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集邦科技: 全球DRAM產(chǎn)業(yè)營(yíng)收2010第一季營(yíng)收續成長(cháng)6.9%
- 根據集邦科技公布價(jià)格，DDR3合約季均價(jià)與現貨季均價(jià)繼2009年第四季分別大漲40%與30%后，在2010年第一季分別續漲16%與 14%;DDR2合約季均價(jià)與現貨季均價(jià)2009年第四季分別大漲61%與68%后，在2010年第一季淡季不淡，合約季均價(jià)續漲5%，現貨季均價(jià)持平，持續維持在高檔價(jià)格。 由于計算機系統廠(chǎng)商于第一季拉高DDR3的搭載比例由去年第四季的40%拉高至60% 造成第一季DDR3供貨吃緊。DDR2方面在現貨市場(chǎng)需求仍大部份在DDR2，而DRAM廠(chǎng)快速轉進(jìn)至DDR3，使買(mǎi)方亦努力拉
- 關(guān)鍵字： Samsung DRAM DDR3
27日:AMD推7款嵌入式處理器支持DDR3
- newsfactor.com：谷歌Android市場(chǎng)目前已有3.8萬(wàn)個(gè)應用程序 Android市場(chǎng)向企業(yè)開(kāi)放僅僅幾個(gè)月之后，這個(gè)移動(dòng)應用程序市場(chǎng)就提供了3.8萬(wàn)多個(gè)移動(dòng)應用程序。推出其開(kāi)源軟件Android操作系統市場(chǎng)的谷歌正在與蘋(píng)果應用程序商店爭奪人們的注意力。 有報道稱(chēng)，谷歌Android市場(chǎng)已經(jīng)有5萬(wàn)個(gè)應用程序。但是，谷歌發(fā)言人Anthony House說(shuō)，截止到4月15日，谷歌有3.8萬(wàn)多個(gè)應用程序。他不愿意對5萬(wàn)個(gè)應用程序的報道發(fā)表評論。 無(wú)論是3.8萬(wàn)還是5萬(wàn)個(gè)應用程序，
- 關(guān)鍵字： AMD 嵌入式處理器 DDR3
AMD 集顯SOC芯片將采用基于體硅制程的40nm制程技術(shù)制作
- AMD公司據稱(chēng)已經(jīng)收到了首批Fusion集顯處理器產(chǎn)品Ontario的試產(chǎn)樣件。Ontario是Fusion集顯處理器系列產(chǎn)品中專(zhuān)門(mén)面向上網(wǎng)本， 平板電腦以及其它低功耗設備的處理器。這款處理器將采用內部集成Bobcat架構雙核x86處理器核心的設計，同時(shí)還將集成DX11級別集顯核心和 DDR3內存控制器。不過(guò)從本質(zhì)上講，Ontario其實(shí)算是一款單芯片式的SOC產(chǎn)品。據Xbit labs網(wǎng)站的報道，Ontario芯片將會(huì )使用基于體硅的40nm制程工藝制作。 這款芯片的可能代工方將有Globalf
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全球最大容量 爾必達4Gb DDR3顆粒開(kāi)發(fā)完成
- 日本DRAM大廠(chǎng)爾必達今天宣布，已經(jīng)成功開(kāi)發(fā)出4Gbit容量DDR3內存顆粒。這是目前市場(chǎng)上DDR3顆粒的最大容量，只需單面8顆即可組成 4GB容量?jì)却鏃l，雙面16顆即可構成單條8GB內存。該顆粒使用40nm CMOS工藝制造，相比同工藝的2Gb顆?？晒澞?0%。支持x4、x8、x16 bit位寬，其中x4/x8位寬版本采用78-ball FBGA封裝，x16bit產(chǎn)品采用96-ball FBGA封裝。除DDR3標準的1.5V電壓外，還可支持1.35V低壓標準。 爾必達計劃將該顆粒使用在單條32
- 關(guān)鍵字： 爾必達 40nm CMOS DDR3
壞消息：DDR2/DDR3芯片價(jià)格仍保持漲勢
- 1Gb DDR2/DDR3內存芯片的現貨價(jià)格最近雙雙上漲到了接近3美元的價(jià)位，顯示目前內存芯片市場(chǎng)仍處于供不應求的緊張局面。據消息來(lái)源表示，造成這種局面 的原因主要是內存芯片廠(chǎng)商目前都在實(shí)施轉產(chǎn)DDR3芯片的動(dòng)作;另外一方面，由于PC廠(chǎng)商事先預計到了這種狀況，因此這些廠(chǎng)商事先都采取了較大量訂貨的策 略，而這則進(jìn)一步加劇了這種危機。 據DRAMeXchange統計，3月18日，打標和eTT(即經(jīng)過(guò)芯片廠(chǎng)商完全測試，但沒(méi)有打上原廠(chǎng)激光標記的芯片)1Gb DDR2芯片的價(jià)格分別上升了3.97%和4.3
