縮減產(chǎn)品尺寸，但卻難有更進(jìn)一步的突破。在現今的尺寸規格下，硅材料已無(wú)法在所需的頻率下輸出更高的功率。對于未來(lái)的5G無(wú)線(xiàn)網(wǎng)絡(luò )、機器人，以及再生能源至數據中心技術(shù)，功率將是關(guān)鍵的影響因素。GaN作為款能帶隙材質(zhì)，在電子遷移率遠遠高于硅，輸出電容也大大小于硅，致使其可工作在更高頻率以致變壓器尺寸可以做的更小來(lái)實(shí)現更高功率的小尺寸電源。?場(chǎng)景應用圖?展示板照片?方案方塊圖?核心技術(shù)優(yōu)
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世平基于安森美半導體 NCP51820 650V Hi-Low Side GaN MOS Driver 應用于小型化工業(yè)電源供應器方案
- 安森美GAN_Fet驅動(dòng)方案(NCP51820)。 數十年來(lái)，硅來(lái)料一直統治著(zhù)電晶體世界。但這個(gè)狀況在發(fā)現了砷化鎵（GaAs）和砷化鎵、磷（GaAsP）等不同特性的材料后,已經(jīng)逐漸開(kāi)始改變。由開(kāi)發(fā)了由兩種或三種材料制成的化合物半導體，它們具有獨特的優(yōu)勢和優(yōu)越的特性。但問(wèn)題在于化合物半導體更難制造且更昂貴。雖然它們比硅具有明顯的優(yōu)勢。作為解決方案出現的兩個(gè)化合物半導體器件是氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）功率電晶體。這些器件可與壽命長(cháng)的硅功率LDMOS MOSFET和超結MOSFET競爭。GaN和SiC器
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英飛凌推出業(yè)界首款PFC和混合反激式組合IC，提高基于GaN的USB-C EPR適配器與充電器的性能
- 【2022年11月24日，德國慕尼黑訊】USB供電（USB-PD）已成為快速充電以及使用統一Type-C連接器為各種移動(dòng)和電池供電設備供電的主流標準。在最新發(fā)布的USB-PD rev 3.1標準中，擴展功率范圍（EPR）規格可支持寬輸出電壓范圍和高功率傳輸。統一化和大功率容量再加上低系統成本的小外型尺寸已成為推動(dòng)適配器和充電器市場(chǎng)發(fā)展的主要驅動(dòng)力。為了加速這一趨勢，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出全新XDP?數字電源XDPS2221。這款用于USB-PD的高度集
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 PFC和混合反激式組合IC GaN USB-C EPR適配器
基于安森美半導體NCP1342驅動(dòng)GAN--65W 1A1C -超小尺寸PD快充電源方案
- 此電源設計最大輸出功率為65W，配備1A1C雙口輸出，單USB-C口輸出65W（20V/3.25A），單USB-A口輸出；雙口同時(shí)輸出時(shí)，C+A同降為5V方案全系列采用雙面板、最簡(jiǎn)化設計理念,尺寸才51X51X31mm！上下兩片1.0mm左右厚銅散熱既滿(mǎn)足EMI又導熱好！通標變壓器設計，21V效率最高達到93%,驅動(dòng)與MOS均采用美國安森美半導體技術(shù)！?場(chǎng)景應用圖?展示板照片?方案方塊圖?C口支持協(xié)議?核心技術(shù)優(yōu)勢1.51.5*51.5*31 超小體積 功率密度：1.26cm3/W2. QR架構，COST
- 關(guān)鍵字： 安森美 NCP1342 65W PD GAN 1A1C 超小尺寸PD
格芯獲得3000萬(wàn)美元政府基金研發(fā)GaN芯片
- 據外媒《NBC》報道，近日，晶圓代工廠(chǎng)商格芯（GlobalFoundries）獲得3000萬(wàn)美元政府基金，在其佛蒙特州EssexJunction工廠(chǎng)研發(fā)和生產(chǎn)GaN芯片。該資金是2022年綜合撥款法案的一部分。這些芯片被用于智能手機、射頻無(wú)線(xiàn)基礎設施、電動(dòng)汽車(chē)、電網(wǎng)等領(lǐng)域。格芯稱(chēng)，電動(dòng)汽車(chē)的普及、電網(wǎng)升級改造以及5G、6G智能手機上更快的數據傳輸給下一代半導體帶來(lái)需求。格芯總裁兼首席執行官Thomas Caulfield表示，GaN芯片將比前幾代芯片能更好地處理高熱量和電力需求。Caulfield在一份聲
- 關(guān)鍵字： 格芯獲 GaN
GaN IC縮小電機驅動(dòng)器并加快eMobility、電動(dòng)工具、 機器人和無(wú)人機的上市時(shí)間
- EPC9176是一款基于氮化鎵器件的逆變器參考設計，增強了電機驅動(dòng)系統的性能、續航能力、精度和扭矩，同時(shí)簡(jiǎn)化設計。該逆變器尺寸極小，可集成到電機外殼中，從而實(shí)現最低的EMI、最高的功率密度和最輕盈。 宜普電源轉換公司（EPC）宣布推出EPC9176。這是一款三相BLDC電機驅動(dòng)逆變器，采用EPC23102 ePower? 功率級GaN IC，內含柵極驅動(dòng)器功能和兩個(gè)具有5.2 mΩ典型導通電阻的GaN FET。EPC9176在20 V和80 V之間的輸入電源電壓下工作，可提供高達28 Apk(2
- 關(guān)鍵字： GaN IC 電機驅動(dòng)器
