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市場(chǎng)趨于飽和 CMOS圖象傳感器已日薄西山？

在經(jīng)歷了一段時(shí)間的瘋狂增長(cháng)之后，CMOS傳感器市場(chǎng)市場(chǎng)終于衰退下來(lái)。最近有報導稱(chēng)，在CMOS圖象傳感情市場(chǎng)一片頹勢的情況下，全球最大CMOS圖象傳感器供應商美光公司正在準備剝離這一業(yè)務(wù)。 OmniVision、三星、意法半導體和東芝等CMOS圖象傳感器市場(chǎng)的其它供應商也同樣經(jīng)歷了一段混亂時(shí)期。 ICInsights公司分析師Ro
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安華高科技推出采用65 nm CMOS工藝的SerDes

Avago Technologies(安華高科技)宣布，已經(jīng)在65納米(nm) CMOS工藝技術(shù)上取得17 Gbps SerDes(串行/解串)的高性能輸出。持續其在嵌入式SerDes技術(shù)的領(lǐng)導地位，Avago最新一代的工藝技術(shù)能夠節省高達25%的功耗和空間。擁有接近4,500萬(wàn)通道數的SerDes總出貨量，Avago在提供可靠高性能知識產(chǎn)權(IP)上擁有輝煌穩定的紀錄，現在更以65 nm工藝上經(jīng)驗證的17 Gbps SerDes性能將
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單一集成電路形成廉價(jià)的電感測試儀

這個(gè)設計思路展示給大家如何去創(chuàng )建一個(gè)可靠、低成本、簡(jiǎn)單的電感測試儀。這個(gè)測試儀的基礎是一個(gè)皮爾茲CMOS緩沖振蕩器（圖一）。這種振蕩器采用單一CMOS逆變偏頻在其線(xiàn)性區域通過(guò)電阻R1 以形成一個(gè)高增益反相放大器。由于這個(gè)高增益，這個(gè)逆變器比一個(gè)非緩沖門(mén)消耗的功率低，甚至是很小的信號就是可以驅動(dòng)輸出端得高低。
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德州儀器發(fā)布高精度CMOS電壓基準產(chǎn)品系列

日前，德州儀器(TI)宣布推出支持大輸出電流的3ppm/℃最大溫度漂移、高精度、低成本CMOS電壓基準產(chǎn)品系列——REF50xx。該系列產(chǎn)品提供的超高精度與系統性能等級，先前只有成本高昂的掩埋齊納技術(shù)才能提供。雖然REF50xx主要面向新一代工業(yè)過(guò)程控制，但是也廣泛適用于多種應用，其中包括醫療儀器、高精度數據采集以及測試與測量等。 REF50xx具有+/-10mA的大輸出電流范圍，能夠為ADC提供精確的電壓基準，而無(wú)需額外運放緩沖器。高精度(0.05%最大
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Vishay推出兩種新系列4Ω四通道SPST CMOS模擬開(kāi)關(guān)

　　日前，Vishay Intertechnology宣布推出兩種新系列四通道 SPST CMOS 模擬開(kāi)關(guān)，這些器件將高開(kāi)關(guān)速度與高信號帶寬進(jìn)行了完美結合，可用于眾多開(kāi)關(guān)應用，其中包括音頻、視頻、數據及電源。　　Vishay Siliconix DG451 及 DG454 系列器件具有四個(gè)可獨立選擇的 44V SPST 開(kāi)關(guān)，每個(gè)均具有 4Ω 的典型導通電阻及 0.2Ω 的典型平坦度，這兩個(gè)參數是低失真音頻信號開(kāi)關(guān)的理想參數。　　所有這些器件均可與 Vishay Siliconix DG411、
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超高速0.18μm CMOS復接器集成電路設計

CMOS工藝具有價(jià)格便宜、集成度高、功耗低的特點(diǎn)。隨著(zhù)CMOS工藝的發(fā)展，器件特征頻率大幅提高，采用CMOS工藝實(shí)現超高速集成電路成為可能。本文給出了使用CMOS工藝設計的單片集成超高速4：1復接器。
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富士通與捷智為90nm和65nm RF CMOS代工客戶(hù)提供全套解決方案

