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半導體大佬撐腰之下 GaN功率半導體能取代MOSFET？

2010年，供應商發(fā)布了第一波基于GaN技術(shù)的功率半導體。但直到最近，這種產(chǎn)品的可用性依然不高，價(jià)格也高昂不下，GaN技術(shù)一直在尋找理想的應用空間。隨著(zhù)時(shí)間的推移，這些器件預計將逐步應用到電動(dòng)汽車(chē)、移動(dòng)設備的快速充電適配器、無(wú)線(xiàn)充電和其他系統中，GaN基功率半導體器件正在電源市場(chǎng)上攻城拔寨。
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如何應對GaN測量挑戰

功耗是當今電子設計以及測試中最熱門(mén)也是競爭最激烈的領(lǐng)域之一。這是因為人們對高能效有強烈需求，希望能充分利用電池能量，幫助消減能源帳單，或者支持空間敏感或熱量敏感型應用。在經(jīng)過(guò)30年的發(fā)展之后，硅MOSFET發(fā)
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中國第三代半導體產(chǎn)業(yè)南方基地正式落戶(hù)東莞

　　中國第三代半導體產(chǎn)業(yè)南方基地(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“南方基地”)正式落戶(hù)東莞。9月30日，中國第三代半導體產(chǎn)業(yè)南方基地項目啟動(dòng)發(fā)布會(huì )在東莞召開(kāi)。國家科技部原副部長(cháng)、國家第三代半導體產(chǎn)業(yè)決策委員會(huì )主任曹健林，廣東省副省長(cháng)袁寶成、省科技廳廳長(cháng)黃寧生，市委副書(shū)記、市長(cháng)梁維東，國家第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng )新戰略聯(lián)盟理事長(cháng)吳玲等領(lǐng)導出席中國第三代半導體產(chǎn)業(yè)南方基地項目啟動(dòng)發(fā)布會(huì )并見(jiàn)證簽約儀式。　　副市長(cháng)楊曉棠，市政府黨組成員、松山湖管委會(huì )主任殷煥明等參加了啟動(dòng)儀式。　　為廣東實(shí)現半導體產(chǎn)業(yè)化提
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Dialog加入功率元件市場(chǎng)戰局 GaN應用成長(cháng)可期

　　隨著(zhù)去年Dialog取得了臺灣敦宏科技40%的股份后，國際Fabless業(yè)者Dialog于今日又有重要動(dòng)作。此次的重大發(fā)布是與晶圓代工龍頭臺積電(TSMC)在GaN(氮化鎵)元件的合作。　　　　Dialog企業(yè)發(fā)展及策略資深副總裁Mark Tyndall 　　透過(guò)臺積電以六寸晶圓廠(chǎng)的技術(shù)，Dialog推出了DA8801，Dialog企業(yè)發(fā)展及策略資深副總裁Mark Tyndall在會(huì )后接受CTIMES采訪(fǎng)時(shí)表示，該款元件為目前產(chǎn)業(yè)界首款將邏輯元件與GaN FET整合為單一
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以GaN打造的功率放大器為5G鋪路

　　德國弗勞恩霍夫應用固體物理研究所(Fraunhofer IAF)近日開(kāi)發(fā)出實(shí)現5G網(wǎng)路不可或缺的建構模組：以氮化鎵(GaN)技術(shù)制造的高功率放大器電晶體... 　　下一代行動(dòng)無(wú)線(xiàn)網(wǎng)路——5G，將為需要極低延遲的間和/或高達10Gbps資料傳輸速率的創(chuàng )新應用提供平臺。德國弗勞恩霍夫應用固體物理研究所(Fraunhofer Institute for Applied Solid State Physics，Fraunhofer IAF)近日開(kāi)發(fā)出實(shí)現5G網(wǎng)路不可或缺的一種建構模組
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GaN、SiC功率元件帶來(lái)更輕巧的世界

　　眾人皆知，由于半導體制程的不斷精進(jìn)，數位邏輯晶片的電晶體密度不斷增高，運算力不斷增強，使運算的取得愈來(lái)愈便宜，也愈來(lái)愈輕便，運算力便宜的代表是微電腦、個(gè)人電腦，而輕便的成功代表則是筆電、智慧型手機、平板。　　 ? 　　GaN、SiC、Si電源配接電路比較圖 (source：www.nedo.go.jp) 　　不過(guò)，姑且不論摩爾定律(Moors’ Law)能否持續下去，有些電子系統的輕便度仍待改進(jìn)提升，例如筆電出門(mén)經(jīng)常要帶著(zhù)一個(gè)厚重占體積的電源配接器(Power Ad
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諾貝爾獎后日本GaN產(chǎn)學(xué)應用新動(dòng)態(tài)

　　當諾貝爾獎委員會(huì )在2014年宣布物理獎得主是發(fā)明藍光LED而得獎的日本學(xué)者赤崎勇、天野浩與中村修二三位學(xué)者后，掀起日本人對LED及氮化鎵(GaN)注意，也讓相關(guān)研究單位及研究計劃獲得更多的支持與關(guān)注。　　比方2015年以諾貝爾獎得主天野浩帶頭的新單位─名古屋大學(xué)GaN聯(lián)盟，便有29家企業(yè)、14所大學(xué)、與2個(gè)技術(shù)研發(fā)基金會(huì )加入;日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)總和研究所(AIST)與名古屋大學(xué)(NagoyaUniversity)合作，在2016年成立產(chǎn)總研名大氮化鎵半導體先進(jìn)零組件開(kāi)創(chuàng )研究實(shí)驗室(GaN-OIL)，都是
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諾貝爾獎后　日本GaN產(chǎn)學(xué)應用新動(dòng)態(tài)