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三星、力晶猛喊節制擴產(chǎn) DRAM廠(chǎng)：高手過(guò)招戲碼
- 三星電子(Samsung Electronics)半導體事業(yè)社長(cháng)權五鉉(Dr. Oh-Hyun Kwon)16日來(lái)臺參加全球半導體聯(lián)盟(GSA)論壇，吸引DRAM業(yè)者紛前來(lái)聆聽(tīng)龍頭廠(chǎng)對景氣風(fēng)向球。權五鉉表示，2010年下半DRAM價(jià)格可以維持穩定，未來(lái)DRAM業(yè)者不應一昧地追求價(jià)格和成本，而是要節制瘋狂擴充產(chǎn)能;力晶董事長(cháng)黃崇仁在現場(chǎng)亦舉手建言，呼吁大家不要再亂投資擴產(chǎn)，要追求合理價(jià)格更勝于超額利潤;此番臺、韓存儲器廠(chǎng)高層過(guò)招，成為整個(gè)論壇最大高潮。 權五鉉16日在GSA論壇發(fā)表有關(guān)半導體市場(chǎng)及
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DDR3測試產(chǎn)能不足 DRAM封測廠(chǎng)加緊進(jìn)設備
- 隨著(zhù)各家DRAM廠(chǎng)加快腳步轉進(jìn)DDR3，對后段廠(chǎng)而言，封裝產(chǎn)能利用率處于高檔，然測試、預燒等相關(guān)產(chǎn)能則呈不足現象，各家封測廠(chǎng)上演搶機臺戲碼，希望能夠盡量提前讓機臺進(jìn)駐廠(chǎng)區，隨著(zhù)工作天數恢復正常，存儲器封測廠(chǎng)3月接單熱絡(luò )，預期單月?tīng)I收應可處于歷史高檔水平。 受惠于2010年存儲器市場(chǎng)復蘇，以及DDR2轉換至DDR3速度加快，力成訂單能見(jiàn)度延展至6~7月，華東也看到4月訂單。整體產(chǎn)能利用率依舊維持滿(mǎn)載，客戶(hù)端需求非常強勁，產(chǎn)出速度還跟不上訂單的腳步。尤其在測試部分，卡在測試機臺供應不及，測試產(chǎn)能不足
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三星首家量產(chǎn)40nm級工藝4Gb DDR3綠色內存芯片
- 三星電子宣布，該公司已經(jīng)在業(yè)內第一家使用40nm級別工藝批量生產(chǎn)低功耗的4Gb DDR3內存芯片。 這種內存芯片支持1.5V和1.35V兩種工作電壓，可組裝成16/32GB RDIMM服務(wù)器內存條或者8GB SO-DIMM筆記本內存條，性能1.6Gbps，功耗相比于上一代產(chǎn)品降低35%，能為數據中心、服務(wù)器系統或者高端筆記本節省大量能源。 三星指出，目前服務(wù)器系統平均每路處理器搭配六條RDIMM內存條，總容量最大96GB，如果是60nm 1Gb DDR2芯片，內存子系統功耗可達210W，換
- 關(guān)鍵字： 三星電子 40nm DDR3
鎂光南亞合作開(kāi)發(fā)出42nm制程2Gb DDR3內存芯片
- 鎂光公司與其合作伙伴南亞公司最近公開(kāi)展示了其合作開(kāi)發(fā)的42nm制程2Gb DDR3內存芯片產(chǎn)品，雙方并宣稱(chēng)下一代30nm制程級別的同類(lèi)產(chǎn)品已經(jīng)在鎂光設在Boise的研發(fā)中心開(kāi)始研制。 兩家廠(chǎng)商預計將于今年第二季度開(kāi)始42nm 2Gb DDR3內存芯片的試樣生產(chǎn)，并將于今年下半年開(kāi)始量產(chǎn)這種產(chǎn)品。 兩家廠(chǎng)商宣稱(chēng)其42nm制程DDR3內存芯片產(chǎn)品的工作電壓僅1.35V左右，比前代產(chǎn)品的1.5V工作電壓低了不少，可節省30%電能。 這款42nm 2Gb
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DDR2芯片價(jià)格有望在下半年超過(guò)DDR3
- 報道，威剛主席Simon Chen今天表示，隨著(zhù)DRAM制造商把重點(diǎn)放在DDR3芯片生產(chǎn)上，DDR2芯片的出貨量將開(kāi)始減少，其價(jià)格有望在今年下半年超過(guò)DDR3。 Simon Chen認為，DDR2在低端PC市場(chǎng)還是比較受歡迎。如果1Gb DDR2的價(jià)格低于2美元，那么它需求將會(huì )出現大幅度增長(cháng)。 Simon Chen還表示，上游芯片供應商紛紛通過(guò)工藝升級的方式來(lái)加大DDR3芯片的產(chǎn)量，不過(guò)這種升級或許會(huì )因為其它設備的供應短缺而延緩。 根據DRAMeXchange的監測，1Gb DDR2
