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第三季全球電子元器件價(jià)格上漲 市場(chǎng)短暫回溫
- 8月5日消息，據市場(chǎng)調研公司iSuppli日前發(fā)布的報告顯示，由于產(chǎn)品短缺，以及內存芯片市場(chǎng)價(jià)格上漲，預計在今年第三季度中，全球電子元器件的定價(jià)將比第二季度增長(cháng)2.3%。 據國外媒體報道，iSuppli公司表示，在2008年第四季度中，全球電子元器件的價(jià)格就下降了8.4%;在今年第一季度中，價(jià)格繼續下降了9.2%;甚至在接下來(lái)的第二季度中仍然下降了5%。不過(guò)，預計在第三季度中，電子元器件市場(chǎng)的價(jià)格將經(jīng)歷一段較短的增長(cháng)期。事實(shí)上，大多數元器件的價(jià)格在第三季度都可能下跌，但是其平均價(jià)格將被DRAM芯
- 關(guān)鍵字： 電子元器件 DRAM DDR3 分立元件 濾波器
爾必達的DDR3 DRAM產(chǎn)量將提高一倍以上
- 日本爾必達存儲公司稱(chēng)，計劃下月將把用于高速計算機和服務(wù)器的高級DRAM 芯片產(chǎn)量提高一倍多。此消息一出，周一該公司股價(jià)被推高。 爾必達表示，從9月開(kāi)始，將把DDR3芯片的產(chǎn)量從現在的月產(chǎn)20000-30000片提高到每月75000片。 DDR3 芯片的現貨價(jià)格大約在2.10美元，比5月時(shí)的價(jià)格上漲了約30%，這促使爾必達及其競爭對手三星電子有限公司和海力士半導體公司將重心更多地轉移到這種新型芯片上。今年第二季度期間，韓國包括三星電子和海力士在內的芯片企業(yè)在全球半導體市場(chǎng)上占有的份額超過(guò)60
- 關(guān)鍵字： 爾必達 DRAM DDR3
美光推出增加服務(wù)器內存容量和提升性能的新方法
- 美光科技股份有限公司近日宣布生產(chǎn)出業(yè)內首個(gè)DDR3低負載雙列直插內存模塊(LRDIMM)，并將于今年秋季開(kāi)始推出16GB版本的樣品。通過(guò)減少服務(wù)器內存總線(xiàn)上的負載，美光的LRDIMM可用以支持更高的數據頻率并顯著(zhù)增加內存容量。 新的LRDIMM將采用美光先進(jìn)的1.35v 2Gb 50nm 的DDR3內存芯片制造。由于芯片的高密度和業(yè)內領(lǐng)先的小尺寸，使美光能夠輕松并具成本效益地增加服務(wù)器模塊的容量。美光的2Gb 50nm DDR3產(chǎn)品目前正在進(jìn)行客戶(hù)認證，將很快進(jìn)行大量生產(chǎn)。 如今多數中端企
- 關(guān)鍵字： 美光 LRDIMM DDR3 50nm
華亞科完成百億元募資 加速轉進(jìn)50納米制程
- DRAM大廠(chǎng)華亞科日前辦理的海外存托憑證案(GDR)原本價(jià)格訂為新臺幣14.5元，預期募集資金116億元，然近期股價(jià)受惠DRAM產(chǎn)業(yè)回春和DRAM價(jià)格反彈，因此一路上漲，最后完成定價(jià)，訂為每股約16.02元，與日前收盤(pán)價(jià)相較，則是折價(jià)約10%，預計可募得102.5億元資金，加速華亞科下半年將12寸晶圓廠(chǎng)到入50納米制程。 科技大廠(chǎng)法說(shuō)會(huì )起跑，2009年DRAM產(chǎn)業(yè)由華亞科和南亞科打頭陣舉辦，將于本周登場(chǎng)，也是華亞科已公布第2季的營(yíng)運數字，虧損縮小至41億元，南亞科估計虧損也將較第1季大幅減少，約
- 關(guān)鍵字： DRAM 50納米 DDR3
