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gan fet 文章 進(jìn)入gan fet技術(shù)社區
Transphorm推出SuperGaN FET低成本驅動(dòng)器方案
- 加利福尼亞州戈萊塔 – 2023 年 6 月 15 日 –新世代電力系統的未來(lái), 氮化鎵（GaN）功率轉換產(chǎn)品的全球領(lǐng)先供應商Transphorm, Inc.（Nasdaq: TGAN）發(fā)布了一款高性能、低成本的驅動(dòng)器解決方案。這款設計方案面向中低功率的應用，適用于LED照明、充電、微型逆變器、UPS和電竟電腦，加強了公司在這個(gè)30億美元電力市場(chǎng)客戶(hù)的價(jià)值主張。 不同于同類(lèi)競爭的 e-mode GaN 解決方案需要采用定制驅動(dòng)器或柵極保護器件的電平移位電路，Transphorm 的 SuperG
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第三代半導體高歌猛進(jìn)，誰(shuí)將受益？
- “現在的新車(chē)，只要能用碳化硅的地方，便不會(huì )再用傳統功率器件”。功率半導體大廠(chǎng)意法半導體（ST）曾以此言表達碳化硅于新能源汽車(chē)市場(chǎng)的重要性。當下，在全球半導體行業(yè)的逆流中，第三代半導體正閃爍著(zhù)獨特的光芒，作為其代表物的碳化硅和氮化鎵順勢成為耀眼的存在。在此賽道上，各方紛紛加大馬力，堅定下注，一部關(guān)于第三代半導體的爭奪劇集已經(jīng)開(kāi)始上演。一、三代半方興未艾產(chǎn)業(yè)進(jìn)入高速成長(cháng)期近日，科學(xué)技術(shù)部黨組成員、副部長(cháng)相里斌在2023中關(guān)村論壇上表示，2022年在全球疫情和需求端疲軟等多重因素影響下，全球半導體產(chǎn)業(yè)進(jìn)入下行周
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泰克推出基于示波器的雙脈沖測試解決方案， 加快SiC和GaN技術(shù)驗證速度
- 中國北京，2023年5月31日—— 全球領(lǐng)先的測試測量解決方案提供商泰克科技公司日前宣布，推出最新雙脈沖測試解決方案 (WBG-DPT解決方案)。各種新型寬禁帶開(kāi)關(guān)器件正推動(dòng)電動(dòng)汽車(chē)、太陽(yáng)能、工控等領(lǐng)域快速發(fā)展，泰克WBG-DPT解決方案能夠對寬禁帶器件（如SiC和GaN MOSFETs）提供自動(dòng)可重復的、高精度測量功能。下一代功率轉換器設計師現在能夠利用WBG-DPT解決方案，滿(mǎn)懷信心地迅速優(yōu)化自己的設計。WBG-DPT解決方案能夠在泰克4系、5系、6系MSO示波器上運行，并能夠無(wú)縫集成到示波器測量系統
- 關(guān)鍵字： 泰克 示波器 雙脈沖測試 SiC GaN
Transphorm發(fā)布業(yè)界首款1200伏GaN-on-Sapphire器件的仿真模型
- 加州戈利塔--(2023年5月31日)-- 高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉換產(chǎn)品的先鋒企業(yè)和全球供應商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)宣布推出其1200伏功率管仿真模型及初始規格書(shū)。TP120H070WS功率管是迄今為止推出的唯一一款1200伏GaN-on-Sapphire功率半導體，領(lǐng)先同類(lèi)產(chǎn)品。這款產(chǎn)品的發(fā)布展現Transphorm有能力支持未來(lái)的汽車(chē)電力系統，以及已普遍用于工業(yè)、數據通信和可再生能源市場(chǎng)的三相電力系統。與替代技術(shù)相比，這些應用可受益于1
- 關(guān)鍵字： Transphorm 1200伏 GaN-on-Sapphire器件 常關(guān)型 氮化鎵.三相電力系統
使用開(kāi)爾文連接提高 SiC FET 的開(kāi)關(guān)效率
- 碳化硅 (SiC) 等寬帶隙器件可實(shí)現能夠保持高功率密度的晶體管，但需要使用低熱阻封裝，比如 TO-247。然而，此類(lèi)封裝的連接往往會(huì )導致較高的電感。閱讀本博文，了解如何謹慎使用開(kāi)爾文連接技術(shù)以解決電感問(wèn)題。這篇博客文章最初由 United Silicon Carbide (UnitedSiC) 發(fā)布，該公司于 2021 年 11 月加入 Qorvo 大家庭。UnitedSiC 是一家領(lǐng)先的碳化硅 (SiC) 功率半導體制造商，它的加入促使 Qorvo 將業(yè)務(wù)擴展到電動(dòng)汽車(chē) (EV)、工業(yè)電源、電路保護、
