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gaas hbt 文章 進(jìn)入gaas hbt技術(shù)社區
集成電路芯片熱機械應力特征研究
- 摘要：本文在試驗和理論兩個(gè)方面，系統研究了芯片熱機械應力特征。作者利用紅外熱成像技術(shù)研究了芯片內部熱機械應力隨工作電流的瞬態(tài)變化關(guān)系，發(fā)現芯片熱機械應力隨工作電流呈對數增長(cháng)。同時(shí)本文利用有限元方法模擬計算了芯片熱機械應力在不同電流密度下與總工作電流的關(guān)系，從而驗證了上述實(shí)驗結論，并發(fā)現隨著(zhù)電流密度增加芯片內部熱機械應力上升速率變快。 引言 隨著(zhù)集成電路技術(shù)的發(fā)展，電路元件集成度不斷提高，盡管芯片總功耗在降低，由于芯片面積和元件尺寸不斷減小，導致芯片的熱功耗密度不斷增大，芯片內部溫度和熱機械
- 關(guān)鍵字： 集成電路 熱機械應力 紅外熱成像 GaAs 熱膨脹系數 201411
一種可變增益功率放大器的應用設計
- 采用電路仿真ADS軟件進(jìn)行了原理圖及版圖仿真，研究了增益控制電路在放大器中的位置對性能的影響。最終實(shí)現了在6~9GHz頻率范圍內，1 dB壓縮點(diǎn)輸出功率大于33 dBm,當控制電壓在-1~0 V之間變化時(shí)，放大器的增益在5~40dB之間變化，增益控制范圍達到了35 dB.將功率放大器與增益控制電路制作在同一個(gè)單片集成電路上，面積僅為3.5 mm×2.3 mm,具有靈活易用、集成度高和成本低的特點(diǎn)，可廣泛應用于衛星通信和數字微波通信等領(lǐng)域。 甚小口徑終端(verysmall apert
- 關(guān)鍵字： 功率放大器 可變增益 GaAs
全面解讀LED芯片知識
- 1、LED芯片的制造流程是怎樣的? LED芯片制造主要是為了制造有效可靠的低歐姆接觸電極，并能滿(mǎn)足可接觸材料之間最小的壓降及提供焊線(xiàn)的壓墊，同時(shí)盡可能多地出光。渡膜工藝一般用真空蒸鍍方法，其主要在1.33×10?4Pa高真空下，用電阻加熱或電子束轟擊加熱方法使材料熔化，并在低氣壓下變成金屬蒸氣沉積在半導體材料表面。一般所用的P型接觸金屬包括AuBe、AuZn等合金，N面的接觸金屬常采用AuGeNi合金。鍍膜后形成的合金層還需要通過(guò)光刻工藝將發(fā)光區盡可能多地露出來(lái)，使留下來(lái)的合金層能滿(mǎn)
- 關(guān)鍵字： LED GaAs
RFaxis單芯/單模RF前端模塊獲Frost&Sulivan創(chuàng )新獎
- 全球領(lǐng)先的單芯/單模RF前端模塊提供商RFaxis公司宣布，榮獲北美Frost&Sullivan技術(shù)創(chuàng )新領(lǐng)導大獎。RFaxis致力于單芯/單模RF前端集成電路(RFeIC?)研發(fā)，推出獨特的無(wú)線(xiàn)通信RF前端解決方案。?Frost&Sullivan根據其對于無(wú)線(xiàn)通信射頻前端模塊(RF?FEM)市場(chǎng)的最新分析結果，認為RFaxis的創(chuàng )新解決方案實(shí)現了卓越性能、功能與經(jīng)濟性的完美結合，已經(jīng)得到證明是傳統GaAs?(砷化鎵)解決方案的理想替代選項?！ 鹘y上，FR
- 關(guān)鍵字： RFaxis Frost&Sullivan GaAs RF
基于GaAs PIN二極管的寬帶大功率單片單刀雙擲開(kāi)關(guān)
- PIN二極管廣泛應用于限幅器、開(kāi)關(guān)、衰減器、移相器等控制電路中。與MESFET和PHEMT器件相比較，PIN二極管...
- 關(guān)鍵字： GaAs PIN 二極管 單刀雙擲開(kāi)關(guān)
瑞薩電子推出新型SiGe:C異質(zhì)接面晶體管
- 2011年9月13日 日本東京訊—高級半導體廠(chǎng)商瑞薩電子株式會(huì )社（TSE：6723，以下簡(jiǎn)稱(chēng)“瑞薩電子”）宣布推出新款SiGe:C異質(zhì)接面晶體管 (SiGe:C HBT, 注1)NESG7030M04，可作為低噪聲放大晶體管用于無(wú)線(xiàn)局域網(wǎng)絡(luò )系統、衛星無(wú)線(xiàn)電及類(lèi)似應用。本裝置的制程采用全新開(kāi)發(fā)的硅鍺：碳(SiGe:C)材料 (注2) 并達到領(lǐng)先業(yè)界的低噪聲效能。
- 關(guān)鍵字： 瑞薩 晶體管 SiGe:C HBT
無(wú)線(xiàn)基礎設施被視為日益增長(cháng)的砷化鎵集成電路市場(chǎng)
- 根據市場(chǎng)戰略研究公司Strategy Analytics分析：全球無(wú)線(xiàn)網(wǎng)絡(luò )基礎設施中使用砷化鎵（GaAs）半導體的市場(chǎng)預計將增長(cháng)，從2011年的大約2.05億美元達到2015年約為3.2億美元。
- 關(guān)鍵字： 無(wú)線(xiàn)網(wǎng)絡(luò ) GaAs
18 GHz移動(dòng)通訊回程中MMIC放大器運用
- 為滿(mǎn)足第四代數據傳輸服務(wù)的需要，無(wú)線(xiàn)通訊業(yè)已向LTE(長(cháng)期演進(jìn))迅猛發(fā)展。雖然某些地區的不同標準將仍將...
- 關(guān)鍵字： MMIC放大器 移動(dòng)通訊回程 GaAs LTE
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