IDT推出業(yè)界最低功率DDR3-1866內存緩沖芯片

　　擁有模擬和數字領(lǐng)域的優(yōu)勢技術(shù)、提供領(lǐng)先的混合信號半導體解決方案的供應商 IDT^®公司 (Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI) 日前推出業(yè)界首款低功率DDR3 內存緩沖芯片，可在高達 1866 兆/秒 (MT/s) 的傳輸速率下運行。通過(guò)提升 DDR3 減少負載雙列直插內存模塊 (LRDIMM) 的最高數據傳輸速率，并使系統制造商獲益于更高速度的內存容量，新器件彰顯了IDT在內存接口解決方案領(lǐng)域的領(lǐng)導者地位。IDT 的內存緩沖芯片是用于服務(wù)器、工作站和存儲應用的先進(jìn)內存子系統的關(guān)鍵組件?！　?/p>本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/138906.htm

　　MB3518 是一個(gè)低功率 DDR3 內存緩沖芯片，能在 1 個(gè)通道內與 2 個(gè) LRDIMM 以高達1866 兆/秒的傳輸速率運行。假設一個(gè) 32GB 容量的 4 通道 (quad-rank) LRDIMM，相當于在一個(gè)典型服務(wù)器中傳輸速率為 1866 兆/秒的 512GB 容量，那么使用 8 通道 64GB 的 LRDIMM 容量能翻番達到超過(guò) 1TB，預計將在 2013 年推出。這意味著(zhù)相比于標準注冊的雙列直插內存模塊 (RDIMMs)，在最高速度等級的相對容量?jì)葘?shí)現了四倍的提升，使計算系統能夠支持更多內存并提升應用性能。內存緩沖芯片可在 1.5 V 或 1.35V 下運行，在不犧牲性能的前提下提供業(yè)界最低的功耗。這直接使得終端用戶(hù)在功率和冷卻方面節約可觀(guān)的運營(yíng)費用。

　　IDT 公司副總裁兼企業(yè)計算部總經(jīng)理 Mario Montana 表示：“作為內存接口解決方案的領(lǐng)導廠(chǎng)商，IDT 正在提高 LRDIMM 的性能極限。通過(guò)專(zhuān)注于低功率和高性能，在提升速度的同時(shí)堅持開(kāi)發(fā)高效節能的解決方案以降低數據中心的運行成本并減少碳排放，IDT 的客戶(hù)們可以從中獲益。從系統來(lái)看，IDT 豐富的接口和互聯(lián)產(chǎn)品組合為廣大客戶(hù)提供了有吸引力的價(jià)值選擇，幫助他們構建市場(chǎng)上最先進(jìn)的企業(yè)服務(wù)器和存儲設備。”

　　美光 (NASDAQ: MU) DRAM 市場(chǎng)部副總裁 Robert Feurle 表示：“美光致力于提供能夠在提升性能的同時(shí)降低功率的 LRDIMM 解決方案，來(lái)滿(mǎn)足我們的客戶(hù)在高性能計算 (HPC)、數據中心和云計算方面的需求。我們很高興與 IDT 緊密合作，開(kāi)發(fā)下一代 LRDIMM 產(chǎn)品。”

　　IDT 的內存緩存芯片擁有獨有的調試和驗證特性，包括每個(gè)引腳和晶片示波器的支持和內置邏輯分析儀的采集以促進(jìn)全緩沖 DIMM 拓撲技術(shù)的開(kāi)發(fā)、驗證和測試。這些特性對于 LRDIMM 模塊上的內存緩沖到 DRAM 接口尤其重要，因為它是完全獨立于主控制器和自動(dòng)測試儀的。IDT 內存緩沖芯片符合聯(lián)合電子工程委員會(huì ) (JEDEC) 設立的最嚴格的規范。

　　供貨

　　IDT MB3518 和 MB3516 目前已向合格客戶(hù)提供樣品，有蓋和無(wú)蓋產(chǎn)品均采用 588 引腳 FCBGA 封裝。