飛兆半導體的 AEC-Q101 低壓 30/40V MOSFET

為汽車(chē)電子設計提供性能、效率和節省空間方面的優(yōu)勢

飛兆半導體擴充其低RDS(ON) MOSFET產(chǎn)品系列，
推出11種面向電機控制應用的新型30/40V器件

飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 擴充其AEC-Q101認證的30V和40V MOSFET產(chǎn)品系列，推出11種新型器件。這些低壓PowerTrench®MOSFET專(zhuān)為優(yōu)化汽車(chē)應用的效率、性能和線(xiàn)路板空間而設計，其應用包括動(dòng)力轉向、集成啟動(dòng)器/交流發(fā)電機，以及電機和螺線(xiàn)管驅動(dòng)器設計等。

飛兆半導體的30/40V MOSFET是要求高電流密度和低功耗系統的理想選擇，并根據汽車(chē)市場(chǎng)的最新發(fā)展趨勢，從機械方式進(jìn)展為機電方式。飛兆公半導體的30/40V MOSFET的RDS(on)低至2.0m Ohms，是業(yè)界導通電阻最低的器件之一。除了性能方面的改善，這些器件還可節省線(xiàn)路板空間，因為一個(gè)飛兆半導體的低RDS(on) MOSFET可替代兩個(gè)在這些設計中傳統使用較高RDS(on)的MOSFET。而且，這些MOSFET能滿(mǎn)足UIS要求并達到嚴格的AEC-Q101汽車(chē)標準，可在嚴酷的電氣環(huán)境中提供高可靠性以保證其“堅固性”。

飛兆半導體功能功率部汽車(chē)功率產(chǎn)品副總裁Paul Leonard稱(chēng)：“飛兆半導體的新型30V MOSFET如2.3m Ohm FDB8860 器件，提供的導通電阻僅為55V或60V MOSFET的一半，因此能降低功耗至高壓器件的二分之一。在汽車(chē)設計中，低導通電阻意味著(zhù)更高的效率，因為功耗低及熱量的產(chǎn)生較少。除了面向30V和40V應用的11種新器件外，飛兆半導體將繼續擴充全線(xiàn)的車(chē)用MOSFET產(chǎn)品系列，以便更好地協(xié)助客戶(hù)滿(mǎn)足這個(gè)快速變化的市場(chǎng)需求?！?




飛兆半導體面向汽車(chē)應用的MOSFET經(jīng)鑒定達到ISO/TS 16949 標準。這標準是業(yè)界逐步開(kāi)發(fā)適用于整個(gè)汽車(chē)供應鏈的單一標準的成果，包括設計/開(kāi)發(fā)、生產(chǎn)及汽車(chē)組件的安裝和服務(wù)。這個(gè)標準由國際汽車(chē)特別工作組 (IATF) 起草，獲得國際承認，并已成為北美和歐洲許多汽車(chē)OEM廠(chǎng)商的強制性要求。

這些無(wú)鉛器件能達到甚至超越IPC/JEDEC的J-STD-020C標準要求，并符合現已生效的歐盟標準。