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EPC起訴英諾賽科，要求保護氮化鎵(GaN)專(zhuān)利
- 案例聚焦新一代替代硅技術(shù)?(加利福尼亞州，埃爾塞貢多）-- 氮化鎵（GaN）技術(shù)的全球領(lǐng)導者宜普電源轉換公司（Efficient Power Conversion Corporation, EPC，以下簡(jiǎn)稱(chēng)宜普公司）于今日向美國聯(lián)邦法院和美國國際 貿易委員會(huì )（U.S. International Trade Commission, ITC）提起訴訟，主張其基礎專(zhuān)利組合中的 四項專(zhuān)利受到英諾賽科（珠海）科技有限公司及其子公司（以下統稱(chēng)英諾賽科）侵犯。 這些專(zhuān)利 涉及宜普公司獨家的增強型氮化
- 關(guān)鍵字： 宜普電源 EPC 英諾賽科 氮化鎵 GaN
ROHM開(kāi)始量產(chǎn)具有業(yè)界超高性能的650V耐壓GaN HEMT
- 全球知名半導體制造商ROHM（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“ROHM”）將650V耐壓的GaN（Gallium Nitride：氮化鎵）HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量產(chǎn)，這兩款產(chǎn)品非常適用于服務(wù)器和AC適配器等各種電源系統。據悉，電源和電機的用電量占全世界用電量的一大半，為實(shí)現無(wú)碳社會(huì )，如何提高它們的效率已成為全球性的社會(huì )問(wèn)題。而功率元器件是提高它們效率的關(guān)鍵，SiC （Silicon Carbide：碳化硅）和GaN等新材料在進(jìn)一步提升各種電源效率方面被寄予厚望。2022年，RO
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意法半導體發(fā)布靈活可變的隔離式降壓轉換器芯片
- 2023 年 5月 16 日，中國 —— 意法半導體發(fā) L6983i 10W 隔離降壓 (iso-buck) 轉換器芯片具有能效高、尺寸緊湊，以及低靜態(tài)電流、3.5V-38V 寬輸入電壓等優(yōu)勢。L6983i適合需要隔離式 DC-DC 轉換器應用，采用隔離降壓拓撲結構，需要的外部組件比傳統隔離式反激式轉換器少，并且不需要光耦合器，從而節省了物料清單成本和 PCB面積。 L6983i 的其他優(yōu)勢包括 2μA 關(guān)斷電流，集成軟啟動(dòng)時(shí)間可調、內部環(huán)路補償、電源正常指示，以及過(guò)流保護、熱關(guān)斷等保護功能。擴
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EPC新推基于GaN FET的150 ARMS電機驅動(dòng)器參考設計
- 基于氮化鎵器件的EPC9186逆變器參考設計增強了高功率應用的電機系統性能、精度、扭矩和可實(shí)現更長(cháng)的續航里程。宜普電源轉換公司(EPC)新推EPC9186，這是一款采用EPC2302 eGaN?FET的三相BLDC電機驅動(dòng)逆變器。EPC9186支持14 V~ 80 V的寬輸入直流電壓。大功率EPC9186支持電動(dòng)滑板車(chē)、小型電動(dòng)汽車(chē)、農業(yè)機械、叉車(chē)和大功率無(wú)人機等應用。EPC9186在每個(gè)開(kāi)關(guān)位置使用四個(gè)并聯(lián)的EPC2302，可提供高達200 Apk的最大輸出電流。EPC9186包含所有必要的關(guān)鍵功能電路
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Nexperia推出支持低壓和高壓應用的E-mode GAN FET
