飛兆半導體推出11種MicroFET™ MOSFET產(chǎn)品

飛兆半導體的 MicroFET™;系列產(chǎn)品可在廣泛的低電壓應用中
節省空間并延長(cháng)電池壽命

擴展的MicroFET產(chǎn)品系列提供了在其電壓范圍內
最完備的2x2mm MLP封裝MOSFET器件


飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出11種新型MicroFET™; MOSFET產(chǎn)品，提供業(yè)界最廣泛的的散熱增強型超緊湊、低高度 (2 x 2 x 0.8mm) 器件，面向30V和20V以下的低功耗應用，包括移動(dòng)電話(huà)、數碼相機、游戲機、遠程POS終端，以及其它大批量的便攜式產(chǎn)品。這些產(chǎn)品需要空間優(yōu)化和為了延長(cháng)電池壽命和保證可靠性而需要優(yōu)秀的散熱和電氣性能。MicroFET功率開(kāi)關(guān)結合飛兆半導體的先進(jìn)PowerTrench® 技術(shù)和業(yè)界標準的模塑無(wú)鉛封裝 (MLP)，因此，較之于傳統使用大型封裝的功率MOSFET，MicroFET 器件在散熱性能和節省空間方面有著(zhù)顯著(zhù)優(yōu)勢。

飛兆半導體的MicroFET采用MLP封裝，為設計人員帶來(lái)全新的封裝選擇，即是在充電器、升壓轉換器、DC/DC轉換器及負載開(kāi)關(guān)應用中廣泛采用的SSOT-6或SC-70器件封裝之外。采用2x2mm MLP封裝的MicroFET較3x3mm SSOT-6封裝的MOSFET體積減小55%，同時(shí)具有更高的性能。例如，較之于典型的雙P溝道SSOT-6 (9mm2) 器件，MicroFET (4mm2) 的 RDS(ON) 降低了17% (95 mΩ對比于115mΩ)、熱阻降低16% (151