EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
coolsic mosfet
coolsic mosfet 文章 進(jìn)入coolsic mosfet技術(shù)社區
NEC電子推出8款汽車(chē)用功率MOSFET產(chǎn)品
- NEC電子近日完成了8款用于汽車(chē)的P溝道功率MOSFET(金屬氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管)小型封裝產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)，并將于即日起開(kāi)始發(fā)售樣品。 此次推出的新產(chǎn)品主要用于繼電器、電機等通過(guò)電流為數十安培的控制單元，其中NP50P04等4款產(chǎn)品為40V耐壓、導通阻抗為業(yè)界最低的產(chǎn)品；另外4款產(chǎn)品與現有的60V耐壓品相比，導通阻抗最大可減至一半。 對于汽車(chē)廠(chǎng)商及器件廠(chǎng)商等用戶(hù)而言，使用低導通阻抗產(chǎn)品可以減少電流流經(jīng)時(shí)產(chǎn)生的熱量，從而減輕電路設計時(shí)的負擔。 新產(chǎn)品的樣品價(jià)格因耐壓及導通阻抗的不同而有
- 關(guān)鍵字： NEC電子 MOSFET 汽車(chē)電子
高功率便攜式DC-DC中MOSFET功耗的計算
- 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò )家園
- 關(guān)鍵字： MaximIntegratedProducts MOSFET DC/DC
如何計算高功率電源中MOSFET的功耗
- 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò )家園
- 關(guān)鍵字： MOSFET
飛兆推出互補型40V MOSFET器件FDD8424H
- 飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出互補型40V MOSFET器件FDD8424H，采用雙DPAK封裝，提供業(yè)界領(lǐng)先的散熱能力，有助于提高系統可靠性、減小線(xiàn)路板空間及降低系統總體成本。FDD8424H專(zhuān)為半橋和全橋逆變器設計而優(yōu)化，是液晶電視、液晶顯示器所用背光單元 (BLU) 以及電機驅動(dòng)和電燈驅動(dòng)的理想選擇。與采用8引腳直插和雙SOIC (SO8) 封裝的替代解決方案相比，雙DPAK封裝FDD8424H的熱阻抗分別是其五分之一及十分之一。此外，FDD8424H在
- 關(guān)鍵字： MOSFET 單片機 飛兆半導體 嵌入式系統
Fairchild推出互補型40V MOSFET改進(jìn)LCD設計
- 飛兆半導體推出互補型40V MOSFET器件FDD8424H，采用雙DPAK封裝，提供業(yè)界領(lǐng)先的散熱能力，有助于提高系統可靠性、減小線(xiàn)路板空間及降低系統總體成本。FDD8424H專(zhuān)為半橋和全橋逆變器設計而優(yōu)化，是液晶電視、液晶顯示器所用背光單元 (BLU) 以及電機驅動(dòng)和電燈驅動(dòng)的理想選擇。與采用8引腳直插和雙SOIC (SO8) 封裝的替代解決方案相比，雙DPAK封裝FDD8424H的熱阻抗分別是其五分之一及十分之一。此外，FDD8424H在單一封裝中集
- 關(guān)鍵字： Fairchild LCD設計 MOSFET 電源技術(shù) 模擬技術(shù) 液晶顯示 LCD
Vishayn通道MOSFET驅動(dòng)IC可提供2A峰值匯
- Vishay(威世)近日宣布推出可提供2A峰值匯和源柵極驅動(dòng)電流的高頻75V半橋式n通道MOSFET驅動(dòng)IC。這款新型SiP41111適用于通常需要40V或60V電壓的汽車(chē)應用。該75VMOSFET驅動(dòng)器可用于汽車(chē)中的高強度放電管，以及各種終端產(chǎn)品中的高壓降壓轉換器、推拉式轉換器、全橋與半橋式轉換器、有源鉗位正向轉換器、電源、電機控制及D類(lèi)音頻系統。 該款SiP41111具有75V的最大自舉電源電壓，可適應9V～13.2V的寬泛電源電壓范圍，能夠以10ns的典型升降時(shí)間驅動(dòng)1,000pF的負載。
- 關(guān)鍵字： IC MOSFET Vishayn 電源技術(shù) 模擬技術(shù)
ROHM株式會(huì )社小型大功率封裝MOSFET MPT6
- 4月20日訊,半導體制造商ROHM株式會(huì )社（總社設在京都市）最近開(kāi)發(fā)出適合汽車(chē)駕駛導向系統、便攜式DVD機、筆記本電腦、游戲機等小型、薄型機器的電源開(kāi)關(guān)和電動(dòng)機驅動(dòng)器使用的MPT6 雙元件系列產(chǎn)品，這種產(chǎn)品采用獨創(chuàng )的小型大功率封裝，是低導通電阻的元器件。這種產(chǎn)品從2007年4月開(kāi)始逐步供應樣品；預定從2007年8月開(kāi)始以月產(chǎn)300萬(wàn)個(gè)的規模大量生產(chǎn)。生產(chǎn)過(guò)程的芯片工序在ROHM筑波株式會(huì )社（茨城縣）進(jìn)行；包裝工序由ROHM INTEGRATED SYSTEMS (THAILAND) CO., LTD. （
- 關(guān)鍵字： MOSFET MPT6 ROHM 電源技術(shù) 模擬技術(shù) 封裝
