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RFaxis推出新款純CMOS大功率放大器
- 專(zhuān)注于為無(wú)線(xiàn)連接和蜂窩移動(dòng)市場(chǎng)開(kāi)發(fā)創(chuàng )新型下一代射頻(RF)解決方案的領(lǐng)先無(wú)晶圓半導體公司RFaxis, Inc.于2014年6月18日宣布，該公司用于無(wú)線(xiàn)局域網(wǎng)絡(luò )(WLAN)應用的RFX241高功率2.4GHz功率放大器(PA)已投入量產(chǎn)?！ FX241最新加入RFaxis瞄準快速增長(cháng)的無(wú)線(xiàn)接入點(diǎn)(AP)、路由器(Router)、機頂盒(STB)、家庭網(wǎng)關(guān)(HGW)、熱點(diǎn)(Hotspot)等無(wú)線(xiàn)基礎設施市場(chǎng)的純CMOS大功率CMOS PA產(chǎn)品系列。RFX241可與包括RTC6649E在內的目前市場(chǎng)上
- 關(guān)鍵字： RFaxis RF CMOS
德國開(kāi)發(fā)出可耐高溫的新型微芯片
- 在地熱生產(chǎn)和石油生產(chǎn)過(guò)程中溫度通常會(huì )超過(guò)200℃，高于設備所用的傳統微芯片一般能耐受的最高溫度。德國弗勞恩霍夫微電子電路與系統研究所(IMS)的研究人員近日開(kāi)發(fā)出一種新型的高溫工藝，可以制造出超緊湊型微芯片，這種微芯片在高達300℃的溫度下也能正常工作。 傳統的CMOS芯片有時(shí)能耐受250℃的高溫，但其性能與可靠性會(huì )迅速下降。還有一種方法是對熱敏感的微芯片實(shí)施持續冷卻，但是很難實(shí)現。此外，市場(chǎng)上也存在專(zhuān)門(mén)的高溫芯片，但是尺寸過(guò)大(最小尺寸也達1微米)。 IMS開(kāi)發(fā)的微芯片尺寸僅有0
- 關(guān)鍵字： 微芯片 CMOS
一種低電壓、低功耗模擬電路設計簡(jiǎn)介
- 因為MOS晶體管的襯底或者與源極相連，或者連接到VDD或VSS,所以經(jīng)常被用作一個(gè)三端設備。由于未來(lái)CMOS技術(shù)的閾值電壓并不會(huì )遠低于現有標準，于是采用襯底驅動(dòng)技術(shù)進(jìn)行模擬電路設計就成為較好的解決方案[1].襯底驅動(dòng)技術(shù)的原理是：在柵極和源極之間加上足夠大的固定電壓，以形成反型層，輸入信號加在襯底和源極之間，這樣閾值電壓就可以減小或從信號通路上得以避開(kāi)。襯底驅動(dòng)MOS晶體管的原理類(lèi)似于結型場(chǎng)效應晶體管，也就是一個(gè)耗盡型器件，它可以工作在負、零、甚至略微正偏壓條件下[2].由于襯底電壓影響與反型層(即導電溝
- 關(guān)鍵字： MOS CMOS
卓勝微電子向三星累積出貨已超2000萬(wàn)顆
- 作為專(zhuān)注在WiFi、藍牙、GPS連接性射頻芯片技術(shù)供應商，卓勝微電子今日宣布，公司GPSLNA芯片產(chǎn)品MXDLN16S在三星累計出貨超過(guò)2000萬(wàn)顆。 “卓勝微電子的GPSLNA產(chǎn)品能夠給三星大批量供貨體現了我們產(chǎn)品的卓越性能?！弊縿傥㈦娮涌偨?jīng)理許志翰表示：“作為全球智能手機市場(chǎng)的領(lǐng)先者，三星對產(chǎn)品的創(chuàng )新和品質(zhì)有著(zhù)不懈追求，同時(shí)它對合作伙伴也有著(zhù)非常高的品質(zhì)和供貨能力的要求。這么大批量的穩定出貨證明了我們的能力?！? 卓勝微電子的GPS
- 關(guān)鍵字： 卓勝微電子 CMOS
