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gan fet 文章 進(jìn)入gan fet技術(shù)社區
連接與電源：新Qorvo為行業(yè)提供更全面的解決方案
- ３月下旬，全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應商 Qorvo? 在京召開(kāi)了以“連接與電源——新主題、新Qorvo”的媒體活動(dòng)。通過(guò)此次活動(dòng)，Qorvo旨在向業(yè)內介紹Qorvo在自身移動(dòng)產(chǎn)品和基礎設施應用上的射頻領(lǐng)導地位進(jìn)面向電源、物聯(lián)網(wǎng)和汽車(chē)等領(lǐng)域的最新進(jìn)展。Matter出世，化解萬(wàn)物互聯(lián)生態(tài)壁壘物聯(lián)網(wǎng)讓我們曾經(jīng)暢想的萬(wàn)物互聯(lián)生活逐漸成為現實(shí)，但要將數以百億計的設備進(jìn)行有效的互聯(lián)還面臨巨大壁壘，Matter 標準的出現打破了這個(gè)局面。作為Matter的積極參與者，Qorvo 率先打造符合 Matter 標準的
- 關(guān)鍵字： Qorvo Matter SiC FET UWB
GaN 出擊
- 自上世紀五十年代以來(lái)，以硅材料為代表的第一代半導體材料取代了笨重的電子管引發(fā)了以集成電路為核心的微電子領(lǐng)域迅速發(fā)展。隨著(zhù)時(shí)間的流逝，盡管目前業(yè)內仍然以 Si 材料作為主流半導體材料，但第二代、第三代甚至是第四代半導體材料都紛沓而至。這其中又以第三代半導體材料——氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）受到大眾關(guān)注。近段時(shí)間，GaN 方面又有了新進(jìn)展。本土 GaN 企業(yè)快速發(fā)展3 月 2 日，英飛凌宣布收購氮化鎵公司 GaN Systems，交易總值 8.3 億美元（約 57.3 億人民幣）。根據公告，英飛凌計劃
- 關(guān)鍵字： GaN SiC
基于Navitas NV6115的150W電源解決方案
- 傳統的功率半導體被設計用來(lái)提升系統的效率以及減少能量損失?？墒菍?shí)際上，出于兩個(gè)方面的原因-傳導和開(kāi)關(guān)切換，設備可能會(huì )出現能量損失。GaN FET為第三代功率半導體技術(shù)，其改善開(kāi)關(guān)切換的延遲時(shí)間。納微（Navitas）半導體公司是世界上第一家的氮化鎵（ GaN ）功率芯片公司。所謂的氮化鎵功率芯片，其中 GaN 驅動(dòng)器、GaN FET 和 GaN 邏輯單元的單片集成，并全部采用 650V GaN 工藝，從而實(shí)現許多軟開(kāi)關(guān)拓撲和應用中的高速、高頻率、高效率操作。該方案采用NV6115 與 NV6117 氮化鎵
- 關(guān)鍵字： NAVITAS NV6115 NV6117 GAN
GaN 良率受限，難以取代 IGBT
- GaN 要快速擴散至各應用領(lǐng)域，仍有層層關(guān)卡待突破。
- 關(guān)鍵字： GaN
市場(chǎng)規模節節攀升，第三代半導體成收購的熱門(mén)賽道
- 以碳化硅與氮化鎵為代表的第三代半導體市場(chǎng)正如火如荼地發(fā)展著(zhù)，而“圍墻”之外的企業(yè)亦對此賽道十分看重。近日，中瓷電子資產(chǎn)重組重新恢復審核，其對第三代半導體業(yè)務(wù)的開(kāi)拓有了新的進(jìn)展。3月6日，中瓷電子發(fā)布了《發(fā)行股份購買(mǎi)資產(chǎn)并募集配套資金暨關(guān)聯(lián)交易報告書(shū)（草案）（修訂稿）》。根據該修訂稿，中瓷電子擬以發(fā)行股份的方式，購買(mǎi)博威公司73.00%股權、氮化鎵通信基站射頻芯片業(yè)務(wù)資產(chǎn)及負債、國聯(lián)萬(wàn)眾94.6029%股權。事實(shí)上，除中瓷電子外，近來(lái)還有許多企業(yè)選擇以收購的方式，布局或擴大第三代半導體業(yè)務(wù)。2023年3月2
- 關(guān)鍵字： 第三代半導體 收購 SiC GaN
GaN 時(shí)代來(lái)了？
- 隨著(zhù)特斯拉宣布其下一代 EV 動(dòng)力總成系統的 SiC 組件使用量減少 75%，預計第三代化合物半導體市場(chǎng)狀況將發(fā)生變化，GaN 被認為會(huì )產(chǎn)生后續替代效應。據業(yè)內消息人士透露，這有望使臺積電、世界先進(jìn)半導體 (VIS) 和聯(lián)華電子受益，它們已經(jīng)進(jìn)行了早期部署，并繼續擴大其 8 英寸加工 GaN 器件的產(chǎn)能。GaN 和 SiC 的比較GaN 和 SiC 滿(mǎn)足市場(chǎng)上不同的功率需求。SiC 器件可提供高達 1200V 的電壓等級，并具備高載流能力，因此非常適合汽車(chē)和機車(chē)牽引逆變器、高功率太陽(yáng)能發(fā)電場(chǎng)和大型三相電網(wǎng)
