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奧地利微電子為代工用戶(hù)擴展CMOS、高壓、高壓FLASH和RF多項目晶圓服務(wù)
- 奧地利微電子的全方位服務(wù)晶圓代工廠(chǎng)業(yè)務(wù)部推出一份更加全面的 2008 年度時(shí)間表，擴展了其具有成本效益的、快速的專(zhuān)用集成電路(ASIC)原型服務(wù)，即所謂以多項目晶圓 (MPW) 或往復運行(shuttle run)。該服務(wù)將來(lái)自不同用戶(hù)的若干設計結合在一個(gè)晶圓上，有助于眾多不同的參與者分攤晶圓和掩膜成本。 RF多項目晶圓服務(wù) 奧地利微電子的 MPW 服務(wù)包括基于 TSMC(臺積電)0.35µm CMOS 工藝的全程0.35µm尺寸工藝。兼容 SiGe BiCMOS
- 關(guān)鍵字： 消費電子 奧地利微電子 CMOS FLASH MCU和嵌入式微處理器
07年第三季NAND Flash廠(chǎng)營(yíng)收逼近39億美元
- 根據集邦科技(DRAMeXchange)最新出爐的第三季NANDFlash營(yíng)收市占率報告指出，NANDFlash品牌廠(chǎng)商在2007年第三季整體營(yíng)收表現亮麗，逼近三十九億美元，比第二季增長(cháng)了36.8%;整體NANDFlash位出貨量相較于第二季增長(cháng)約30%;而就營(yíng)收排行而言，三星(Samsung)如預期再度蟬連冠軍，東芝(Toshiba)居次，而海力士(Hynix)、美光(Micron)和英特爾(Intel)營(yíng)收均有顯著(zhù)的增長(cháng)。 由于第三季為傳統NANDFlash下游客戶(hù)的備貨旺
- 關(guān)鍵字： 嵌入式系統 單片機 NAND Flash 三星 MCU和嵌入式微處理器
NAND和NOR flash詳解
- NOR和NAND是現在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開(kāi)發(fā)出NOR flash技術(shù)，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統天下的局面。緊接著(zhù)，1989年，東芝公司發(fā)表了NAND flash結構，強調降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盤(pán)一樣可以通過(guò)接口輕松升級。但是經(jīng)過(guò)了十多年之后，仍然有相當多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存。 相“flash存儲器”經(jīng)?？梢耘c相“NOR存儲器”互換使用。許多業(yè)內人
- 關(guān)鍵字： NAND NOR flash 集成電路 存儲器
單片機的FLASH引導裝載系統設計
- 前言DSP系統的引導裝載是指在系統加電時(shí)，由DSP將一段存儲在外部非易失性存儲器中的代碼移植到內部高速存儲器單元并執行的過(guò)程。這種方式即可利用外部存儲單元擴展DSP本身有限的ROM資源，又能充分發(fā)揮DSP內部資源的高速效能。因此，引導裝載系統的性能直接關(guān)系到整個(gè)DSP系統的可靠性和處理速度，是DSP系統設計中必不可少的重要環(huán)節。在裝載系統中，外部非易失性存儲器和DSP的性能尤為重要。FLASH是一種高密度、非易失性的電可擦寫(xiě)存儲器，而且單位存儲比特的價(jià)格比傳統EPROM要低。為此，本文介紹了TMS320C
- 關(guān)鍵字： 嵌入式系統 單片機 FLASH 裝載系統 DSP 單板計算機
C8051F的超大容量Flash存儲器擴展
- 摘要：NAND結構Flash數據存儲器件是超大容量數據存儲的理想選擇，當前被廣泛應用于U盤(pán)、MP3和數碼相機的數據存儲。本文對該類(lèi)型Flash的基本操作進(jìn)行研究并對實(shí)際應用系統給予驗證，揭示了NAND結構Flash的操作規律。 關(guān)鍵詞：NAND Flash 數據存儲 C8051F 引 言 大容量數據存儲是單片機應用系統的瓶頸，受到容量、功耗、尋址方式的約束。突破容量限制，可以很大程度上擴展和提高應用系統的總體功能。Sumsung公司的NAND結構Fla
- 關(guān)鍵字： NAND Flash 數據存儲 C8051F MCU和嵌入式微處理器
TMS320C6713的FLASH引導裝載系統設計
- 前言 DSP系統的引導裝載是指在系統加電時(shí)，由DSP將一段存儲在外部非易失性存儲器中的代碼移植到內部高速存儲器單元并執行的過(guò)程。這種方式即可利用外部存儲單元擴展DSP本身有限的ROM資源，又能充分發(fā)揮DSP內部資源的高速效能。因此，引導裝載系統的性能直接關(guān)系到整個(gè)DSP系統的可靠性和處理速度，是DSP系統設計中必不可少的重要環(huán)節。在裝載系統中，外部非易失性存儲器和DSP的性能尤為重要。FLASH是一種高密度、非易失性的電可擦寫(xiě)存儲器，而且單位存儲比特的價(jià)格比傳統EPROM要低。為此，本文介紹了TMS320
- 關(guān)鍵字： 嵌入式系統 單片機 TMS320C6713 FLASH 中間件 軟件庫
51內核8位單片機MAX7651的開(kāi)發(fā)環(huán)境