南亞科成臺灣首家獲營(yíng)運資金DRAM廠(chǎng)
- 南亞科努力進(jìn)行營(yíng)運轉型，如期在6月底之前達成減資和增資的動(dòng)作。日前辦理10億股的私募，正式以每股私募價(jià)格新臺幣12.22元的定價(jià)，取得122.2億元的資金，認購人包括南亞塑料、臺灣化學(xué)纖維、臺灣塑料、臺塑石化、麥寮汽電和長(cháng)庚醫療財團法人，全數由母公司相關(guān)企業(yè)力挺到底，成為臺灣第1家獲得營(yíng)運資金的DRAM廠(chǎng)，南亞科表示，三廠(chǎng)(Fab3)要盡快轉入50奈米的堆疊式技術(shù)制程，降低成本結構。 臺塑集團對外宣示不加入TMC以來(lái)，以實(shí)際行動(dòng)力挺自家DRAM廠(chǎng)進(jìn)行營(yíng)運體質(zhì)強化運動(dòng)，并挹注新的營(yíng)運資金，使得旗下
- 關(guān)鍵字： 南亞 DRAM 50納米 DDR3
韓國海力士在無(wú)錫成功“擴容” 規模國內最大
- 繼韓國海力士十二英寸封裝測試項目落戶(hù)無(wú)錫，其在無(wú)錫的銷(xiāo)售中心日前也正式簽約。海力士無(wú)錫工廠(chǎng)新任董事權五哲日前透露，十二英寸后工序項目明年初將建設完畢，屆時(shí)，該集團將真正實(shí)現在無(wú)錫的一體化生產(chǎn)，成為中國最大的半導體生產(chǎn)基地。 海力士半導體是世界第二大DRAM制造商，也在全球半導體公司中名列前茅。無(wú)錫工廠(chǎng)是其在海外唯一的生產(chǎn)基地，承擔了韓國總部百分之五十的DRAM生產(chǎn)量，占全世界DRAM市場(chǎng)的百分之十。 權五哲稱(chēng)，金融危機下，國際內存需求量逆勢上升，該公司目前內存價(jià)格較年初已上漲二倍。明年實(shí)現
- 關(guān)鍵字： 海力士 DRAM 封裝測試 DDR3
DDR2時(shí)代終結？三星啟動(dòng)DDR3交替計劃
- 三星近日宣布，將全力推動(dòng)DDR3的普及。由于2GB容量DDR3與DDR2模組差價(jià)模已拉近至1美元，近期三星鎖定部分一線(xiàn)大客戶(hù)，利用DDR3與DDR2的差價(jià)策略，鼓勵PC用戶(hù)積極采購DDR3平臺。 三星力推DDR3與DDR2無(wú)價(jià)差策略 DRAM廠(chǎng)表示，三星規劃DDR3交替腳步相當積極，多次出面力挺DDR3時(shí)代將來(lái)臨，使得其他DRAM廠(chǎng)包括海力士(Hynix)、美光(Micron)、爾必達(Elpida)等，對于加快腳步導入DDR3，亦顯得興致高昂。不過(guò)，近期三星對于DDR3價(jià)格殺傷力極大，恐
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM DDR3
三星開(kāi)始DDR3存儲器量產(chǎn)
- 為了配合英特爾不久前剛宣布的Xeon 5500系列處理器的需求問(wèn)題，三星電子準備開(kāi)始50納米的DDR3量產(chǎn)。 DDR3是第3代的同步雙速率存儲器。三星及業(yè)界都相信今年底將成為全球存儲器的主流技術(shù)。但也有些分析師，包括Needham的Edwin Mok認為DDR3今年可能不會(huì )有實(shí)質(zhì)性的太多進(jìn)展。 三星表示DDR3能使設計servers的OEM與DDR2相比較，每個(gè)系統提升到192Gb，并在功能提高一倍時(shí)功耗降低60%(速度提高到每秒133Mb時(shí))。 未來(lái)Xeon 5500處理器結合DD
- 關(guān)鍵字： 三星 DDR3 存儲器
傳英特爾AMD將向DDR3內存過(guò)渡推遲到2010年