ROHM開(kāi)發(fā)小型大功率封裝MOSFET產(chǎn)品系列
- ROHM株式會(huì )社最近開(kāi)發(fā)出適合汽車(chē)駕駛導向系統、便攜式DVD機、筆記本電腦、游戲機等小型、薄型機器的電源開(kāi)關(guān)和電動(dòng)機驅動(dòng)器使用的「MPT6 Dual（2元件）」型系列產(chǎn)品，這種產(chǎn)品采用獨創(chuàng )的小型大功率封裝，低導通電阻的元器件。 這種產(chǎn)品從2007年4月開(kāi)始逐步供應樣品；預定從2007年8月開(kāi)始以月產(chǎn)300萬(wàn)個(gè)的規模大量生產(chǎn)。生產(chǎn)過(guò)程的芯片工序在ROHM筑波株式會(huì )社（茨城縣）進(jìn)行；包裝工序由ROHM INTEGRATED SYSTEMS (THAILAND)
- 關(guān)鍵字： MOSFET ROHM 消費電子 封裝 消費電子
帶有集成MOSFET的6A雙同步降壓穩壓器
- Intersil公司的ISL65426是一款高效率雙輸出單向同步降壓穩壓器，輸入電壓范圍為2.375V至5.5V。該單芯片電源解決方案提供2個(gè)輸出電壓，可以在1V至電壓電源的80%的范圍內進(jìn)行選擇或者進(jìn)行外部調節，并且總輸出電流高達6A。2個(gè)PWM是180o異相同步的，降低了EMI和有效值輸入電流與紋波電壓。 ISL65426的獨特電源模塊架構允許對6個(gè)電流高達1A的模塊進(jìn)行分配，以便支持4個(gè)輸出配置選項之一。一個(gè)主電源模塊與各個(gè)同步轉換器通道相關(guān)聯(lián)。4個(gè)浮動(dòng)從電源模塊允許用戶(hù)將其分配給任一條通
- 關(guān)鍵字： MOSFET 電源技術(shù) 模擬技術(shù) 雙同步降壓穩壓器
ZETEX推出帶診斷功能的自保護MOSFET ZXMS6002/3
- ZXMS6002/3是采用SOT223封裝的低端自保護MOSFET，它可通過(guò)獨立狀態(tài)引腳提供診斷反饋，有效地提高汽車(chē)和工業(yè)性高壓系統的可靠性。 最新ZXMS6002G及ZXMS6003G器件是Zetex公司IntelliFET產(chǎn)品系列的新成員，均屬于60V、500mΩ 額定值的N溝道器件，特別適用于高浪涌電流的開(kāi)關(guān)負載，如電燈、電機及電磁鐵。 ZXMS6002G具有針對過(guò)熱、過(guò)流和過(guò)壓故障的保護功能，可提供正常、限流和熱關(guān)斷等不同模式的模擬指示，無(wú)需外部元件。這種診斷功能有助于實(shí)現智能的
- 關(guān)鍵字： MOSFET ZXMS6002/3 工業(yè)控制 工業(yè)控制
Zetex推出首款采用SOT223封裝的低端自保護MOSFET
- Zetex Semiconductors (捷特科) 公司推出首款采用SOT223封裝的低端自保護MOSFET，它可通過(guò)獨立狀態(tài)引腳提供診斷反饋，有效地提高汽車(chē)和工業(yè)性高壓系統的可靠性。 最新ZXMS6002G及ZXMS6003G器件是Zetex公司IntelliFET產(chǎn)品系列的新成員，均屬于60V、500mΩ 額定值的N溝道器件，特別適用于高浪涌電流的開(kāi)關(guān)負載，如電燈、電機及電磁鐵。 ZXMS6002G具有針對過(guò)熱、過(guò)流和過(guò)壓故障的保護功能，可提供正常、限流和熱關(guān)斷等不同模
- 關(guān)鍵字： MOSFET Zetex 單片機 嵌入式系統 封裝
飛兆推出 200V/250V的PowerTrench工藝MOSFET
- 飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出全新的FDB2614 (200V) 和 FDB2710 (250V) N溝道MOSFET，這兩款產(chǎn)品經(jīng)專(zhuān)門(mén)設計，可為等離子體顯示板 (PDP) 應用提供業(yè)界領(lǐng)先的系統效率和優(yōu)化的占位空間。利用飛兆半導體專(zhuān)利的PowerTrench® 工藝技術(shù)，這些MOSFET比較市場(chǎng)上同類(lèi)型器件提供最低的導通阻抗RDS(on) (FDB2614的典型值為22.9毫歐；FDB2710的典型值為36.3 毫歐)。超低的RDS(on) 加上極低
- 關(guān)鍵字： MOSFET 單片機 飛兆 嵌入式系統
coolsic mosfet介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條coolsic mosfet!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對coolsic mosfet的理解，并與今后在此搜索coolsic mosfet的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對coolsic mosfet的理解，并與今后在此搜索coolsic mosfet的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
coolsic mosfet電路
coolsic mosfet相關(guān)帖子
coolsic mosfet資料下載
coolsic mosfet專(zhuān)欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì )員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473