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CES展會(huì )開(kāi)幕 看智能硬件如何無(wú)線(xiàn)升級？
- 作為高科技發(fā)展趨勢的風(fēng)向標，一年一度的國際消費電子展(CES)一直備受矚目。2016年的CES將于美國當地時(shí)間1月6-9日于美國拉斯維加斯盛大舉行，屆時(shí)全球的科技大咖薈萃一堂，2千多家參展商同臺競技，勢必為大家帶來(lái)一場(chǎng)賞心悅目的科技盛宴。 在CES 2016展會(huì )上，智能穿戴、車(chē)載、智能家居等新鮮的電子設備與物聯(lián)概念必將大放異彩，展示未來(lái)主流的智能發(fā)展趨勢。隨著(zhù)CES 2016的來(lái)臨，先讓我們一起預測一下他們將帶來(lái)的亮點(diǎn)吧! 智能穿戴：以醫療健康為導向 近幾年，智能穿戴一直是最熱門(mén)的話(huà)
- 關(guān)鍵字： CES 智能硬件
【CES2016前瞻】醫療級穿戴設備欲搶CES“頭條”
- 2016 CES(國際消費類(lèi)電子產(chǎn)品展覽會(huì )，International Consumer Electronics Show，簡(jiǎn)稱(chēng)CES)即將在美國開(kāi)場(chǎng)，除了最新的電子產(chǎn)品，去年開(kāi)始，可穿戴設備就已成為CES的亮點(diǎn)。而今年的CES上，智能可穿戴展商翻了幾番，達到了40余家。 這其中，醫療健康可穿戴產(chǎn)品將成為重頭戲。2015年的時(shí)候，醫療健康可穿戴設備賺足眼球，將微型化帶進(jìn)潮流。而在本屆CES上，醫療級消費技術(shù)、挽救生命的可穿戴設備無(wú)疑因其巨大的剛需唱起主角。 挽救
- 關(guān)鍵字： CES 可穿戴設備
CES2016預測丨智能可穿戴如何突破手表手環(huán)圍城
- 2015年已經(jīng)過(guò)去，這一年可穿戴設備的種類(lèi)層出不窮，但最終穿戴在我們身上的電子設備卻并不多，最多的就要算就是手環(huán)和手表了?！ ≈饕窍M者也不將可穿戴產(chǎn)品作為“剛需”電子產(chǎn)品，不過(guò)相信2016年憑借更靈敏的傳感器、低功耗芯片，以及節能的無(wú)線(xiàn)技術(shù)等等，就能解決了產(chǎn)品被吐槽已久的“詬病”，改變續航、交互方式甚至是大大降低成本?！ ?nbsp; 除此之外，監控血糖水平、可以測肺活量和皮膚溫度，甚至分析人體體內化學(xué)成分的傳感器設備也將會(huì )在2016年CES上亮相，這些也將會(huì )為可穿戴設備賦予更多
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美CES科技大秀 聯(lián)發(fā)科3晶片亮相
- 2016年1月5日消息，美國消費性電子大展CES即將于6日開(kāi)展，聯(lián)發(fā)科(2454)今年將以主題“全新消費者體驗從聯(lián)發(fā)科技開(kāi)始”在2016 CES展出，并發(fā)表三款新晶片，採用這些晶片的消費性電子產(chǎn)品將與周?chē)澜缬懈玫倪B結。這三款晶片分別是：4K超高解析藍光播放器晶片、智慧型手表晶片、以及家庭物聯(lián)網(wǎng)晶片。 在家庭娛樂(lè )方面，推出 MT8581是全球首款支援高動(dòng)態(tài)范圍成像的4K超高解析度藍光播放器專(zhuān)用SoC，其所帶來(lái)的視覺(jué)體驗堪比從VHS錄像機到DVD播放機的革命性飛躍。
- 關(guān)鍵字： CES 聯(lián)發(fā)科
國內外巨頭眾星捧月 智能家居將成CES重頭戲
- 近期CES在科技圈熱鬧起來(lái)了，2016年1月6日至1月9日，一年一度的國際消費類(lèi)電子產(chǎn)品展覽會(huì )CES(Consumer Electronics Show)將在美國賭城拉斯維加斯舉行，即將參展的企業(yè)紛紛熱身，CES2016這場(chǎng)全球最大規模的高科技年度盛事，勢必會(huì )成為2016年國內智能硬件行業(yè)潮流的一個(gè)風(fēng)向標。展會(huì )將匯集來(lái)自全球一百多個(gè)國家和地區的數千家優(yōu)秀消費類(lèi)電子廠(chǎng)商、IT核心廠(chǎng)商和物聯(lián)網(wǎng)設備提供商，涵蓋數碼電子、穿戴式設備、計算機設備、3D打印、汽車(chē)電子、家用電器、智能家居等相關(guān)領(lǐng)域。在2015年C
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三星發(fā)飆：半導體28nm FD-SOI投片 功耗暴降一半
- 蘋(píng)果(Apple)宣布以182萬(wàn)美元從美信半導體(Maxim Integrated)買(mǎi)下位于加州圣荷西的一座8吋晶圓廠(chǎng)。專(zhuān)家分析認為，此舉并不會(huì )影響與蘋(píng)果合作的晶圓代工廠(chǎng)生意。 據SemiWiki報導指出，SEMI World Fab Watch Database資料顯示，蘋(píng)果買(mǎi)下的晶圓廠(chǎng)于1987年建立，即使全面開(kāi)工每月也只能生產(chǎn)1萬(wàn)片晶圓，規模相對小且老舊，無(wú)法生產(chǎn)蘋(píng)果所需的應用處理器(AP)。 蘋(píng)果最新AP采16/14納米FinFET制程，而10納米制程也正在開(kāi)發(fā)中。8吋晶圓近日才微
