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氮化鎵（GaN）賦能D類(lèi)音頻放大器的未來(lái)

了解如何將氮化鎵（GaN）功率晶體管技術(shù)應用于D類(lèi)音頻放大器，可以提高信號保真度，降低功耗，并提供比硅更輕、更具成本效益的解決方案。在音頻工程中，放大器是傳遞強大、沉浸式聲音的核心設備。這些設備將低功率音頻信號轉換為豐富、高功率的輸出，從而驅動(dòng)從便攜式揚聲器到專(zhuān)業(yè)音響系統的一切設備。在過(guò)去十年中出現的各種放大器設計中，有一種脫穎而出：D類(lèi)放大器。以其高效性和廣泛使用而聞名，D類(lèi)技術(shù)主導了現代音頻領(lǐng)域。然而，即使是最受歡迎的放大器也有其局限性。當前的D類(lèi)音頻系統雖然效率很高，但在性能上仍面臨挑戰。D類(lèi)放大器
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GaN功率FET及背后柵極驅動(dòng)器在LiDAR傳感器中的作用

氮化鎵（GaN）功率器件因其超快的開(kāi)關(guān)速度和有限的寄生效應而成為 LiDAR 傳感器的核心構建模塊之一，從而在高總線(xiàn)電壓和窄脈沖寬度下實(shí)現高峰值電流。為了迎來(lái)自動(dòng)駕駛汽車(chē)的未來(lái)，必須在車(chē)輛系統內使用更先進(jìn)的傳感器。LiDAR 是檢測自動(dòng)駕駛汽車(chē)周?chē)矬w存在的更廣泛使用的傳感器之一，它是光檢測和測距的縮寫(xiě)，它從激光射出光并測量場(chǎng)景中的反射，有點(diǎn)像基于光的雷達。車(chē)輛的車(chē)載計算機可以使用這些數據來(lái)解釋汽車(chē)與周?chē)h(huán)境的關(guān)系以及道路上是否存在其他汽車(chē)和物體。LiDAR 傳感器必須基于一個(gè)非?？焖俚拈_(kāi)關(guān)，該開(kāi)關(guān)為
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50V耐壓GaN HEMT新增小型、高散熱TOLL封裝

全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）已將TOLL（TO-LeadLess）封裝的650V耐壓GaN HEMT*1“GNP2070TD-Z”投入量產(chǎn)。TOLL封裝不僅體積小，散熱性能出色，還具有優(yōu)異的電流容量和開(kāi)關(guān)特性，因此在工業(yè)設備、車(chē)載設備以及需要支持大功率的應用領(lǐng)域被越來(lái)越多地采用。此次，ROHM將封裝工序外包給了作為半導體后道工序供應商（OSAT）擁有豐富業(yè)績(jì)的日月新半導體（威海）有限公司（ATX SEMICONDUCTOR (WEIHAI) CO., LTD.，以下簡(jiǎn)稱(chēng)“ATX”）。
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日本電裝開(kāi)發(fā)出GaN 三電平汽車(chē)電驅方案

據日媒報道，名古屋大學(xué)和日本電裝公司利用橫向 GaN HEMT，合作開(kāi)發(fā)出了一種 800V 兼容逆變器（三相、三電平），主要用于驅動(dòng)使用的電動(dòng)汽車(chē)牽引電機（圖 1）。據了解，名古屋大學(xué)與松下控股、豐田合成、大阪大學(xué)和電裝合作，參與了日本環(huán)境省自 2022 年以來(lái)實(shí)施的項目“加速實(shí)現創(chuàng )新 CO? 減排材料的社會(huì )實(shí)施和傳播項目”。新開(kāi)發(fā)的高壓三電平逆變器是該項目努力的結果。圖1 ：電裝橫向 GaN HEMT 電驅逆變器（左）、單相降壓 DC-DC 轉換器運行時(shí)的開(kāi)關(guān)波形（右）。提高電動(dòng)汽車(chē)和混合動(dòng)力電動(dòng)汽車(chē)（
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復旦大學(xué)在Si CMOS+GaN單片異質(zhì)集成的探索

異質(zhì)異構Chiplet正成為后摩爾時(shí)代AI海量數據處理的重要技術(shù)路線(xiàn)之一，正引起整個(gè)半導體行業(yè)的廣泛關(guān)注，但這種方法要真正實(shí)現商業(yè)化，仍有賴(lài)于通用標準協(xié)議、3D建模技術(shù)和方法等。然而，以拓展摩爾定律為標注的模擬類(lèi)比芯片技術(shù)，在非尺寸依賴(lài)追求應用多樣性、多功能特點(diǎn)的現實(shí)需求，正在推動(dòng)不同半導體材料的異質(zhì)集成研究。為此，復旦大學(xué)微電子學(xué)院張衛教授、江南大學(xué)集成電路學(xué)院黃偉教授合作開(kāi)展了Si CMOS+GaN單片異質(zhì)集成的創(chuàng )新研究，并在近期國內重要會(huì )議上進(jìn)行報道。復旦大學(xué)微電子學(xué)院研究生杜文張、何漢釗、范文琪等
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650V耐壓GaN HEMT新增小型與高散熱TOLL封裝

