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e-mode gan 文章 進(jìn)入e-mode gan技術(shù)社區
一種GaN寬禁帶功率放大器的設計
- 氮化鎵(GaN)作為第三代半導體材料的典型代表之一，由于其寬帶隙、高擊穿電場(chǎng)強度等特點(diǎn)，被認為是高頻功率半導體器件的理想材料。為研究GaN功率放大器的特點(diǎn)，基于A(yíng)gilent ADS仿真軟件，利用負載／源牽引方法設計制作了一種S波段GaN寬禁帶功率放大器(10W)。詳細說(shuō)明了設計步驟并對放大器進(jìn)行了測試，數據表明放大器在2．3～2．4 GHz范圍內可實(shí)現功率超過(guò)15W，附加效率超過(guò)67％的輸出。實(shí)驗結果證實(shí)，GaN功率放大器具有高增益、高效率的特點(diǎn)。
- 關(guān)鍵字： 設計 功率放大器 GaN 一種
Diagnose LEDs by monitoring the switch-mode du
- A change in the forward voltage (VF) for a string of series-connected, high-brightness LEDs (HB LEDs) can indicate deterioration or complete failure of one or more of the LEDs. Accordingly, this circu
- 關(guān)鍵字： switch-mode monitoring Diagnose cycle
GaN功率半導體市場(chǎng)將迅速增長(cháng)，2013年市場(chǎng)規模達1.8億
- 美國iSuppli公布了關(guān)于GaN(氮化鎵)功率半導體市場(chǎng)將迅速增長(cháng)的調查報告)。報告顯示，2010年的市場(chǎng)規模近乎為零，但3年后到2013年將猛增至1.836億美元。各廠(chǎng)商將以替代現有功率MOSFET的方式，不斷擴大市場(chǎng)規模。iSuppli預測，該產(chǎn)品在高性能服務(wù)器、筆記本電腦、手機及有線(xiàn)通信設備等方面的應用將取得進(jìn)展。 目前，GaN功率半導體正處于在研究室評測階段，或者剛開(kāi)始商用化的階段。不過(guò)，GaN功率半導體與采用Si(硅)的功率MOSFET相比，具有導通電阻較低等優(yōu)點(diǎn)，可提高電源電路的轉
- 關(guān)鍵字： GaN MOSFET
IR推出革命性氮化鎵基功率器件技術(shù)平臺
- 國際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 宣布，成功開(kāi)發(fā)出一種革命性的GaN功率器件技術(shù)平臺。與此前最先進(jìn)的硅基技術(shù)平臺相比，該技術(shù)平臺可將關(guān)鍵特定設備的品質(zhì)因子 (FOM) 提高1/10，顯著(zhù)提高計算和通信、汽車(chē)和電器等終端設備的性能，并降低能耗。 開(kāi)拓性GaN功率器件技術(shù)平臺是IR基于該公司的GaN器件專(zhuān)利技術(shù)，歷經(jīng)5年研發(fā)而成的成果。 IR的GaN功率器件技術(shù)平臺有助于實(shí)現電源轉換解決方案的革命性進(jìn)步。通過(guò)有效利用公司60年來(lái)在電源轉換專(zhuān)業(yè)知識方面
- 關(guān)鍵字： IR 功率器件 GaN 終端
測試具備UMA/GAN功能的移動(dòng)電話(huà)技術(shù)問(wèn)題
- 要預測客戶(hù)對一款手機性能的接受程度，從而預測手機設計的品質(zhì)，需要進(jìn)行實(shí)際使用測試。使用測試是一種很有價(jià)值...
- 關(guān)鍵字： GAN 蜂窩 話(huà)音質(zhì)量
Cree推出用于5GHzWiMAX的GaN HEMT三極管
- Cree發(fā)布了兩款突破性的GaN HEMT三極管，用于覆蓋4.9-5.8GHz頻帶的WiMAX。新款三極管CGH55015F與CGH55030F是首次發(fā)布的特定工作在5.8GHz的GaN HEMT WiMAX產(chǎn)品，其性能級別進(jìn)一步證實(shí)了Cree在GaN技術(shù)上的的領(lǐng)導地位。 新款15-watt與30-watt器件的重要潛在特性包括： 1. 相比于類(lèi)似功率級的GaAs MOSFET器件，效率增加四倍 2. 相比于商業(yè)可用硅LDMOS，提高了工作頻率 3. 在免授權的5.8G
- 關(guān)鍵字： 三極管 WiMAX Cree GaN
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