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實(shí)驗出真知！可充分發(fā)揮ESD保護元件性能的電路設計
- TDK的多層貼片式壓敏電阻產(chǎn)品陣容齊全，可保護設備因受ESD（靜電放電）影響而引發(fā)的故障和誤動(dòng)作，能幫助客戶(hù)有效解決ESD問(wèn)題。但隨著(zhù)用戶(hù)設備的小型化、輕量化和高功能化，以前效果出眾的多層貼片式壓敏電阻產(chǎn)品也出現了無(wú)法充分發(fā)揮保護效果的情況。為了查明原因，我們以客戶(hù)設備的小型化為前提進(jìn)行了ESD實(shí)驗，本期推文就來(lái)為您詳細介紹通過(guò)此次實(shí)驗得出的各數據與結果。5G技術(shù)的發(fā)展實(shí)現了設備之間的相互協(xié)作和實(shí)時(shí)通信，也對設備的設計提出了更高的要求，比如更小、更輕、更低功耗、更高功能、長(cháng)期運行、高可靠性、更高的EMC耐
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經(jīng)典解析靜電放電（ESD）原理與設計-靜電來(lái)源及保護方法-KIA MOS管
- ESD，是靜電放電(Electrostatic Discharge)是指具有不同靜電電位的物體互相靠近或直接接觸引起的電荷轉移。ESD是一種常見(jiàn)的近場(chǎng)危害源，可形成高電壓，強電場(chǎng)，瞬時(shí)大電流，并伴有強電磁輻射，形成靜電放電電磁脈沖。靜電的來(lái)源在電子制造業(yè)中，靜電的來(lái)源是多方面的，如人體、塑料制品、有關(guān)的儀器設備以及電子元器件本身。人體是最重要的靜電源，這主要有三個(gè)方面的原因：1、人體接觸面廣，活動(dòng)范圍大，很容易與帶有靜電荷的物體接觸或摩擦而帶電，同時(shí)也有許多機會(huì )將人體自身所帶的電荷轉移到器件上或者通過(guò)器件
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基本ESD模型及功能參數
- 將一個(gè)電容充電到高電壓（一般是2kV至8kV），然后通過(guò)閉合開(kāi)關(guān)將電荷釋放進(jìn)準備承受ESD沖擊的“受損”器件（圖1）。電荷的極性可以是正也可以是負，因此必須同時(shí)處理好正負ESD兩種情況?！ ?1)HBM(Human Body Model)，人體放電模型； 指帶電荷的人體與集成電路產(chǎn)品的管腳接觸并發(fā)生靜電荷轉移時(shí)，產(chǎn)生的ESD現象?！ ∪梭w等效電阻約1500歐姆，等效電容值為lOOpF，Ls與Cs寄生電感和電容。該ESD放電產(chǎn)生電流波形的上升時(shí)間在2~10ns范圍內，持續時(shí)間在150~200ns范圍內
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esd是指什么？靜電放電是什么？
- ESD（Electrostatic discharge），中文釋義為靜電放電?！ ≡斐伸o電放電有多種原因，但最常見(jiàn)的是靜電和靜電感應。靜電通常是通過(guò)摩擦充電產(chǎn)生的，而靜電感應則是作為物體的電荷重新排列而產(chǎn)生的。通常，當一個(gè)物體的表面獲得負電子而另一個(gè)物體失去電子并帶正電時(shí)，就會(huì )產(chǎn)生摩擦充電。當帶相反電荷的物體相互接觸時(shí)，電子傳遞能量然后分離，形成一種電荷接觸帶電?！ ≡诠I(yè)生產(chǎn)中靜電放電會(huì )導致兩種類(lèi)型的電氣設備損壞，具體如下： 災難性的：造成永久性傷害?！ 摲缘模簬缀鯔z測不到，已經(jīng)對組件造成損傷
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ESD簡(jiǎn)介（簡(jiǎn)單明了?。?/a>
- 記得小學(xué)時(shí)候的自然課上老師用冬天脫毛衣時(shí)的火花向年少的我們描述靜電的情形，那時(shí)候不禁對大自然肅然起敬。沒(méi)想到很多年之后學(xué)習集成電路課程，又一次跟靜電有了接觸，只是這一次沒(méi)有年少時(shí)的輕松與愉悅。靜電放電（Electrostatic Discharge, ESD）很容易造成電子元件或電子系統遭受過(guò)度電應力而被永久破壞。靜電放電破壞的產(chǎn)生，大多數是由于人為因素造成的，但又很難避免。在芯片制造、生產(chǎn)、測試、搬運等過(guò)程中，靜電會(huì )積累在人體、儀器、設備之中，甚至芯片本身也會(huì )積累靜電，這些靜電一旦在某些情況下形放電通路