全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）已將TOLL（TO-LeadLess）封裝的650V耐壓GaN HEMT*1“GNP2070TD-Z”投入量產(chǎn)。TOLL封裝不僅體積小，散熱性能出色，還具有優(yōu)異的電流容量和開(kāi)關(guān)特性，因此在工業(yè)設備、車(chē)載設備以及需要支持大功率的應用領(lǐng)域被越來(lái)越多地采用。此次，ROHM將封裝工序外包給了作為半導體后道工序供應商（OSAT）擁有豐富業(yè)績(jì)的日月新半導體（威海）有限公司（ATX SEMICONDUCTOR (WEIHAI) CO., LTD.，以下簡(jiǎn)稱(chēng)“ATX”）。
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技術(shù)洞察 | 邁向更綠色的未來(lái)：GaN技術(shù)的變革性影響

作者Nihit Bajaj 英飛凌科技 GaN產(chǎn)品高級總監校對宋清亮英飛凌科技大中華區消費、計算與通訊業(yè)務(wù)高級首席工程師過(guò)去幾十年間，人口和經(jīng)濟活動(dòng)的快速增長(cháng)推動(dòng)了全球能源消耗的穩步增長(cháng)，并且預計這一趨勢還將持續。這種增長(cháng)是線(xiàn)下與線(xiàn)上活動(dòng)共同作用的結果。因此，數據中心的快速擴張顯著(zhù)增加了全球電力需求。據估計，2022年全球數據中心耗電量約為240-340太瓦時(shí)（TWh）。近年來(lái)，全球數據中心的能源消耗以每年20-40%的速度持續增長(cháng) [1] 。圖1：1910年以來(lái)
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春晚科技「秧」光：人形機器人未來(lái)已來(lái)

在科技浪潮的推動(dòng)下，人形機器人正逐漸從幕后走向臺前。在 2025 央視春晚中，著(zhù)名電影導演張藝謀攜手杭州宇樹(shù)科技、新疆藝術(shù)學(xué)院帶來(lái)了一個(gè)名為《秧 BOT》的節目。舞臺上，宇樹(shù)科技的人形機器人與新疆藝術(shù)學(xué)院的舞蹈演員們默契共舞，人機互動(dòng)的奇妙場(chǎng)景，不僅帶來(lái)了一場(chǎng)別開(kāi)生面的視覺(jué)盛宴，展現出一種前所未有的科技美感，更讓觀(guān)眾真切感受到人形機器人時(shí)代的腳步正越來(lái)越近。這群 BOT 什么來(lái)頭？春晚舞臺上的《秧 BOT》節目，由 16 個(gè)靈動(dòng)的 BOT（機器人 robot 的簡(jiǎn)稱(chēng)）與 16 名技藝精湛的新疆藝術(shù)學(xué)院舞蹈
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日常生活中的工業(yè)技術(shù)：助力智能生活的幕后力量

大多數人在想象工業(yè)應用中的技術(shù)時(shí)，想到的是大型的機械和復雜的制造流程，這似乎與日常生活毫無(wú)關(guān)聯(lián)。然而通過(guò)實(shí)時(shí)控制，系統可以在規定的時(shí)間范圍內收集、處理數據并自行更新。智能感應可以檢測人員和機械，而邊緣人工智能 (AI) 可以快速、高效地做出決策。這些技術(shù)涵蓋從制造到物流的方方面面。它們就像超人一樣，從我們早上起床到晚上睡覺(jué)休息的這段時(shí)間里，在幕后悄悄地執行著(zhù)各種各樣的任務(wù)，讓我們的世界正常運轉。對我們的日常生活來(lái)說(shuō)，在工業(yè)應用中使用的技術(shù)與智能手機一樣重要且有益。它們?yōu)槲覀児澥×藭r(shí)間，增加了便利性；保護我
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國產(chǎn)1700V GaN器件進(jìn)一步打開(kāi)應用端市場(chǎng)

