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砷化鎵IDM廠(chǎng)調高財測 臺系業(yè)者雨露均沾
- 隨著(zhù)下游需求回溫，自2010年初以來(lái)，整體砷化鎵 (GaAs)市場(chǎng)需求回升。而在TriQuint、Skyworks及RFMD等全球砷化鎵IDM業(yè)者紛紛上調2010年度財測后，Avago也宣告調高 2010年2~4月的營(yíng)收預估值。受惠于此，臺系砷化鎵晶圓代工廠(chǎng)宏捷科技以及穩懋半導體的單月?tīng)I收皆持續攀升，市場(chǎng)預期業(yè)者的第2季也可望持續優(yōu)于第1 季表現。 受惠于智能型手機(smartphone)出貨量持續成長(cháng)，帶動(dòng)功率放大器(PA)的需求，也反應在全球各家砷化鎵IDM業(yè)者的財測中。而臺系晶圓代工廠(chǎng)以及
- 關(guān)鍵字： GaAs 晶圓代工
Avago 推出新高性能寬帶InGaP HBT增益方塊
- Avago Technologies(安華高科技)今日宣布推出兩款新經(jīng)濟型容易使用的通用InGaP異質(zhì)結雙極晶體管(HBT, Hetero-Junction Bipolar Transistor) MMIC增益方塊放大器產(chǎn)品，適合各種不同的無(wú)線(xiàn)通信應用。于DC到6,000MHz頻帶工作，Avago的AVT-51663/53663增益方塊可以作為寬帶增益方塊或驅動(dòng)放大器使用，這些面向移動(dòng)通信基礎設施應用設計的增益方塊也可以使用在如基站、WiMAX、WLAN、CATV、衛星電視和機頂盒等各種其他無(wú)線(xiàn)通信應
- 關(guān)鍵字： Avago 放大器 晶體管 HBT
高性能微波/毫米波GaAs器件提高3G/4G回程網(wǎng)絡(luò )的速度和容量
- 數據通信量的增加正在成為回程網(wǎng)絡(luò )的瓶頸 近年來(lái)，寬帶用戶(hù)數量明顯增加，并出現了大量手持移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)設備(MID)。數據和視頻應用已超過(guò)話(huà)音(參見(jiàn)圖1)，導致傳輸網(wǎng)絡(luò )的需求量前所未有地急劇增長(cháng)。市調專(zhuān)業(yè)機構ABIResearch最新報告顯示，2009年移動(dòng)通信用戶(hù)總量將達到43億，2013年將接近54億。因此，數據在移動(dòng)通信中所占比例將迅速增長(cháng)。保持這種增長(cháng)勢頭很大程度上取決于移動(dòng)用戶(hù)能否獲得積極的寬帶體驗。為保證各類(lèi)通信的服務(wù)質(zhì)量(QoS)，收集和傳送數據的回程網(wǎng)絡(luò )必須與用戶(hù)需求保持同步。
- 關(guān)鍵字： TriQuint 3G 4G GaAs
NJR開(kāi)發(fā)GaAs MMIC NJG1139UA2 適合于便攜式數字電視
- 日本無(wú)線(xiàn)(NJR)現開(kāi)發(fā)完成了GaAsMMICNJG1139UA2，并已開(kāi)始供貨了。該產(chǎn)品是設有旁通電路的寬帶低噪音放大器，...