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Nexperia超低電容ESD保護二極管保護汽車(chē)數據接口
- 基礎半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia今天宣布擴展其超低鉗位和超低電容ESD保護二極管系列產(chǎn)品組合。該產(chǎn)品組合旨在保護USB 3.2、HDMI 2.0、LVDS、汽車(chē)A/V監視器、顯示器和攝像頭等高速數據線(xiàn)。此外，該產(chǎn)品組合還旨在解決未來(lái)高速視頻鏈路以及開(kāi)放技術(shù)聯(lián)盟MGbit以太網(wǎng)應用。 新晉產(chǎn)品包括2引腳單線(xiàn)器件PESD5V0C1BLS-Q和PESD5V0C1ULS-Q，采用超緊湊型DFN1006BD-2封裝，同時(shí)優(yōu)化了布線(xiàn)靈活性。此外，還有兩款采用DFN1006-3封裝的3引腳
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Nexperia的USB4 ESD二極管件實(shí)現了保護和性能的出色平衡
- 基礎半導體器件領(lǐng)域的專(zhuān)家Nexperia今日宣布推出兩款經(jīng)優(yōu)化的靜電放電(ESD)保護二極管件，適用于高速數據線(xiàn)中的重定時(shí)器和信號中繼器。PESD2V8Y1BSF專(zhuān)為保護USB4 (Thunderbolt)接口而設計，而PESD4V0Y1BCSF可適用于USB4以及HDMI 2.1。這兩款產(chǎn)品均使用Nexperia的成熟TrEOS技術(shù)，集低鉗位、低電容和高穩健性?xún)?yōu)勢于一身。 重定時(shí)器和信號中繼器是設計高速USB4接口常用的器件。它們需要電路板走線(xiàn)變更短，從而降低寄生電感，但也會(huì )意外地降低整體系統
- 關(guān)鍵字： Nexperia USB4 ESD 二極管件
功率半導體IGBT失效分析與可靠性研究
- 高端變頻空調在實(shí)際應用中出現大量外機不工作，經(jīng)過(guò)大量失效主板分析確認是主動(dòng)式PFC電路中IGBT擊穿失效，本文結合大量失效品分析與電路設計分析，對IGBT失效原因及失效機理分析，分析結果表明：經(jīng)過(guò)對IGBT失效分析及IGBT工作電路失效分析及整機相關(guān)波形檢測、熱設計分析、IGBT極限參數檢測對比發(fā)現IGBT失效由多種原因導致，IGBT在器件選型、器件可靠性、閂鎖效應、驅動(dòng)控制、ESD能力等方面存在不足，逐一分析論證后從IGBT本身及電路設計方面全部提升IGBT工作可靠性。
- 關(guān)鍵字： 主動(dòng)式PFC升壓電路 IGBT SOA 閂鎖效應 ESD 熱擊穿失效 202108 MOSFET
一種非對稱(chēng)雙向可控硅靜電防護器件的設計*
- 非對稱(chēng)雙向可控硅（ADDSCR）是在考慮了保護環(huán)結構之后，為使I-V特性曲線(xiàn)對稱(chēng)而設計的非對稱(chēng)結構，但是其維持電壓較低，容易閂鎖。為了提高傳統ADDSCR的維持電壓，基于0.18 μm BCD工藝，設計維持電壓高的HHVADDSCR。經(jīng)TCAD仿真，證明HHVADDSCR具有高維持電壓，避免了閂鎖，且器件適用于傳輸電平在18~60 V的芯片信號端口的靜電保護。
- 關(guān)鍵字： 202107 非對稱(chēng)可控硅 維持電壓 ESD 閂鎖效應
Nexperia推出適用于汽車(chē)應用中高速接口的新型ESD保護器件
- 基礎半導體器件領(lǐng)域的專(zhuān)家Nexperia宣布推出一系列ESD保護器件，專(zhuān)門(mén)用于保護汽車(chē)應用中越來(lái)越多的高速接口，特別是與信息娛樂(lè )和車(chē)輛通訊相關(guān)的車(chē)載網(wǎng)絡(luò )(IVN)。 隨著(zhù)數據傳輸速率的提高和車(chē)載電子含量的增加，EMC保護的需求變得越來(lái)越重要，提供正確的保護類(lèi)型已成為設計工程師的巨大挑戰。Nexperia的TrEOS技術(shù)優(yōu)化了ESD保護的三大關(guān)鍵參數（信號完整性、系統保護和魯棒性），以提供具有低電容、低鉗位電壓和高ESD魯棒性的理想組合的器件。 全新的PESD4USBx系列總共包括十二款采用Tr
- 關(guān)鍵字： Nexperia 高速接口 ESD
Nexperia推出用于HDMI 2.1和DP端口的具有ESD保護的共模濾波器