- 據臺灣地區的主板廠(chǎng)商稱(chēng)，雖然英特爾和AMD原來(lái)預計其所有產(chǎn)品都要在2009年全面向DDR3內存過(guò)渡，但是，這兩家廠(chǎng)商現在要推遲僅支持DDR3內存的芯片組。DDR3這代內存預計要在2010年之后才能廣泛應用。 由于DDR3內存價(jià)格的下降沒(méi)有英特爾預期的那樣快，同時(shí)英特爾Corei7CPU和X58芯片組還沒(méi)有達到預期，英特爾決定將僅支持DDR3內存的5系列芯片組推遲到今年9月。 同時(shí)，AMD仍在努力解決技術(shù)難題，以便實(shí)現建在基于A(yíng)M3的處理器中的DDR3控制器的穩定性和兼容性。因此，AMD在它
- 關(guān)鍵字： AMD DDR3
安森美半導體為DDR3存儲器模塊應用推出集成EEPROM的溫度傳感器
- 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò )家園
- 關(guān)鍵字： ONSEMICONDUCTOR DDR3 CAT34TS02
DDR3：千呼萬(wàn)喚始出來(lái) 尤抱琵琶半遮面
- 內存是PC機重要的部件之一，一般而言，每代內存規格的生命周期為3-5年，如今DDR2規格在經(jīng)歷了4年左右的發(fā)展后，已經(jīng)進(jìn)入了其生命的最后歷程。 隨著(zhù)電腦技術(shù)以及應用軟件的不斷進(jìn)步，在各種應用當中， DDR2內存無(wú)論在性能還是功耗上對現今以及未來(lái)的需求都顯的有些捉襟見(jiàn)肘。作為IT行業(yè)的領(lǐng)跑者，在Intel現階段以及今后的發(fā)展藍圖中，我們可以看見(jiàn)DDR3內存正逐漸取代DDR2。 作為即將取代DDR2規格內存的DDR3，相比DDR2頻率上限更高且電壓更低，這些改進(jìn)能為我們帶來(lái)什么好處呢？
- 關(guān)鍵字： DDR3 Windows Vista 功耗 內存 DDR2
在DDR3 SDRAM存儲器接口中使用調平技術(shù)
- 引言 DDR3 SDRAM存儲器體系結構提高了帶寬，總線(xiàn)速率達到了600 Mbps至1.6 Gbps (300至800 MHz)，它采用1.5V工作，降低了功耗，90-nm工藝密度提高到2 Gbits。這一體系結構的確速率更快，容量更大，單位比特的功耗更低，但是怎樣才能實(shí)現DDR3 SDRAM DIMM和FPGA的接口呢?調平技術(shù)是關(guān)鍵。如果FPGA I/O結構中沒(méi)有直接內置調平功能，和DDR3 SDRAM DIMM的接口會(huì )非常復雜，成本也高，需要采用大量的外部元件。那么，什么是調平技術(shù)，這一技
- 關(guān)鍵字： FPGA 存儲器 DDR3 SDRAM
DRAM過(guò)剩為DDR3內存加速普及帶來(lái)良機
- 據國外媒體報道，人們現在可以歡呼DRAM內存芯片的供過(guò)于求，雖然它影響了一些公司和它們的庫存產(chǎn)品價(jià)格。從積極的角度看，較低的內存價(jià)格正在刺激電腦制造商在新機器上安裝更多DRAM芯片，同時(shí)將促使DRAM制造商加快推出速度更快和更先進(jìn)的第三代內存芯片。 全球最大DRAM制造商三星電子公司相信，內存價(jià)格下跌將加快業(yè)界采用更大字節容量DRAM芯片的步伐，其速度將大大超過(guò)以往。就在三個(gè)月前，三星公司曾表示，由于價(jià)格疲弱，電腦標配內存已從512M變成了1G。 目前，主流DRAM芯片為1G字
- 關(guān)鍵字： DRAM DD2 DDR3 電腦組件
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