- 關(guān)鍵字： DRAM DDR3 DDR2
三星發(fā)布全球首顆30nm級工藝DDR3內存芯片
- 三星電子宣布，全球第一顆采用30nm級別工藝的DDR3 DRAM內存芯片已經(jīng)通過(guò)客戶(hù)認證。注意這里說(shuō)的是30nm級別工藝(30-nm class)，而不是真正的30nm，也就是說(shuō)有可能是38nm 之類(lèi)的。三星此前投產(chǎn)的3-bit MLC NAND、異步DDR 32Gb MLC NAND閃存芯片同樣也是這種30nm級別的。 三星這種30nm工藝級DDR3 DRAM內存芯片的容量為2Gb，支持1.5V標 準電壓和1.35V低電壓，相比50nm工藝級可節省最多30%的功耗，因此又稱(chēng)為綠色內存(Gree
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DRAM迎來(lái)希望之光 年底將“春光燦爛”
- 在DRAM市場(chǎng)的歷史上，2009年初可能是最黑暗的時(shí)期之一，當時(shí)廠(chǎng)商能活下來(lái)就不錯了。 但是，繼春季溫和復蘇之后，DRAM供應商的黑暗日子結束，夏天迎來(lái)了光明。價(jià)格在春季的基礎上持續上漲，營(yíng)業(yè)收入也水漲船高。三星走在前列，營(yíng)業(yè)利潤率為19%，營(yíng)業(yè)收入達22億美元，市場(chǎng)份額擴大到35.5%的最高水平。 DDR3來(lái)臨 第三季度，下一代DRAM技術(shù)——DDR3看到希望，而且顯然這種技術(shù)代表未來(lái)的一股潮流。iSuppli公司預測，DDR3出貨量將在2010年第一季度超
- 關(guān)鍵字： DRAM DDR3 DDR2
DRAM跌價(jià)襲擊 模塊廠(chǎng)1月?tīng)I收處變不驚
- 2010年1月農歷春節前的補貨行情落空，DRAM價(jià)格大跌，所幸NAND Flash價(jià)格比預期強勢，存儲器模塊廠(chǎng)1月?tīng)I收可望維持平穩，與2009年12月相較，呈現小漲或小跌的局面，整體第1季營(yíng)收受到2月農歷過(guò)年工作天數減少影響，而呈現下滑，但整體行情不看淡;模塊廠(chǎng)認為，DDR3目前仍是缺貨，往下修正的幅度有限，一方面DDR3利潤較高，另一方面DDR3短期會(huì )被DDR2價(jià)格帶下來(lái)，但整體第1季DDR3供貨仍相對吃緊。 存儲器模塊廠(chǎng)2009年交出豐厚的成績(jì)單，創(chuàng )見(jiàn)、威剛都賺足1個(gè)股本，但2010年1月立
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND DDR3
IDT推出DDR3內存模塊高精度溫度傳感器
- IDT 公司推出首款針對DDR2和DDR3內存模塊、固態(tài)硬盤(pán)和電腦主板市場(chǎng)的高精度溫度傳感器。新器件有助于企業(yè)、移動(dòng)及嵌入式計算系統以最高效率運行，通過(guò)監測各子系統的溫度來(lái)節省總電力，提高可靠性和性能。 全新的IDT溫度傳感器可測量計算子系統的局部溫度，一旦溫度上升超過(guò)預定水平，系統控制器就會(huì )通過(guò)控制系統帶寬、調整內存刷新率或改變風(fēng)扇速度進(jìn)行響應。此外，如果溫度達到臨界點(diǎn)，新的IDT溫度傳感器可以觸發(fā)一個(gè)子系統關(guān)閉，從而提高可靠性。IDT 的產(chǎn)品包括一個(gè)獨立溫度傳感器(TS3000B3)，以及一
- 關(guān)鍵字： IDT 傳感器 DDR3
DDR3來(lái)臨 2010年DRAM市場(chǎng)云開(kāi)月明
- 2009年DRAM 市場(chǎng)烏云籠罩，廠(chǎng)商艱難度過(guò)黑暗時(shí)期，終于守得云開(kāi)見(jiàn)月明。春季溫和復蘇，夏季迎來(lái)光明。價(jià)格在春季的基礎上持續上漲，營(yíng)業(yè)收入也水漲船高。 三星走在前列，營(yíng)業(yè)利潤率為19%，營(yíng)業(yè)收入達22 億美元，市場(chǎng)份額擴大到35.5%的最高水平。 DDR3 來(lái)臨 第三季度，下一代 DRAM 技術(shù)——DDR3 看到希望，而且顯然這種技術(shù)代表未來(lái)的一股潮流。iSuppli 公司預測，DDR3 出貨量將在2010 年第一季度超過(guò)DDR2。 三星在 DDR3
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ddr3-2133介紹
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