世平安森美推出新一代GaN氮化鎵/SiC碳化硅MOSFET高壓隔離驅動(dòng)器NCP51561 應用于高頻小型化工業(yè)電源
- 現階段硅元件的切換頻率極限約為65~95kHz，工作頻率再往上升，將會(huì )導致硅MOSFET耗損、切換損失變大；再者Qg的大小也會(huì )影響關(guān)斷速度，而硅元件也無(wú)法再提升。因此開(kāi)發(fā)了由兩種或三種材料制成的化合物半導體GaN氮化鎵和SiC碳化硅功率電晶體，雖然它們比硅更難制造及更昂貴，但也具有獨特的優(yōu)勢和優(yōu)越的特性，使得這些器件可與壽命長(cháng)的硅功率LDMOS MOSFET和超結MOSFET競爭。GaN和SiC器件在某些方面相似，可以幫助下一個(gè)產(chǎn)品設計做出更適合的決定。?GaN氮化鎵是最接近理想的半導體開(kāi)關(guān)的器
- 關(guān)鍵字： GaN 氮化鎵 SiC 碳化硅 NCP51561 onsemi
功率GaN RF放大器的熱考慮因素
- 氮化鎵 (GaN) 是需要高頻率工作（高 Fmax）、高功率密度和高效率的應用的理想選擇。與硅相比，GaN 具有達 3.4 eV 的 3 倍帶隙，達 3.3 MV/cm 的 20 倍臨界電場(chǎng)擊穿，達 2,000 cm2/V·s 的 1.3 倍電子遷移率，這意味著(zhù)與 RDS(ON) 和擊穿電壓相同的硅基器件相比，GaN RF 高電子遷移率晶體管（HEMT）的尺寸要小得多。因此，GaN RF HEMT 的應用超出了蜂窩基站和國防雷達范疇，在所有 RF 細分市場(chǎng)中獲得應用。其中許多應用需要很長(cháng)的使用壽
- 關(guān)鍵字： Wolfspeed 放大器 GaN
使用集成 GaN 解決方案提高功率密度
- 氮化鎵 (GaN) 是電力電子行業(yè)的熱門(mén)話(huà)題，因為它可以使得 80Plus 鈦電源、3.8kW/L 電動(dòng)汽車(chē) (EV) 車(chē)載充電器和 EV 充電站等設計得以實(shí)現。在許多應用中， GaN 能夠提高功率密度和效率，因此它取代了傳統的硅金屬氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管 (MOSFET)。但由于 GaN 的電氣特性和它所能實(shí)現的性能，使用 GaN 進(jìn)行設計面臨與硅不同的一系列挑戰。不同類(lèi)型的 GaN FET 具有不同的器件結構。GaN FET 包括耗盡型 (d-mode)、增強型 (e-mode)、共源共柵型 (ca
- 關(guān)鍵字： TI GaN
大聯(lián)大友尚集團推出基于onsemi和GaN System產(chǎn)品的PD快充電源方案
- 2022年9月20日，致力于亞太地區市場(chǎng)的領(lǐng)先半導體元器件分銷(xiāo)商---大聯(lián)大控股宣布，其旗下友尚推出基于安森美（onsemi）NCP1623和NCP1343產(chǎn)品以及氮化鎵系統公司（GaN System）GS-065-011-2-L功率晶體管的PD快充電源方案。 圖示1-大聯(lián)大友尚基于onsemi和GaN System產(chǎn)品的PD快充電源方案的展示板圖 以手機、電腦為代表的移動(dòng)智能設備已經(jīng)成為人們日常生活的重要工具，然而隨著(zhù)這些設備所覆蓋的功能越來(lái)越多，設備有限的續航能力已經(jīng)無(wú)法滿(mǎn)足用戶(hù)對
- 關(guān)鍵字： 大聯(lián)大友尚 onsemi GaN System PD快充電源
使用集成GaN解決方案提高功率密度
- 氮化鎵 (GaN) 是電力電子行業(yè)的熱門(mén)話(huà)題，因為它可以使得 80Plus 鈦電源、3.8kW/L 電動(dòng)汽車(chē) (EV) 車(chē)載充電器和 EV 充電站等設計得以實(shí)現。在許多應用中， GaN 能夠提高功率密度和效率，因此它取代了傳統的硅金屬氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管 (MOSFET)。但由于 GaN 的電氣特性和它所能實(shí)現的性能，使用 GaN 進(jìn)行設計面臨與硅不同的一系列挑戰。不同類(lèi)型的 GaN FET 具有不同的器件結構。GaN FET 包括耗盡型 (d-mode)、增強型 (e-mode)、共源共柵型 (ca
- 關(guān)鍵字： 德州儀器 GaN 功率密度
GaN將在數據服務(wù)器中挑起效率大梁
- 雖然增加可再生能源是全球的大趨勢，但這還不夠，能源效率是另一個(gè)重點(diǎn)領(lǐng)域，這是因為服務(wù)器及其冷卻系統對能源消耗，占據了數據中心將近40%的運營(yíng)成本。GaN具有獨特的優(yōu)勢，提供卓越的性能和效率，并徹底改變數據中心的配電和轉換、節能、減少對冷卻系統的需求，并最終使數據中心更具成本效益和可擴展性。數字化和云端服務(wù)的快速建置推動(dòng)了全球數據服務(wù)器的產(chǎn)業(yè)規模的成長(cháng)。今天，數據服務(wù)器消耗了全球近1%的電力，這個(gè)數字預計會(huì )不斷的成長(cháng)下去。次世代的產(chǎn)業(yè)趨勢，例如虛擬世界、增強實(shí)境和虛擬現實(shí)，所消耗大量電力將遠超現今地球上所能
- 關(guān)鍵字： GaN 數據服務(wù)器 效率
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