　　富士通微電子（上海）有限公司近日宣布，富士通株式會(huì )社、富士通微電子美國公司（FMA）以及捷智技術(shù)公司的全資子公司捷智半導體公司（Jazz）將合作生產(chǎn)用于RF CMOS設備的片上系統（SoC）產(chǎn)品。根據各方簽署的協(xié)議備忘錄，此次合作旨在使捷智公司一流的RF及混合信號專(zhuān)業(yè)技術(shù)與富士通處于領(lǐng)先地位的90nm 及65nm生產(chǎn)技術(shù)相結合，使兩家公司能夠為SoC客戶(hù)提供高性能的客戶(hù)自有工具（COT）代工服務(wù)。此次聯(lián)合將使富士通能夠利用其自身先進(jìn)的90nm 及65nm低漏電LSI生產(chǎn)工藝，提供給捷智高精度的RF模型
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低電壓CMOS運算放大器輸入級的研究

近年來(lái)，電子產(chǎn)品不斷向小型化和便攜式方向發(fā)展，需要低電壓、低功耗的集成電路，以延長(cháng)電池的使用壽命。CMOS技術(shù)可以將包括數字電路和模擬電路的整個(gè)系統同時(shí)封裝和制造在一個(gè)芯片上。因此，低電壓、低功耗的要求，不僅是對數字集成電路，也同樣針對于模擬集成電路。由于數字集成電路工作在開(kāi)關(guān)狀態(tài)，通過(guò)合理減小電路尺寸，不難滿(mǎn)足其要求。但是，對于模擬集成電路，由于場(chǎng)效應管的閾值電壓(Vth)不隨電源電壓的降低而成比例地下降，如果采用低電壓供電，將使輸出范圍大大減小，輸出電流的信噪比(S/N)減小，共模抑制比(CMRR)降
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一種高速低壓低靜態(tài)功耗欠壓鎖定電路

在DC-DC電源管理芯片中，電壓的穩定尤為重要，因此需要在芯片內部集成欠壓鎖定電路來(lái)提高電源的可靠性和安全性。對于其它的集成電路，為提高電路的可靠性和穩定性，欠壓鎖定電路同樣十分重要。傳統的欠壓鎖定電路要求簡(jiǎn)單、實(shí)用，但忽略了欠壓鎖定電路的功耗，使系統在正常工作時(shí)，仍然有較大的靜態(tài)功耗，這樣就降低了電源的效率，并且無(wú)效的功耗增加了芯片散熱系統的負擔，影響系統的穩定性。基于傳統的欠壓鎖定電路，本文提出一種CMOS工藝下的低壓低靜態(tài)功耗欠壓鎖定電路，并通過(guò)HSPICE仿真。此電
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CMOS在大范圍醫療及其他新型圖形傳感器應用中贏(yíng)得市場(chǎng)

目前，傳統的電荷耦合設備（CCD）圖像傳感器技術(shù)已不能滿(mǎn)足工業(yè)及專(zhuān)業(yè)圖像抓?。╥mage capture）應用的需要?；跇藴蔆MOS技術(shù)的新型圖像傳感器技術(shù)以其高度靈活性、出色的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)特性以及在各種系統環(huán)境下表現出的易集成性在醫用電子產(chǎn)品行業(yè)中開(kāi)創(chuàng )出了一個(gè)全新領(lǐng)域，為用戶(hù)提供了更多選擇。從CCD到CMOS：大勢所趨在過(guò)去三十年左右的時(shí)間里，CCD技術(shù)一直被用于圖像轉換。CCD是一種成熟的技術(shù)，能夠在低噪聲的前提下提供優(yōu)質(zhì)圖像，作為電荷耦合器件在像素間完成圖像數據的串行傳輸。為
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嵌入式CMOS成像器速度全息數據檢索