- 關(guān)鍵字： GaN SiC
用于 GaN HEMT 的超快分立式短路保護
- 當今的行業(yè)需要緊湊且速度更快的電子電路，這些電路可以在高性能計算機、電動(dòng)汽車(chē)、數據中心和高功率電機驅動(dòng)等高功率應用中實(shí)施。實(shí)現這一壯舉的方法是提高電子設備的功率密度。硅基MOSFET具有較低的開(kāi)關(guān)速度和熱效率；因此，如果不增加尺寸并因此影響功率密度，它們就不能用于高功率應用。這就是基于氮化鎵 (GaN) 的高電子遷移率晶體管 (HEMT) 用于制造高功率密度電子產(chǎn)品的地方，適用于各行各業(yè)的不同應用。當今的行業(yè)需要緊湊且速度更快的電子電路，這些電路可以在高性能計算機、電動(dòng)汽車(chē)、數據中心和高功率電機驅動(dòng)等高功
- 關(guān)鍵字： GaN HEMT 短路保護
英飛凌將收購氮化鎵系統公司（GaN Systems）
- 【2023 年 03 月 03日，德國慕尼黑和加拿大渥太華訊】英飛凌科技股份公司（FSE 代碼：IFX / OTCQX 代碼：IFNNY）和氮化鎵系統公司（GaN Systems）聯(lián)合宣布，雙方已簽署最終協(xié)議。根據該協(xié)議，英飛凌將斥資 8.3 億美元收購氮化鎵系統公司。氮化鎵系統公司是全球領(lǐng)先的科技公司，致力于為功率轉換應用開(kāi)發(fā)基于氮化鎵的解決方案。該公司總部位于加拿大渥太華，擁有 200 多名員工。 英飛凌科技首席執行官 Jochen Hanebeck 表示：“氮化鎵技術(shù)為打造更加
- 關(guān)鍵字： 英飛凌將 氮化鎵系統公司 GaN Systems 氮化鎵產(chǎn)品
幾個(gè)氮化鎵GaN驅動(dòng)器PCB設計必須掌握的要點(diǎn)
- NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅動(dòng)器，能夠以高達 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅動(dòng)氮化鎵（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“GaN”）功率開(kāi)關(guān)。之前我們簡(jiǎn)單介紹過(guò)氮化鎵GaN驅動(dòng)器的PCB設計策略概要，本文將為大家重點(diǎn)說(shuō)明利用 NCP51820 設計高性能 GaN 半橋柵極驅動(dòng)電路必須考慮的 PCB 設計注意事項。本設計文檔其余部分引用的布線(xiàn)示例將使用含有源極開(kāi)爾文連接引腳的 GaNFET 封裝。VDD 電容VDD 引腳應有兩個(gè)盡可能靠近 VDD 引腳放置的陶瓷電容。如圖 7 所示，較低值的高頻旁路電
- 關(guān)鍵字： 安森美 GaN 驅動(dòng)器 PCB
氮化鎵GaN驅動(dòng)器的PCB設計策略概要
- NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅動(dòng)器，能夠以高達 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅動(dòng)氮化鎵（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“GaN”） 功率開(kāi)關(guān)。只有合理設計能夠支持這種功率開(kāi)關(guān)轉換的印刷電路板 (PCB) ，才能實(shí)現實(shí)現高電壓、高頻率、快速dV/dt邊沿速率開(kāi)關(guān)的全部性能優(yōu)勢。本文將簡(jiǎn)單介紹NCP51820及利用 NCP51820 設計高性能 GaN 半橋柵極驅動(dòng)電路的 PCB 設計要點(diǎn)。NCP51820 是一款全功能專(zhuān)用驅動(dòng)器，為充分發(fā)揮高電子遷移率晶體管 (HEMT) GaNFET 的開(kāi)關(guān)性能而
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納芯微新品，專(zhuān)門(mén)用于驅動(dòng)E?mode（增強型）GaN 開(kāi)關(guān)管的半橋芯片NSD2621
