ESD/EOS，才是電子電路的護法英雄

　　隨著(zhù)電子產(chǎn)品迅速走向隨身使用化、功能強大化與低功耗化，半導體技術(shù)的持續微縮就沒(méi)有停止的可能性。然而，這樣的演變趨勢造就了電子產(chǎn)品‘使用可靠性的設計工作’重要性和電子產(chǎn)品‘功能的設計工作’本身一樣重要。

　　這是因為外在的暫態(tài)雜訊干擾能量變得很容易進(jìn)入電子產(chǎn)品內部，加上電子產(chǎn)品內部的晶片零組件因半導體微縮而變得十分孱弱，從而導致電子產(chǎn)品本身的正常運作就變得易于受到干擾與破壞。

　　Silicon Labs執行長(cháng)Tyson Tuttle

　　而在電子產(chǎn)品‘使用可靠性的設計工作’中，防止靜電放電(ESD)與過(guò)電壓(EOS)轟擊所造成的影響與破壞則是設計重心，因為這兩項暫態(tài)雜訊已經(jīng)成為現今電子產(chǎn)品的主要殺手了。

　　因此，我們可以預見(jiàn)的是，2016年的電子產(chǎn)品仰賴(lài)ESD/EOS保護元件提供有效保護功能的依賴(lài)程度將會(huì )比2015年更深。另一方面，對于ESD/EOS保護元件的選擇也會(huì )完全采用與IC一樣的矽制程所設計制作的元件，如瞬態(tài)電壓抑制二極體陣列(TVS array)，因為這樣才能提供與系統功能晶片一樣電性屬性的保護規格。

　　換言之，以IC設計技術(shù)所開(kāi)發(fā)的ESD/EOS保護元件將是2016年的保護IC主角。舉例而言，一個(gè)工作電壓是1.5V的系統，如果不選擇以IC設計技術(shù)所設計出的ESD/EOS保護元件，則選擇的其他保護元件如果不是由于箝制電壓太高而無(wú)保護效果——如壓敏電阻(Varistor)，就是箝制電壓夠低但漏電太高而影響系統正常工作——如齊納二極體(Zener diode)。

　　而利用IC設計技術(shù)開(kāi)發(fā)ESD/EOS保護元件的好處，就是其電性設計存在很大的設計空間，無(wú)論是元件的導通電壓從1V到200V、元件的箝制電壓適用于0.9V到100V工作電壓的系統以及元件的寄生電容從0.1pF到100pF等都可以設計出來(lái)，完全不受材料本身的特性所限制，這樣才能為系統設計者提供一個(gè)有效工具來(lái)完成其產(chǎn)品的‘使用可靠度的設計工作’。

　　在下一個(gè)殺手級應用出現以前，預計即將出現在2016年電子產(chǎn)品市場(chǎng)且吸引消費者關(guān)注的重點(diǎn)將包括產(chǎn)品的‘使用可靠度’這一項，促使系統設計與制造者更加強化其產(chǎn)品的‘使用可靠度設計’，并進(jìn)一步促使ESD/EOS保護元件得更加普及化。