- 半導體基礎元器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia宣布推出全新產(chǎn)品PCMFxHDMI2BA-C，這款集成了ESD保護功能的共模濾波器具有超過(guò)10 GHz差分帶寬。它適用于高達12Gbps 的最新HDMI 2.1標準，能夠輕松通過(guò)眼圖測試。 Nexperia高速保護和濾波產(chǎn)品經(jīng)理Stefan Seider說(shuō)：“HDMI 2.1使顯示器具有更高的分辨率和更出色的色彩。但是，這需要更優(yōu)秀的抗干擾保護，尤其是在緊湊的無(wú)線(xiàn)應用中，這些2合1的ESD和濾波組合器件的性能和小尺寸非常適合對性能和空間有要求
- 關(guān)鍵字： Nexperia ESD
Nexperia全新車(chē)用TrEOS ESD保護器件兼具高信號完整性、低鉗位電壓和高浪涌抗擾度
- 半導體基礎元器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia推出四款全新的TrEOS ESD保護器件，這些器件通過(guò)了AEC-Q101認證，適用于車(chē)規級應用，并且可承受高達175°C的高溫。同時(shí)，與所有TrEOS器件一樣，這些新的車(chē)用器件具有很低的電容，可確保高信號完整性，并具有很低的鉗位電壓和高穩健性，適用于新的車(chē)載接口。具體的車(chē)載應用包括采用USB 3.2、HDMI、LVDS、SerDes和SD卡接口的信息娛樂(lè )、多媒體與ADAS系統。 Nexperia的TrEOS ESD保護技術(shù)利用有源可控硅整流來(lái)克服傳統保護
- 關(guān)鍵字： Nexperia 車(chē)用TrEOS ESD
Microchip推出3kW瞬態(tài)電壓抑制二極管陣列產(chǎn)品，實(shí)現嚴苛環(huán)境下出色的電路保護
- 航空航天系統依賴(lài)于引擎控制單元、環(huán)境控制、儀器和執行器中的數字和邏輯功能與電路才能完成關(guān)鍵的工作。數據中心、5G基礎設施和通信系統同樣依賴(lài)于復雜的電路，而這些電路需要得到妥善保護。即便有閃電、太陽(yáng)活動(dòng)和電磁事故引起的電壓浪涌和尖峰，系統仍必須保持連續運行。Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）今日宣布推出其最新瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）垂直陣列產(chǎn)品組合 — MDA3KP瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）。?該3kW二極管系列擁有超過(guò)25款產(chǎn)品，具有不同的篩選級別、極性和認證標
- 關(guān)鍵字： TVS SBD ESD EFT MSL RTCA
e絡(luò )盟推出專(zhuān)家精選頂級防靜電產(chǎn)品系列
- 近日，全球電子元器件與開(kāi)發(fā)服務(wù)分銷(xiāo)商e絡(luò )盟推出全面的防靜電產(chǎn)品系列以保護電子元器件免受靜電放電（ESD）損壞，為客戶(hù)的制造和供應流程提供有力支持。在電子元器件和產(chǎn)品制造、儲存、裝運及安裝過(guò)程中，ESD可能會(huì )對其造成損壞。這種損壞往往無(wú)法通過(guò)質(zhì)量控制檢測、測試或老化測試檢測出來(lái)，且會(huì )影響產(chǎn)品的質(zhì)量和可靠性。供應鏈內的所有客戶(hù)，包括原始設備制造商（OEM）、合約電子制造商 (CEM)、電子和測試工程師、ESD敏感器件倉儲以及半導體和開(kāi)發(fā)套件買(mǎi)家，都應在產(chǎn)品的整個(gè)制造和供應周期內采取措施防止ESD損壞。e絡(luò )盟內
- 關(guān)鍵字： ESD 防靜電
Nexperia推出首款支持USB4標準的ESD保護器件
- 奈梅亨，三月 10, 2020：Nexperia，分立器件、MOSFET器件及模擬和邏輯器件領(lǐng)域的生產(chǎn)專(zhuān)家，今日宣布推出PESD2V8R1BSF，這是業(yè)內首款專(zhuān)門(mén)針對USB4TM標準開(kāi)發(fā)的ESD保護器件，具有行業(yè)領(lǐng)先的RF性能。新款器件采用Nexperia的TrEOS ESD技術(shù)與有源可控硅（SCR）技術(shù)，USB4TM和Thunderbolt接口設計工程師將會(huì )特別感興趣。該器件可實(shí)現極低電容（低至0.1 pF）；極低鉗位電壓 動(dòng)態(tài)電阻低至0.1 ?）以及非常穩健的防浪涌與ESD性能（，最高可達20A 8/
- 關(guān)鍵字： Nexperia USB4 ESD 保護器件
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