- 前言現階段的大多數 GaN 電源系統都是由多個(gè)芯片組成。GaN 器件在電路板上組裝前采用分立式的元件組裝會(huì )產(chǎn)生寄生電感，從而影響器件的性能。例如驅動(dòng)器會(huì )在單獨的芯片上帶有驅動(dòng)器的分立晶體管，受到驅動(dòng)器輸出級和晶體管輸入之間以及半橋開(kāi)關(guān)節點(diǎn)之間的寄生電感的影響，同時(shí)GaN HEMT 具有非常高的開(kāi)關(guān)速度，如果寄生電感未被抑制，將會(huì )導致信號傳輸的波動(dòng)。近日，納芯微推出了兩款全新的GaN相關(guān)產(chǎn)品，分別是GaN驅動(dòng)NSD2621，一顆高壓半橋柵極驅動(dòng)芯片，專(zhuān)門(mén)用于驅動(dòng)E?mode（增強型）GaN 開(kāi)關(guān)管；集成化的
- 關(guān)鍵字： GaN 納芯微 半橋驅動(dòng)芯片
納芯微全新推出GaN相關(guān)產(chǎn)品NSD2621和NSG65N15K
- 納芯微全新推出GaN相關(guān)產(chǎn)品，包含GaN驅動(dòng)NSD2621與集成化的Power Stage產(chǎn)品NSG65N15K，均可廣泛適用于快充、儲能、服務(wù)器電源等多種GaN應用場(chǎng)景。其中，NSD2621是一顆高壓半橋柵極驅動(dòng)芯片，專(zhuān)門(mén)用于驅動(dòng)E?mode（增強型）GaN 開(kāi)關(guān)管；NSG65N15K是一顆集成化的Power Stage產(chǎn)品，內部集成了高壓半橋驅動(dòng)器和兩顆650V耐壓的GaN開(kāi)關(guān)管。NSD2621產(chǎn)品特性： 01. SW引腳耐壓±700V 02. 峰值驅動(dòng)電流2A/-4A 03.&n
- 關(guān)鍵字： 納芯微 GaN
基于安森美半導體高頻率準諧振NCP1342搭配GaN的65W PD電源適配器
- 電源適配器曾在電子產(chǎn)品中占據相當大的空間，而市場(chǎng)對于高功率密度的需求也正日益增高。過(guò)去硅(silicon)電源技術(shù)的發(fā)展與創(chuàng )新曾大幅縮減產(chǎn)品尺寸，但卻難有更進(jìn)一步的突破。在現今的尺寸規格下，硅材料已無(wú)法在所需的頻率下輸出更高的功率。對于未來(lái)的5G無(wú)線(xiàn)網(wǎng)絡(luò )、機器人，以及再生能源至數據中心技術(shù)，功率將是關(guān)鍵的影響因素。GaN作為款能帶隙材質(zhì)，在電子遷移率遠遠高于硅，輸出電容也大大小于硅，致使其可工作在更高頻率以致變壓器尺寸可以做的更小來(lái)實(shí)現更高功率的小尺寸電源。?場(chǎng)景應用圖?產(chǎn)品實(shí)體圖?方案方塊圖?核心技術(shù)優(yōu)
- 關(guān)鍵字： 安森美 NCP1342 PD QR 高頻率 GaN
基于安森美半導體有源鉗位的NCP1568搭配GaN的65W PD電源適配器
- 電源適配器曾在電子產(chǎn)品中占據相當大的空間，而市場(chǎng)對于高功率密度的需求也正日益增高。過(guò)去硅(silicon)電源技術(shù)的發(fā)展與創(chuàng )新曾大幅縮減產(chǎn)品尺寸，但卻難有更進(jìn)一步的突破。在現今的尺寸規格下，硅材料已無(wú)法在所需的頻率下輸出更高的功率。對于未來(lái)的5G無(wú)線(xiàn)網(wǎng)絡(luò )、機器人，以及再生能源至數據中心技術(shù)，功率將是關(guān)鍵的影響因素。GaN作為款能帶隙材質(zhì)，在電子遷移率遠遠高于硅，輸出電容也大大小于硅，致使其可工作在更高頻率以致變壓器尺寸可以做的更小來(lái)實(shí)現更高功率的小尺寸電源。?場(chǎng)景應用圖?展示板照片?方案方塊圖?核心技術(shù)優(yōu)
- 關(guān)鍵字： 安森美 有源鉗位 NCP1568 GaN PD電源 適配器
世平基于安森美半導體 NCP51820 650V Hi-Low Side GaN MOS Driver 應用于小型化工業(yè)電源供應器方案
- 安森美GAN_Fet驅動(dòng)方案(NCP51820)。 數十年來(lái)，硅來(lái)料一直統治著(zhù)電晶體世界。但這個(gè)狀況在發(fā)現了砷化鎵（GaAs）和砷化鎵、磷（GaAsP）等不同特性的材料后,已經(jīng)逐漸開(kāi)始改變。由開(kāi)發(fā)了由兩種或三種材料制成的化合物半導體，它們具有獨特的優(yōu)勢和優(yōu)越的特性。但問(wèn)題在于化合物半導體更難制造且更昂貴。雖然它們比硅具有明顯的優(yōu)勢。作為解決方案出現的兩個(gè)化合物半導體器件是氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）功率電晶體。這些器件可與壽命長(cháng)的硅功率LDMOS MOSFET和超結MOSFET競爭。GaN和SiC器
- 關(guān)鍵字： NCP51820 安森美 半導體 電源供應器 GaN MOS Driver
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