過(guò)去，由于缺乏低成本系統部件，或因全息多路技術(shù)過(guò)于復雜以及找不到合適的記錄材料，使全息數據存儲產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)受到限制?，F在，已經(jīng)進(jìn)入消費類(lèi)屏幕市場(chǎng)的數字微鏡設備以及用于高速機器視覺(jué)應用、基于CMOS的有源像素探測器陣列將使這種狀況得以改觀(guān)。舉例來(lái)說(shuō)，由于微鏡設備可被有效地用作空間光調制器（spatial light modulator），因此高速CMOS成像器可用來(lái)讀取全息媒體中包含的數字數據。在傳統光學(xué)存儲設備中，數
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用于通用X射線(xiàn)應用的晶圓級有源像素CMOS圖像傳感器

摘要: 本文以使用標準CMOS技術(shù)和有源像素架構的CMOS有源像素傳感器為研究對象。該傳感器專(zhuān)為X射線(xiàn)成像系統而設計，具有噪聲低和感光度高等特點(diǎn)。這種傳感器已使用標準0.35μm技術(shù)和8″晶圓得到生產(chǎn)。傳感器分辨率為每40 x 40μm2 面積3360 x 3348像素。其對角長(cháng)度略大于190mm。本文對傳感器的圖紙設計、拼接圖和已得到開(kāi)發(fā)的電子光學(xué)性能進(jìn)行了論述。 &nbs
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OKI新型UV傳感器ML8511采用SI-CMOS制程

沖電氣(OKI)推出內建運算放大器的紫外線(xiàn)(UV)傳感器IC——ML8511。該產(chǎn)品運用絕緣上覆硅(SOI)-CMOS，為該公司首款模擬電壓輸出、無(wú)濾光器的UV傳感器。OKI將從6月份開(kāi)始陸續針對可攜式等用途產(chǎn)品，提供新款UV傳感器樣品。 OKI的UV傳感器IC由于采用了容易高整合度的SOI-CMOS技術(shù)，適合于數字及模擬電路。OKI表示，該公司未來(lái)將靈活運用這一特長(cháng)，加強與連接微處理器的數字輸出電路，進(jìn)而與感測式亮度控制傳感器(AmbientLightSensor)構成單一芯片的商品陣容；未來(lái)
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常用CMOS模擬開(kāi)關(guān)功能和原理

開(kāi)關(guān)在電路中起接通信號或斷開(kāi)信號的作用。最常見(jiàn)的可控開(kāi)關(guān)是繼電器,當給驅動(dòng)繼電器的驅動(dòng)電路加高電平或低電平時(shí),繼電器就吸合或釋放,其觸點(diǎn)接通或斷開(kāi)電路。CMOS模擬開(kāi)關(guān)是一種可控開(kāi)關(guān),它不象繼電器那樣可以用在大電流、高電壓場(chǎng)合,只適于處理幅度不超過(guò)其工作電壓、電流較小的模擬或數字信號。一、常用CMOS模擬開(kāi)關(guān)引腳功能和工作原理 1.四雙向模擬開(kāi)關(guān)CD4066 CD4066的引腳功能如圖1所示。每個(gè)封裝內部有4個(gè)獨立的模擬開(kāi)關(guān),每個(gè)模擬開(kāi)關(guān)有輸入、輸出、控制三個(gè)端子,其中輸入端和輸出端可互換。當控
關(guān)鍵字： CMOS 電源技術(shù) 模擬技術(shù) 模擬開(kāi)關(guān) 數控電阻電阻電位器

ROHM開(kāi)發(fā)CMOS運算放大器和比較器

ROHM株式會(huì )社針對力求省電的筆記本電腦、數碼相機、游戲機等便攜數碼產(chǎn)品，推出高可靠性CMOS運算放大器、比較器。共發(fā)布24種1ch、2ch的高速型、低功耗型CMOS運算放大器、比較器。首先是從需求量大的1ch產(chǎn)品的樣品出貨、量產(chǎn)開(kāi)始。3月份開(kāi)始推出高速型「BU7261G」、「BU7261SG」和低功耗型「BU7241G」、「BU7241SG」運算放大器樣品，并將于2007年6月開(kāi)始量產(chǎn)。而CMOS比較器則從2007年4月開(kāi)始推出高速型「BU7251G」、「BU7251SG」，與低功耗型「BU7231G
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