遠山半導體在連續推出幾款高壓GaN器件后，最終將他們最新款產(chǎn)品的額定電壓推向1700V，相較于之前的1200V器件又有了顯著(zhù)的提升。為了解決GaN器件常見(jiàn)的電流崩塌問(wèn)題，他們采用特有的極化超級結（PSJ: Polarization Super Junction）技術(shù)，并對工藝進(jìn)行進(jìn)一步優(yōu)化，使器件的額定工作電壓和工作電流得到更大的提升（1700V/30A）。本次測試采用遠山半導體提供的1700V/100mΩ規格GaN樣品,其可以輕松應對1000V輸入電壓下的開(kāi)關(guān)測試需求，在靜態(tài)測試條件下，1700V時(shí)測得
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邁向更綠色的未來(lái)：GaN技術(shù)的變革性影響

過(guò)去幾十年間，人口和經(jīng)濟活動(dòng)的快速增長(cháng)推動(dòng)了全球能源消耗的穩步增長(cháng)，并且預計這一趨勢還將持續。這種增長(cháng)是線(xiàn)下與線(xiàn)上活動(dòng)共同作用的結果。因此，數據中心的快速擴張顯著(zhù)增加了全球電力需求。據估計，2022 年全球數據中心耗電量約為240-340 太瓦時(shí)（TWh）。近年來(lái)，全球數據中心的能源消耗以每年20-40% 的速度持續增長(cháng)[1]。圖1 1910年以來(lái)全球二氧化碳排放量（單位：千兆噸）：總量（上）；按行業(yè)劃分（下）隨著(zhù)能源消耗的增加，相關(guān)的二氧化碳排放量也在2022年達到創(chuàng )紀錄的37 千兆噸。為應對這一問(wèn)題，
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深度 | GaN還是SiC，電氣工程師該如何選擇？

/ 編輯推薦 /氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET是近年來(lái)新興的功率半導體，相比于傳統的硅材料功率半導體，他們都具有許多非常優(yōu)異的特性：耐壓高，導通電阻小，寄生參數小等。他們也有各自與眾不同的特性：氮化鎵晶體管的極小寄生參數，極快開(kāi)關(guān)速度使其特別適合高頻應用。碳化硅MOSFET的易驅動(dòng)，高可靠等特性使其適合于高性能開(kāi)關(guān)電源中。本文基于英飛凌科技有限公司的氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET產(chǎn)品，對他們的結構、特性、兩者的應用差異等方面進(jìn)行了詳細的介紹。引言作為第三代功率半導體的絕代雙驕，氮化鎵晶體
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想提高高壓LED照明中的效率和功率密度？上GaN技術(shù)！

文章概述本文介紹了寬帶隙（ GaN ）技術(shù)在高壓 LED照明中的應用，以及如何解決效率和功率密度挑戰。文章重點(diǎn)討論了利用GaN技術(shù)的LED驅動(dòng)器架構的降壓部分，展示了如何通過(guò)寬帶隙技術(shù)提高效率和功率密度。文中還介紹了STMicroelectronics的MasterGaN系列，該系列將高電壓智能功率BCD工藝柵極驅動(dòng)器與高電壓GaN晶體管結合，簡(jiǎn)化了設計并提高了功率密度。事實(shí)證明，高壓LED照明可以有效地取代高強度放電 (HID
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“LiDAR激光雷達”為智慧物流賦能，羅姆“激光器+GaN”帶來(lái)安全精準

1? ?LiDAR（3D感測和距離感測）備受矚目在物流行業(yè)，物流需求持續擴大，但同時(shí)也面臨著(zhù)嚴重的勞動(dòng)力短缺問(wèn)題。越來(lái)越多的業(yè)內企業(yè)開(kāi)始考慮引進(jìn)智慧物流系統，利用AGV（無(wú)人搬運車(chē)）和AMR（自主移動(dòng)機器人）等執行工作。然而，也有很多企業(yè)擔心安全性和系統管理等方面的問(wèn)題。實(shí)際上，ISO 對功能安全的要求也很高，能夠確保安全性的智能感測技術(shù)和模塊已經(jīng)逐漸成為不可或缺的存在。在這種背景下，旨在構建更安全、更安心的智慧物流系統，并且能夠更精準地感測更遠的距離、不易受到陽(yáng)光干擾的激光雷達LiD
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Nexperia的AC/DC反激式控制器可實(shí)現更高功率密度的基于GaN的反激式轉換器

Nexperia今天推出了一系列新的AC/DC反激式控制器，進(jìn)一步壯大其不斷擴展的電源IC產(chǎn)品組合。NEX806/8xx和NEX8180x專(zhuān)為基于GaN的反激式轉換器而設計，用于PD(Power Delivery)快速充電器、適配器、壁式插座、條形插座、工業(yè)電源和輔助電源等設備以及其他需要高功率密度的AC/DC轉換應用。?NEX806xx/NEX808xx是準諧振/多模反激式控制器，可在寬VCC范圍(10-83V)下工作，而NEX81801/NEX81802是自適應同步整流控制器。這些IC可與N
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