- 奈梅亨，2023年5月10日：基礎半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia今天宣布推出首批支持低電壓(100/150 V)和高電壓(650 V)應用的E-mode（增強型）功率GaN FET。Nexperia在其級聯(lián)型氮化鎵產(chǎn)品系列上增加了七款新型E-mode器件，從GaN FET到其他硅基功率器件，Nexperia豐富的產(chǎn)品組合能為設計人員提供最佳的選擇。 Nexperia的新產(chǎn)品包括五款額定電壓為650 V的E-mode GaN FET（RDS(on)值介于80 mΩ至19
- 關(guān)鍵字： Nexperia E-mode GAN FET
深挖 GaN 潛力，中國企業(yè)別掉隊
- 氮化鎵（GaN）是一種寬禁帶半導體材料，其禁帶寬度達到 3.4eV，是最具代表性的第三代半導體材料。除了更寬的禁帶寬度，氮化鎵還具備更高的擊穿電場(chǎng)、更高的熱導率、更高的電子飽和速率，以及更優(yōu)的抗輻照能力，這些特性對于電力電子、射頻和光電子應用有獨特優(yōu)勢。GaN 產(chǎn)業(yè)上游主要包括襯底與外延片的制備，下游是 GaN 芯片元器件的設計和制造。襯底的選擇對于器件性能至關(guān)重要，襯底也占據了大部分成本，因而襯底制備是降低 GaN 器件成本的突破口。襯底GaN 單晶襯底以 2-4 英寸為主，4 英寸已實(shí)現商用，6 英寸
- 關(guān)鍵字： GaN-on-Si 氮化鎵
氮化鎵 (GaN) 帶來(lái)電源管理變革的 3 大原因
- 作為提供不間斷連接的關(guān)鍵，許多數據中心依賴(lài)于日益流行的半導體技術(shù)來(lái)提高能效和功率密度。?氮化鎵技術(shù)，通常稱(chēng)為 GaN，是一種寬帶隙半導體材料，越來(lái)越多地用于高電壓應用。這些應用需要具有更大功率密度、更高能效、更高開(kāi)關(guān)頻率、更出色熱管理和更小尺寸的電源。除了數據中心，這些應用還包括 HVAC 系統、通信電源、光伏逆變器和筆記本電腦充電電源。??了解 GaN 如何突破功率密度和效率界限? 德州儀器 GaN 產(chǎn)品線(xiàn)負責人 David Snook 表示：“氮化鎵是提高功率密
- 關(guān)鍵字： 氮化鎵 GaN 電源管理
高電壓技術(shù)是構建更可持續未來(lái)的關(guān)鍵
- 隨著(zhù)世界各地的電力消耗持續增長(cháng)，高電壓技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng )新讓設計工程師能夠開(kāi)發(fā)出更高效的解決方案，使電氣化和可再生能源技術(shù)更易于使用。?“隨著(zhù)人均用電量的持續增長(cháng)，可持續能源變得越來(lái)越重要，”TI 副總裁及高電壓產(chǎn)品部總經(jīng)理 Kannan Soundarapandian 表示?！耙载撠煹姆绞焦芾砟茉词褂梅浅Ｖ匾?。我們不能浪費任何一毫焦1的能量。這就是為什么高電壓技術(shù)的創(chuàng )新是實(shí)現能源可持續的關(guān)鍵?！?隨著(zhù)電力需求的增加（在 2 秒內將電動(dòng)汽車(chē) (EV) 從 0mph加速到 60mph?
- 關(guān)鍵字： 高電壓技術(shù) 電動(dòng)汽車(chē) GaN IGBT
柵極長(cháng)度縮放超出硅的 FET 對短溝道效應具有魯棒性
- 當今行業(yè)中發(fā)現的大多數 FET 都是由硅制成的，因為它具有出色且可重現的電子特性。根據摩爾定律，硅受到薄通道厚度下遷移率下降的困擾，這為高度縮放的設備保持強靜電。過(guò)渡金屬二硫化物 (TMD) 等二維溝道材料可用于 FET 以解決此問(wèn)題。由于2D 材料具有二維表面，因此它們具有更好的遷移率水平，包括在 0.7 A 下實(shí)現激進(jìn)的溝道長(cháng)度縮放。自從在現代電子產(chǎn)品中引入場(chǎng)效應晶體管 (FET) 以來(lái)，理論和應用電路技術(shù)已經(jīng)取得了多項改進(jìn)。FET 是低頻和中頻的低噪聲放大器以及高輸入阻抗放大器、電荷敏感放
- 關(guān)鍵字： 柵極 FET
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您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條gan fet!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對gan fet的理解，并與今后在此搜索gan fet的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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