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瑞薩發(fā)布符合第二階段產(chǎn)品標準的第二代 “集成驅動(dòng)器MOSFET（DrMOS）”
- 瑞薩科技發(fā)布符合第二階段產(chǎn)品標準的第二代 “集成驅動(dòng)器MOSFET（DrMOS）” 實(shí)現CPU穩壓器應用的業(yè)界最高效能 --與瑞薩科技當前的產(chǎn)品相比，在引腳兼容的同樣封裝中可降低超過(guò)20%的功率損耗— 瑞薩科技公司（Renesas Technology Corp.）宣布，推出采用56引腳QFN封裝。該器件集成了一個(gè)驅動(dòng)器IC和兩個(gè)高端/低端*1功率MOSFET的R2J20602NP，可用于PC、服務(wù)器等產(chǎn)品的CPU穩壓器（VR）。樣品供貨將從2006年12月在日本開(kāi)始。 R2
- 關(guān)鍵字： DrMOS MOSFET 單片機 電源技術(shù) 集成驅動(dòng)器 模擬技術(shù) 嵌入式系統 瑞薩
Intersil推出新型雙同步降壓穩壓器
- Intersil的雙同步降壓穩壓器具有集成式MOSFET和高效用戶(hù)可配置電源模塊 Intersil的ISL65426提供了2個(gè)邏輯可編程或電阻可調輸出電壓，并提高了每個(gè)輸出（2個(gè)輸出的總輸出電流為6A）的用戶(hù)可編程負載電流的靈活性 Intersil（NASDAQ：ISIL）公司宣布推出高效率雙輸出同步降壓穩壓器 - ISL65426。該器件采用薄型QFN封裝，并為2條同步降壓穩壓器通道集成了保護功能，使其成為為當今的小型應用供電的理想之選。 ISL65426在1MHz的固定頻率下進(jìn)行轉
- 關(guān)鍵字： Intersil MOSFET 電源技術(shù) 電源模塊 集成式 降壓穩壓器 模擬技術(shù) 雙同步 模塊
單相逆變器智能功率模塊應用電路設計
- 1 引言 智能功率模塊(Intelligent Power Module，IPM)以開(kāi)關(guān)速度快、損耗小、功耗低、有多種保護功能、抗干擾能力強、無(wú)須采取防靜電措施、體積小等優(yōu)點(diǎn)在電力電子領(lǐng)域得到越來(lái)越廣泛的應用。以PM200DSA060型IPM為例。介紹IPM應用電路設計和在單相逆變器中的應用。 2 IPM的結構 IPM由高速、低功率IGWT、優(yōu)選的門(mén)級驅動(dòng)器及保護電路構成。其中，IGBT是GTR和MOSFET的復合，由MOSFET驅動(dòng)GTR，因而IPM具有GTR高電流密度、低飽和電壓、高耐壓、
- 關(guān)鍵字： IPM MOSFET 電源技術(shù) 模擬技術(shù) 模塊
飛兆半導體的 AEC-Q101 低壓 30/40V MOSFET
- 為汽車(chē)電子設計提供性能、效率和節省空間方面的優(yōu)勢 飛兆半導體擴充其低RDS(ON) MOSFET產(chǎn)品系列， 推出11種面向電機控制應用的新型30/40V器件 飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 擴充其AEC-Q101認證的30V和40V MOSFET產(chǎn)品系列，推出11種新型器件。這些低壓PowerTrench®MOSFET專(zhuān)為優(yōu)化汽車(chē)應用的效率、性能和線(xiàn)路板空間而設計，其應用包括動(dòng)力轉向、集成啟動(dòng)器/交流發(fā)電機，
- 關(guān)鍵字： 30/40V AEC-Q101 MOSFET 低壓 飛兆半導體 汽車(chē)電子 汽車(chē)電子
降壓式DC/DC轉換器的MOSFET選擇
- 同步整流降壓式DC/DC轉換器都采用控制器和外接功率MOSFET的結構?？刂破魃a(chǎn)商會(huì )在數據資料中給出參數齊全的應用電路，但用戶(hù)的使用條件經(jīng)常與典型應用電路不同，要根據實(shí)際情況改變功率MOSFET的參數。 對功率MOSFET的要求 同步整流降壓式DC/DC轉換器的輸入及輸出部分電路如圖1所示，它是由帶驅動(dòng)MOSFET的控制器及外接開(kāi)關(guān)管(Q1)及同步整流管(Q2)等組成。目前，Q1和Q2都采用N溝道功率MOSFET，因為它們能滿(mǎn)足DC/DC轉換器在輸入電壓、開(kāi)關(guān)頻率、輸出電流及減少損耗上的要求。 圖
- 關(guān)鍵字： MOSFET 電源技術(shù) 模擬技術(shù)
Zetex 高電壓MOSFET導通電阻最大僅150mΩ
- Zetex Semiconductors日前推出一款迎合預偏置供應電路要求的新型高電壓MOSFET。 ZXMN0545G4是一款450V強化型N信道器件，可用于簡(jiǎn)單的線(xiàn)性調節器，在起動(dòng)階段為脈沖寬度調變(PWM)集成電路供應所需電壓，然后在轉換器完全激活后關(guān)掉。相比于其它倚賴(lài)電阻器的解決方案，這種以MOSFET為基礎的解決方案有助改善系統效率和減省起動(dòng)時(shí)間。 Zetex亞洲副總裁林博文指出，新MOSFET采用獨特四腳型SOT223封裝，能發(fā)揮最大的抗高壓爬電效能。器件采用嶄新導線(xiàn)
- 關(guān)鍵字： MOSFET Zetex 高電壓 電阻 電位器
IR推出100V集成MOSFET解決方案
- 為PoE應用節省80%的占位空間 國際整流器公司近日推出IRF4000型100V器件。該器件將4個(gè)HEXFET MOSFET集成在一個(gè)功率MLP封裝內，可滿(mǎn)足以太網(wǎng)供電（Power-over-Ethernet，簡(jiǎn)稱(chēng)PoE）應用的需求。這款新器件符合針對網(wǎng)絡(luò )和通信基礎設施系統的IEEE802.3af標準，例如以太網(wǎng)交換器、路由器和集線(xiàn)器等，可提供每端口15W的功率，并能取代4個(gè)獨立SOT-223封裝的MOSFET。其減少的占位面積相當于節省了80%的空間，或相當于典型48端口電路板中3
- 關(guān)鍵字： IR MOSFET 解決方案
MOSFET的開(kāi)關(guān)速度將決定未來(lái)POL電源的性能
- 一個(gè)采用DirectFET MOSFET并基于四相同步整流器的VRM能夠于高達2MHz/相位下工作，并提供120A電流，且滿(mǎn)足負載點(diǎn)電源的瞬態(tài)響應要求。 與十年之前以單元密度和導通電阻作為器件設計的主要考慮因素相比，功率MOSFET技術(shù)在發(fā)展方向上正經(jīng)歷著(zhù)一場(chǎng)重大的變革。如今，并在可以預見(jiàn)的未來(lái)，開(kāi)關(guān)速度正在逐步成為負載點(diǎn)（POL）電源應用的決定性因素。對于工作電壓為1V或以下且對時(shí)鐘速度和電流需求更高的下一代微處理器而言，開(kāi)關(guān)速度是滿(mǎn)足其供電要求的關(guān)鍵因素。電源的性能將取決于功率MOSFET
- 關(guān)鍵字： MOSFET 模擬IC 電源
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