- 關(guān)鍵字： GaAs MMIC NJG1139UA2 數字電視 LNA
新日本無(wú)線(xiàn)開(kāi)發(fā)完成了GaAs MMIC NJG1139UA2
- 新日本無(wú)線(xiàn)現開(kāi)發(fā)完成了GaAs MMIC NJG1139UA2，并已開(kāi)始供貨了。該產(chǎn)品是設有旁通電路的寬帶低噪音放大器，最適合于便攜式數字電視。 【開(kāi)發(fā)背景】 近年來(lái)，隨著(zhù)便攜式設備和汽車(chē)導航儀等可接收地面數字廣播的產(chǎn)品越來(lái)越多，為了提高終端的接收靈敏度、市場(chǎng)需求具有高增益/高線(xiàn)性度/低噪音指數的低噪音放大器(以后稱(chēng)作LNA)。為了適應市場(chǎng)的要求，新日本無(wú)線(xiàn)開(kāi)發(fā)了NJG1129MD7(08年12月公布)。NJG1139UA2是在此之上采用了小型化封裝，減少了外部元件，并為了更加容易使用而開(kāi)
- 關(guān)鍵字： 新日本無(wú)線(xiàn) 放大器 GaAs
砷化鎵產(chǎn)業(yè)恢復減慢 未來(lái)市場(chǎng)規模將低預期
- Strategy Analytics 砷化鎵 (GaAs) 及化合物半導體研究部門(mén)發(fā)布最新報告“砷化鎵 (GaAs) 行業(yè)預測 : 2008-2013”。分析指出，全球經(jīng)濟衰退造成砷化鎵 (GaAs) 行業(yè)2008年的年增長(cháng)率由先前預測的9%降至6%;而2009年砷化鎵 (GaAs) 市場(chǎng)的預計收益為35億美元，比2008年下降5%，完全抵消前一年的增長(cháng)。 Strategy Analytics 的砷化鎵 (GaAs) 及化合物半導體技術(shù)市場(chǎng)研究部主管 Asif Anwar
- 關(guān)鍵字： GaAs 半導體 消費電子 光纖
砷化鎵外延襯底市場(chǎng)規模將超過(guò)4億美元
- Strategy Analytics 發(fā)布最新年度預測報告“半絕緣砷化鎵 (SI GaAs) 外延襯底市場(chǎng)預測2008-2013”。報告總結，2008年半絕緣砷化鎵(SI GaAs)外延襯底市場(chǎng)年增長(cháng)率達到22%，但 Strategy Analytics 預計2009年該市場(chǎng)將持平或轉負增長(cháng)。借助下一代蜂窩手機平臺上嵌入多砷化鎵(GaAs)器件，以及來(lái)自其它市場(chǎng)對砷化鎵 (GaAs) 器件的需求，半絕緣砷化鎵 (SI GaAs) 外延襯底市場(chǎng)在2010年將恢復增長(cháng)。 一直
- 關(guān)鍵字： GaAs 外延襯底 FET HBT
Strategy Analytics：VSAT 經(jīng)受住經(jīng)濟風(fēng)暴考驗
- Strategy Analytics 砷化鎵及化合物半導體技術(shù) (GaAs and Compound Semiconductor Technologies) 研究服務(wù)發(fā)布最新研究報告“來(lái)自 Satcom/VSAT 市場(chǎng)的 GaAs 設備機會(huì )：2008-2013”。報告指出長(cháng)設計周期，加之被抑制的消費需求，將使得 VSAT 比大多數其他通信市場(chǎng)能夠更好的經(jīng)受住目前經(jīng)濟風(fēng)暴的考驗，并且轉化為對砷化鎵 (GaAs) 設備的穩定需求。 砷化鎵 (GaAs) 半導體技術(shù)廣泛用于空間
- 關(guān)鍵字： GaAs 衛星通信 微波集成電路
DC～40 GHz反射型GaAs MMIC SPST開(kāi)關(guān)
- 介紹了基于GaAs PHEMT工藝設計的一款寬帶反射型MMIC SPST開(kāi)關(guān)的相關(guān)技術(shù)，基于成熟的微波單片集成電路設計平臺開(kāi)展了寬帶SPST開(kāi)關(guān)設計。工作頻率范圍為DC~40 GHz，插入損耗≤0．8 dB，隔離度≥25 dB，駐波比≤1．4：l。同時(shí)，對電路的通孔特性進(jìn)行了分析，對電路設計流程進(jìn)行了闡述。要獲得期望帶寬的開(kāi)關(guān)，如何選擇控制器件的通孔連接方式，以及通孔數量對插入損耗等性能的影響。最終，具有小尺寸和優(yōu)異微波性能的GaAs微波單片集成單刀單擲開(kāi)關(guān)電路成功開(kāi)發(fā)。
