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GaN在射頻功率領(lǐng)域會(huì )所向披靡嗎？
- 氮 化鎵(GaN)這種寬帶隙材料將引領(lǐng)射頻功率器件新發(fā)展并將砷化鎵(GaAs)和LDMOS(橫向擴散金屬氧化物半導體)器件變成昨日黃花?看到一些媒體 文章、研究論文、分析報告和企業(yè)宣傳文檔后你當然會(huì )這樣認為，畢竟，GaN比一般材料有高10倍的功率密度，而且有更高的工作電壓(減少了阻抗變換損 耗)，更高的效率并且能夠在高頻高帶寬下大功率射頻輸出，這就是GaN，無(wú)論是在硅基、碳化硅襯底甚至是金剛石襯底的每個(gè)應用都表現出色!帥呆了! 至少現在看是這樣，讓我們回顧下不同襯底風(fēng)格的GaN：硅基、碳化硅(S
- 關(guān)鍵字： GaN 射頻
導入Cascode結構 GaN FET打造高效率開(kāi)關(guān)
- 為提高高壓電源系統能源效率，半導體業(yè)者無(wú)不積極研發(fā)經(jīng)濟型高性能功率場(chǎng)效應電晶體（FET）；其中，采用Cascode結構的...
- 關(guān)鍵字： Cascode GaN 場(chǎng)效應管
英飛凌：GaN功率元件前景雖好，但采用為時(shí)尚早
- GaN被認為是下一代的功率元件，被賦予了代替SiC的神圣使命。但是近日，來(lái)自英飛凌的MarkMuenzer表示，其前景雖好，但是還沒(méi)到廣泛使用的時(shí)候，因它還有很多未被探索出來(lái)的部分。
- 關(guān)鍵字： GaN.功率元件
新一代SiC和GaN功率半導體競爭激烈
- 與現在的Si功率半導體相比，SiC及GaN等新一代功率半導體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時(shí)各企業(yè)也圍繞這些元件展開(kāi)了激烈的開(kāi)發(fā)競爭。 SiC功率半導體方面，在柵極設有溝道的溝道型MOSFET的開(kāi)發(fā)在2013年大幅加速。以前推出的SiC MOSFET只有平面型，尚未推出溝道型。溝道型MOSFET的導通電阻只有平面型的幾分之一，因此可以進(jìn)一步降低損耗。導通電阻降低后，采用比平面型更小的芯片面積即可獲得相同載流量。也
- 關(guān)鍵字： SiC GaN
元件開(kāi)發(fā)競爭激烈 亞洲企業(yè)紛紛涉足
- 與現在的Si功率半導體相比，SiC及GaN等新一代功率半導體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時(shí)各企業(yè)也圍繞這些元件展開(kāi)了激烈的開(kāi)發(fā)競爭。 SiC功率半導體方面，在柵極設有溝道的溝道型MOSFET的開(kāi)發(fā)在2013年大幅加速。以前推出的SiCMOSFET只有平面型，尚未推出溝道型。溝道型MOSFET的導通電阻只有平面型的幾分之一，因此可以進(jìn)一步降低損耗。導通電阻降低后，采用比平面型更小的芯片面積即可獲得相同載流量。也就
- 關(guān)鍵字： GaN 功率半導體
硅基GaN LED及光萃取技術(shù)實(shí)現高性?xún)r(jià)比照明
- 傳統的氮化鎵（GaN）LED元件通常以藍寶石或碳化硅（SiC）為襯底，因為這兩種材料與GaN的晶格匹配度較好，襯底常用尺寸為...
- 關(guān)鍵字： GaN LED 光萃取技術(shù)
未來(lái)十年GaN和SiC功率半導體市場(chǎng)將以18%的速度穩增
- 在未來(lái)十年，受電源、光伏(PV)逆變器以及工業(yè)電動(dòng)機的需求驅動(dòng)，新興的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導體市場(chǎng)將以18%的驚人速度穩步增長(cháng)。 據有關(guān)報告稱(chēng)，至2022年SiC和GaN功率半導體的全球銷(xiāo)售額將從2012年的1.43億美元增加到28億美元。據預測，未來(lái)十年這一市場(chǎng)的銷(xiāo)售額將實(shí)現兩位數的年增長(cháng)率。 SiC肖特基二極管已存在十多年，SiC金氧半場(chǎng)效晶體管(MOSFET)、結晶性場(chǎng)效應晶體管(JFET)和雙極型晶體管(BJT)在最近幾年出現。GaN功率半導體則剛剛進(jìn)入市場(chǎng)。G
- 關(guān)鍵字： GaN 半導體 SiC
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