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CES 2016提前看，3D圖像傳感器有啥亮點(diǎn)
- 在下個(gè)月2016年的消費電子CES展，英飛凌和pmdtechnologies有限公司將展示REAL3，3D圖像傳感器芯片。 相比之前的版本，光靈敏度，功耗得到相應的提高。節省空間的設備，這使手機操作微型攝像系統，可以測量3D深度數據。 相機的范圍和測量精度取決于所發(fā)射的和反射的IR光的強度，并且所述三維圖象傳感器芯片的像素靈敏度。后者是先前版本的兩倍，如將一個(gè)微透鏡的每個(gè)所述傳感器芯片的像素中的一個(gè)結果。因此，大部分的入射光被引導到像素的敏感表面上，所以幾乎沒(méi)有光能量損失到非活動(dòng)區域。這意
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CES 2016前瞻！TI六大亮點(diǎn)展品推動(dòng)消費電子創(chuàng )新
- 備受矚目的2016年國際消費電子展?(CES)?已經(jīng)正式進(jìn)入倒計時(shí)階段。作為全球領(lǐng)先的半導體公司之一，TI將在本次的展會(huì )中展示超過(guò)100項的創(chuàng )新技術(shù)。無(wú)論是先進(jìn)的高級駕駛員輔助系統(ADAS)還是適用于物聯(lián)網(wǎng)(IoT)和可穿戴技術(shù)的創(chuàng )意解決方案，TI所提供的半導體技術(shù)賦予了消費電子產(chǎn)品全新的工程設計創(chuàng )造力?！ τ谀切┘磳⑶巴咕S加斯參展的與會(huì )者而言，他們將可以在TI?Village體驗創(chuàng )新技術(shù)所帶來(lái)的突破與變革。而為了讓更多的朋友能夠一覽TI?Village
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手機鏈考量？技術(shù)分水嶺抉擇？大陸半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展FD-SOI
- DIGITIMES Research觀(guān)察，大陸半導體產(chǎn)業(yè)近期積極擁抱全空乏絕緣上覆矽(Fully Depleted Silicon-on-Insulator;FD-SOI，有時(shí)也稱(chēng)Ultra-Thin Body;UTB)制程技術(shù)，包含拜會(huì )關(guān)鍵晶圓片底材供應商、簽署相關(guān)合作協(xié)議、于相關(guān)高峰論壇上表態(tài)等。大陸選擇FD-SOI路線(xiàn)，而非臺積電(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.;TSMC)、英特爾(Intel)的FinFET(鰭式場(chǎng)效電晶體)路線(xiàn)，估與手
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Leti從FD-SOI學(xué)到的一課：打造生態(tài)系統
- 今年由歐洲兩大主要研發(fā)中心——法國CEA-Leti和比利時(shí)IMEC舉辦的年度開(kāi)放日活動(dòng)剛好都在六月的同一時(shí)期舉行。但這種時(shí)程的沖突并不是有意的，至少Leti是這么認為。Leti的一位官方代表指出，“在過(guò)去七年來(lái)我們一直是在六月的同一周舉行年度活動(dòng)。對他們來(lái)說(shuō)，我們的排程應該不是什么秘密。” Leti位于法國格勒諾布爾市創(chuàng )新園區的核心地帶 不過(guò)，位于格勒諾布爾的Leti Days和位于布魯塞爾的IMEC技術(shù)論壇這兩大
- 關(guān)鍵字： FD-SOI 物聯(lián)網(wǎng)
哪些半導體公司會(huì )成為22nm FD-SOI的嘗鮮者？
- 美國時(shí)間7月13日GlobalFoundries宣布推出其全新的“22FDX”工藝平臺，成為全球第一家實(shí)現22nm FD-SOI(全耗盡絕緣硅)，專(zhuān)為超低功耗芯片打造。 FD- SOI技術(shù)仍然采用平面型晶體管，目前并不為業(yè)內看好，因為無(wú)論Intel還是三星、臺積電，22n時(shí)代起就紛紛轉入了立體晶體管，也就是FinFET。GlobalFoundries技術(shù)實(shí)力欠佳，自己搞不出足夠好的立體晶體管技術(shù)，22nm上只能繼續改進(jìn)平面型，20nm上努力了一
- 關(guān)鍵字： FD- SOI FinFET
格羅方德半導體推出業(yè)內首個(gè)22nm FD-SOI工藝平臺
- 格羅方德半導體(GLOBAL FOUNDRIES)今日發(fā)布一種全新的半導體工藝，以滿(mǎn)足新一代聯(lián)網(wǎng)設備的超低功耗要求。“22FDX™”平臺提供的性能和功耗媲美FinFET，而成本則與28nm平面晶體管工藝相當，為迅速發(fā)展的移動(dòng)、物聯(lián)網(wǎng)、RF連接和網(wǎng)絡(luò )市場(chǎng)提供了一個(gè)最佳解決方案。 雖然某些設備對三維FinFet晶體管的終極性能有要求，但大多數無(wú)線(xiàn)設備需要在性能、功耗和成本之間實(shí)現更好的平衡。22FDX 采用業(yè)內首個(gè)22nm二維全耗盡平面晶體管技術(shù)(FD-SOI)工
- 關(guān)鍵字： 格羅方德 FD-SOI
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