卓勝微電子宣布MXDLN16S在三星累計出貨超過(guò)2000萬(wàn)顆
- 2014年5月5日，作為專(zhuān)注在WiFi，藍牙，GPS連接性射頻芯片技術(shù)供應商，卓勝微電子宣布其GPSLNA芯片產(chǎn)品MXDLN16S在三星累計出貨超過(guò)2000萬(wàn)顆。 “卓勝微電子的GPSLNA產(chǎn)品能夠給三星大批量供貨體現了我們產(chǎn)品的卓越性能。”卓勝微電子總經(jīng)理許志翰表示：“作為全球智能手機市場(chǎng)的領(lǐng)先者，三星對產(chǎn)品的創(chuàng )新和品質(zhì)有著(zhù)不懈追求，同時(shí)它對合作伙伴也有著(zhù)非常高的品質(zhì)和供貨能力的要求。這么大批量的穩定出貨證明了我們的能力。” 卓勝微電子的G
- 關(guān)鍵字： GPSLNA 卓勝 RF CMOS
分析師預測2019年MRAM市場(chǎng)可達21億美元
- 市場(chǎng)研究機構CoughlinAssociates的最新報告預測，磁阻式隨機存取記憶體(MRAM)──包含磁場(chǎng)感應(field-induced)以及自旋力矩轉移(spin-torquetransition，STT)等形式──將在未來(lái)因為取代DRAM與SRAM而繁榮發(fā)展。 CoughlinAssociates的報告指出，因為具備省電與非揮發(fā)特性，MRAM/STTMRAM市場(chǎng)營(yíng)收規?？赏?013年的1.9億美元左右，到2019年成長(cháng)至21億美元;期間的復合年平均成長(cháng)率(CAGR)估計為50%。
- 關(guān)鍵字： MRAM CMOS
先進(jìn)封裝技術(shù)：可穿戴電子設備成功的關(guān)鍵
- 最近以來(lái)智能手表、體征監測等穿戴式電子設備受到業(yè)界的極大關(guān)注，但市場(chǎng)一直處于“雷聲大，雨點(diǎn)小”的狀態(tài)。究其原因，有以下幾個(gè)因素制約了穿戴式電子設備實(shí)現突破：小型化低功耗技術(shù)還滿(mǎn)足不了需求、“殺手級”應用服務(wù)缺失、外觀(guān)工藝粗糙、用戶(hù)使用習慣仍需培養?！ 募夹g(shù)層面上看，先進(jìn)封裝將是穿戴式電子取得成功的關(guān)鍵技術(shù)之一，特別是系統級封裝(SiP)以及3D封裝等。據深圳市半導體行業(yè)協(xié)會(huì )秘書(shū)長(cháng)蔡錦江介紹，2001年以色列Given?Imaging公司推出的膠囊內鏡就采用SiP技術(shù)將光學(xué)鏡頭、應用處理器、
- 關(guān)鍵字： 穿戴式 SiP 3D CMOS
基于視覺(jué)的駕駛員輔助嵌入式系統(上)
- 本文簡(jiǎn)要描述了基于攝像頭的主動(dòng)安全系統的應用、引入它的動(dòng)機及好處。此外，本文還介紹了視覺(jué)處理的未來(lái)解決方案與技術(shù)進(jìn)步，可確保在功率有限的情況下實(shí)現最大性能。適用于前照燈控制、車(chē)道保持、交通標志識別及防碰撞功能的多功能前置攝像頭解決方案，目前使用分辨率高達120萬(wàn)像素、每秒30幀的CMOS成像儀。隨著(zhù)新一代傳感器的推出，分辨率將進(jìn)一步提高。要在惡劣的天氣和照明條件下可靠地檢測物體，需要復雜的算法。車(chē)道保持、自動(dòng)緊急剎車(chē)或交通擁堵輔助等半自動(dòng)駕駛員輔助功能需要帶有算法冗余的ASIL D安全級別，但所有這些
- 關(guān)鍵字： 嵌入式 CMOS FPGA MAC
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