- 摘要：介紹一種基于四時(shí)鐘周期、高速8051內核的混合信號8位單片機MAX7651。探討在開(kāi)發(fā)基于MAX7651的應用系統時(shí)所面臨的問(wèn)題，并推薦相應的解決方案。 關(guān)鍵詞：MAX7651 AT89LV55 8XC51RA/RB/RC ALL-07 Flash 四時(shí)鐘周期 在全球8位單片機領(lǐng)域，英特爾（Intel）生產(chǎn)的MCS-51系列是毋庸質(zhì)疑的領(lǐng)導者。借助英特爾廣泛的授權行為，基于8051內核的8位單片機兼容產(chǎn)品早已根深葉茂。Dallas Semicondu
- 關(guān)鍵字： MAX7651 AT89LV55 8XC51RA/RB/RC ALL-07 Flash 四時(shí)鐘周期 MCU和嵌入式微處理器
AVR單片機的RC5和RC6算法比較與改進(jìn)
- 摘要：RC5及RC6是兩種新型的分組密碼。AVR高速嵌入式單片機功能強大，在無(wú)線(xiàn)數據傳輸應用方面很有優(yōu)勢。本文基于A(yíng)tmega128高速嵌入式單片機，實(shí)現RC5和RC6加密及解密算法，并對算法進(jìn)行匯編語(yǔ)言的優(yōu)化及改進(jìn)。根據實(shí)驗結果。對兩種算法的優(yōu)熱點(diǎn)進(jìn)行比較和分析。 關(guān)鍵詞：Atmega128 RC5 RC6 分組密碼 混合密鑰 Flash 引言 在無(wú)線(xiàn)局域網(wǎng)中，傳輸的介質(zhì)主要是無(wú)線(xiàn)電波和紅外線(xiàn)，任何具有接收能力的竅聽(tīng)者都有可能攔截無(wú)線(xiàn)信道中的數據，掌握
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基于FPGA的NAND FLASH控制器
- 1 引言在便攜式電子產(chǎn)品如U盤(pán)、MP3播放器、數碼相機中，常常需要大容量、高密度的存儲器，而在各種存儲器中，NAND FLASH以?xún)r(jià)格低、密度高、效率高等優(yōu)勢成為最理想的器件。但NAND FLASH的控制邏輯比較復雜，對時(shí)序要求也十分嚴格，而且最重要的是NAND FLASH中允許存在一定的壞塊(壞塊在使用過(guò)程中還可能增加)，這就給判斷壞塊、給壞塊做標記和擦除等操作帶來(lái)很大的難度，于是就要求有一個(gè)控制器，使系統用戶(hù)能夠方便地使用NAND FLASH,為此提出了一種基于FPGA的NAND FLASH控制器的設
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一種新型單片機MSC1210及其應用
- 摘要：主要介紹內核兼容8051的MSC1210單片機結構特點(diǎn)，其高性能ADC、片內存儲器以及Flash編程應用等功能。 關(guān)鍵詞：MSC1210 ADC PGA Flash 實(shí)際應用系統往往需要進(jìn)行高精度的測量，同時(shí)還必須進(jìn)行實(shí)時(shí)快速控制，提高其開(kāi)發(fā)效率。為此人們常采用高精度A/D芯片加帶ISP開(kāi)發(fā)功能的單片機系統來(lái)實(shí)現。德州儀器（TI）的MSC1210單片機解決了上述問(wèn)題。它集成了一個(gè)增強型8051內核、高達33 MHz
- 關(guān)鍵字： MSC1210 ADC PGA Flash MCU和嵌入式微處理器
義隆電子上市高速八位 Flash MCU產(chǎn)品
- 因應市場(chǎng)的需求，義隆電子近期推出八位Flash MCU的產(chǎn)品—編號 EM77F900 。這顆IC是一款速度高達40MIPS的八位單片機，在高速控制的應用領(lǐng)域可以讓您使用時(shí)得心應手，同時(shí)，可以廣泛的應用于二維條形碼閱讀(2D Bar code reader)、游戲鼠標(Gaming mouse)、高速傳輸器(Dongle)、指紋辨識、移動(dòng)檢測(Motion detect)、USB audio、無(wú)線(xiàn)傳輸等領(lǐng)域。 義隆電子
- 關(guān)鍵字： 嵌入式系統 單片機 義隆電子 Flash MCU 嵌入式
Spansion NOR閃存完成在聯(lián)發(fā)科參考設計平臺上預先驗證
- 北京，2007年8月7日——全球最大的純閃存解決方案供應商Spansion（NASDAQ:SPSN）今天宣布，其MirrorBit® NOR閃存已完成在MediaTek主流手機參考設計平臺上的預先驗證。MediaTek總部位于臺灣，是全球前十大提供無(wú)線(xiàn)通信和數字媒體解決方案的半導體芯片設計公司之一。在MediaTek參考設計平臺上完成對Spansion閃存解決方案的預先驗證，將使生產(chǎn)商能夠將具有成本效率的高性能手機更快地推向中國及其它高速增長(cháng)市場(chǎng)。 在未來(lái)幾年內，中國將成為推動(dòng)新型手機發(fā)
- 關(guān)鍵字： Spansion NOR Flash 聯(lián)發(fā)科 消費電子 存儲器
flash介紹
閃存（Flash ROM）：
是一種電擦除非易失型存儲器，由浮柵型場(chǎng)效應管構成，寫(xiě)入時(shí)，利用熱電子注入，使浮柵帶電；擦除時(shí)，則利用高壓下的隧道效應，使浮柵失去電子。
FLASH閃存是半導體技術(shù)，內部是相對靜態(tài)的，體積小，抗震性很高（便于攜帶）。加上半導體技術(shù)發(fā)展很快，價(jià)格下降也很快，這是目前的MP3大多數是用FLASH閃存的原因。
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