- 關(guān)鍵字： GaAs MMIC SPST GHz
帶有旁通性能1SEG用寬帶低噪聲放大器GaAs MMIC NJG1129MD7現開(kāi)始發(fā)放樣品
- 新日本無(wú)線(xiàn)已開(kāi)發(fā)完成了最適用于1SEG信號用調諧器模塊的寬帶低噪聲放大器（下稱(chēng)LNA）GaAs MMIC NJG1129MD7，現開(kāi)始樣品供貨。 近年來(lái)，手機和車(chē)載導航等能接收1SEG信號產(chǎn)品在不斷地增加，因終端接收信號靈敏度不足，故具有高增益／高線(xiàn)性／低噪聲的高性能LNA是市場(chǎng)需要。新日本無(wú)線(xiàn)為滿(mǎn)足這種市場(chǎng)需求，開(kāi)發(fā)了NJG1134HA8（08年3月27日發(fā)表）。NJG1129MD7就是為了滿(mǎn)足市場(chǎng)所求的更高靈敏度，所開(kāi)發(fā)了1SEG用寬帶LNA GaAs MMIC。 該產(chǎn)品是可支持47
- 關(guān)鍵字： 新日本無(wú)線(xiàn) 寬帶低噪聲放大器 GaAs MMIC NJG1129MD7
Ge組分對SiGe HBT主要電學(xué)特性的影響
- 0 引言 SiGe基區異質(zhì)結雙極型晶體管(SiGe HBT)是利用SiGe合金特性制成的器件。自1987年采用MBE技術(shù)首次制作出SiGe基區HBT以來(lái)，SiGe集成電路的規模和電路的速度不斷發(fā)展，電流增益和頻率響應等性能已經(jīng)接近或達到了化合物異質(zhì)結器件的水平。而SiGe異質(zhì)結技術(shù)和傳統的Si集成電路相比，在工藝上并未增加大的復雜性，且成本低于化合物半導體器件。最新的SiGe HBT的研究表明已研制出超過(guò)200 GHz電流增益峰值達到400的晶體管，并且低溫下fT達到200 GHz的SiGeHBT也
- 關(guān)鍵字： HBT
Hittite推出SMT封裝GaAs pHEMT MMIC增益單元放大器
- Hittite Microwave Corporation近日推出兩款SMT封裝GaAs pHEMT MMIC增益單元放大器，適用于頻率在50-4GHz的汽車(chē)、寬帶，CATV，蜂窩/3G，WiMAX/4G以及固定無(wú)線(xiàn)應用。 HMC636ST89E和HMC639ST89E是GaAs pHEMT高線(xiàn)性增益單元放大器，無(wú)需外部匹配電路，從而成為競爭對手的理想替代品，如50MHz到4GHz的IF和RF應用AH-1與AM-1增益單元。 HMC636ST89E高線(xiàn)性增益單元放大器額定為200 MHz到
- 關(guān)鍵字： 放大器 Hittite SMT GaAs pHEMT
Hittite Microwave推出22到46 GHz有源X2倍頻器
- Hittite Microwave Corporation近日推出一個(gè)新款GaAs MMIC有源X2倍頻器，從而使設計者可以實(shí)現頻率覆蓋22到46GHz的連續輸出。這一器件在時(shí)鐘發(fā)生器，點(diǎn)對點(diǎn)無(wú)線(xiàn)電、軍事和航空、VSAT以及測試設備應用中，還具有優(yōu)越的基波和諧波抑制。 HMC598有源X2倍頻器使用GaAs PHEMT技術(shù)，以裸片形式提供。器件由輸入放大器、低轉換損耗倍頻器和一個(gè)輸出緩沖放大器組成。當用+5 dBm輸入信號驅動(dòng)時(shí)，倍頻器提供22到30 GHz的+15 dBm典 型輸入功率。高輸出
- 關(guān)鍵字： Hittite 倍頻器 有源 GaAs PHEMT
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