　　當諾貝爾獎委員會(huì )在2014年宣布物理獎得主是發(fā)明藍光LED而得獎的日本學(xué)者赤崎勇、天野浩與中村修二三位學(xué)者后，掀起日本人對LED及氮化鎵(GaN)注意，也讓相關(guān)研究單位及研究計劃獲得更多的支持與關(guān)注。　　比方2015年以諾貝爾獎得主天野浩帶頭的新單位─名古屋大學(xué)GaN聯(lián)盟，便有29家企業(yè)、14所大學(xué)、與2個(gè)技術(shù)研發(fā)基金會(huì )加入;日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)總和研究所(AIST)與名古屋大學(xué)(Nagoya University)合作，在2016年成立產(chǎn)總研名大氮化鎵半導體先進(jìn)零組件開(kāi)創(chuàng )研究實(shí)驗室(GaN-OIL)，都
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我國發(fā)展化合物半導體產(chǎn)業(yè)正當時(shí)

當前，全球半導體產(chǎn)業(yè)正處于深度變革，化合物半導體成為產(chǎn)業(yè)發(fā)展新的關(guān)注點(diǎn)，我國應加緊產(chǎn)業(yè)布局，搶占發(fā)展的主動(dòng)權。
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臺積電發(fā)力“硅基氮化鎵”元件受托業(yè)務(wù)

　　臺灣臺積電(TSMC)在“ISPSD 2016”上公開(kāi)了受托生產(chǎn)服務(wù)的藍圖及試制元件的特性等。該公司將采用在直徑150mm(6英寸)的硅基板上形成GaN層的“硅基氮化鎵”(GaN on Si)技術(shù)生產(chǎn)GaN晶體管。　　臺積電打算開(kāi)展受托生產(chǎn)的GaN晶體管有三種類(lèi)型：(1)常開(kāi)型(Normal On)MISFET、(2)常開(kāi)型HEMT、(3)常關(guān)型(Normal Off)。按耐壓高低來(lái)分有40V、100V和650V產(chǎn)品。　　其中，耐壓650V的常關(guān)
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Qorvo 新款GaN 50V 晶體管可大幅提升系統功率性能

　　移動(dòng)應用、基礎設施與航空航天、國防等應用中領(lǐng)先的RF解決方案供應商Qorvo, Inc.今日宣布，推出六款全新50V氮化鎵(GaN)晶體管---QPD1009和QPD1010，以及QPD1008(L)和QPD1015(L)，專(zhuān)門(mén)設計用于優(yōu)化商業(yè)用雷達、通信系統及航空電子應用的功率性能。　　Qorvo 國防與航空航天產(chǎn)品總經(jīng)理Roger Hall表示：“全新50V GaN晶體管系列通過(guò)提供更高功率增益和功率附加效率來(lái)提升系統性能。Qorvo可以更好地實(shí)現相位陣列雷達等先進(jìn)設備的要求，提供
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基于GaN FET的CCM圖騰柱無(wú)橋PFC

　　氮化鎵 (GaN) 技術(shù)由于其出色的開(kāi)關(guān)特性和不斷提升的品質(zhì)，近期逐漸得到了電力轉換應用的青睞。具有低寄生電容和零反向恢復的安全GaN可實(shí)現更高的開(kāi)關(guān)頻率和效率，從而為全新應用和拓撲選項打開(kāi)了大門(mén)。連續傳導模式 (CCM)圖騰柱PFC就是一個(gè)得益于GaN優(yōu)點(diǎn)的拓撲。與通常使用的雙升壓無(wú)橋PFC拓撲相比，CCM圖騰柱無(wú)橋PFC能夠使半導體開(kāi)關(guān)和升壓電感器的數量減半，同時(shí)又能將峰值效率推升到95%以上。本文分析了AC交叉區域內出現電流尖峰的根本原因，并給出了相應的解決方案。一個(gè)750W圖騰柱PFC原型機被
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TI的600V GaN FET功率級革命性地提升高性能電力轉換效能

　　基于數十年的電源管理創(chuàng )新經(jīng)驗，德州儀器(TI)近日宣布推出一款600V氮化鎵(GaN)70 mù場(chǎng)效應晶體管(FET)功率級工程樣片，從而使TI成為首家，也是唯一一家能夠向公眾提供集成有高壓驅動(dòng)器的GaN解決方案的半導體廠(chǎng)商。與基于硅材料FET的解決方案相比，這款全新的12A LMG3410功率級與TI的模擬與數字電力轉換控制器組合在一起，能使設計人員創(chuàng )造出尺寸更小、效率更高并且性能更佳的設計。而這些優(yōu)勢在隔離式高壓工業(yè)、電信、企業(yè)計算和可再生能源應用中都特別重要。如需了解更多信息
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安森美半導體推進(jìn)更快、更智能和更高能效的GaN晶體管

　　氮化鎵(GaN)是一種新興的半導體工藝技術(shù)，提供超越硅的多種優(yōu)勢，被稱(chēng)為第三代半導體材料，用于電源系統的設計如功率因數校正(PFC)、軟開(kāi)關(guān)DC-DC、各種終端應用如電源適配器、光伏逆變器或太陽(yáng)能逆變器、服務(wù)器及通信電源等，可實(shí)現硅器件難以達到的更高電源轉換效率和更高的功率密度水平，為開(kāi)關(guān)電源和其它在能效及功率密度至關(guān)重要的應用帶來(lái)性能飛躍?！　aN的優(yōu)勢　　從表1可見(jiàn)，GaN具備出色的擊穿能力、更高的電子密度及速度，和更高的工作溫度。GaN提供高電子遷移率，這意味著(zhù)開(kāi)關(guān)過(guò)程的反向恢復時(shí)間可忽略不計
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