cmos“ 文章進(jìn)入cmos“技術(shù)社區

短話(huà)聯(lián)電30年

　　30年前的5月20日，臺灣第一家半導體公司─聯(lián)電誕生，這是培育半導體界人才的搖籃，由于投身晶圓代工產(chǎn)業(yè)，為臺灣半導體打造完整上中下游產(chǎn)業(yè)鏈，孕育臺灣兆元產(chǎn)業(yè)基礎。聯(lián)電接著(zhù)將借由合并和艦，啟動(dòng)下一個(gè)30年的成長(cháng)，揭開(kāi)國內半導體兩岸產(chǎn)業(yè)分工的新頁(yè)。　　聯(lián)電將在20日于南科12A廠(chǎng)盛大舉辦慶生活動(dòng)，聯(lián)電榮譽(yù)董事長(cháng)曹興誠表示，當天將會(huì )和聯(lián)電榮譽(yù)副董事長(cháng)宣明智透過(guò)網(wǎng)絡(luò )視訊，為聯(lián)電同仁加油、打氣。　　面對聯(lián)電下一個(gè)30年，曹興誠認為，雖然半導體產(chǎn)業(yè)已經(jīng)不像當年，擁有資本市場(chǎng)的優(yōu)勢，但聯(lián)電處在一個(gè)對的經(jīng)營(yíng)模
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IMEC與臺積電進(jìn)行后CMOS合作

　　IMEC總裁Luc van den Hove表示為了開(kāi)發(fā)新型的混合工藝技術(shù)(沿著(zhù)后摩爾定律), 它的研究所決定與臺積電進(jìn)行合作。　　盡管IMEC己經(jīng)與諸多先進(jìn)芯片制造廠(chǎng)在CMOS材料與工藝方面進(jìn)行合作, 但是仍需要有大量的創(chuàng )新應用來(lái)推動(dòng)CMOS技術(shù)的進(jìn)步。　　IMEC總裁在Dresden的國際電子學(xué)年會(huì )上認為,IMEC欲開(kāi)發(fā)專(zhuān)業(yè)應用的CMORE平臺。所謂混合工藝是指把邏輯電路與存儲器采用熱，化學(xué)及光學(xué)傳感器混合在一起, 或者采用BiCMOS工藝與生物電子接口, 光電子,MEMS及RF電路結合在
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IR推出汽車(chē)用AUIRS2117S和AUIRS2118S 600V IC

　　國際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 今天推出 AUIRS2117S 和 AUIRS2118S 600V IC，適用于汽車(chē)柵極驅動(dòng)應用，包括直噴裝置和無(wú)刷直流電機驅動(dòng)器。　　AUIRS2117S 和 AUIRS2118S 高側驅動(dòng)器的開(kāi)關(guān)傳輸時(shí)間非常短，可以在更高的頻率下驅動(dòng)MOSFET或IGBT，由此可通過(guò)使用更小的濾波元件縮小系統尺寸。　　IR亞洲區銷(xiāo)售副總裁潘大偉表示：“AUIRS2117S 和 AUIRS2118S拓展了IR的汽車(chē)用I
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用于LED驅動(dòng)器的改進(jìn)型CMOS誤差放大器的設計

本文基于對稱(chēng)OTA結構，設計了一款用于低噪聲恒流電荷泵的誤差放大器EA，即在傳統的設計基礎上引入了動(dòng)態(tài)頻率補償及彌勒補償。新設計的EA不僅降低了輸出波紋及噪聲，而且改善了穩定性。從電路分析和仿真結果可以看到在100 Hz～10 MHz頻率范圍內，其增益高達60 dB，PSRR為65 dB，而CMRR則高達70 dB，系統達到了較高的性能。
關(guān)鍵字： CMOS LED 驅動(dòng)器改進(jìn)型

IMEC讓前TSMC歐洲總裁來(lái)加強IC業(yè)務(wù)

　　歐洲半導體研究所IMEC已任命前TSMC歐洲總裁Kees den Otter為其副總裁, 掌管其IC市場(chǎng)發(fā)展。　　可能原因是出自研究所要更多的為工業(yè)化服務(wù), 并創(chuàng )造應有的價(jià)值。顯然近年來(lái)其pilot生產(chǎn)線(xiàn)中EUV光刻研發(fā)的費用高聳,也難以為繼。　　近幾年來(lái)IMEC與TSMC的關(guān)系靠近, 之前它的進(jìn)步主要依靠Alcatels Mietec, 之后是Philips及NXP。隨著(zhù)NXP趨向fab lite及TSMC反而增強它在全球的超級能力,IMEC與TSMC在各個(gè)方面加強合作。　　IMEC作
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IDT推出首款封裝和裸片/晶圓形式高精度全硅CMOS振蕩器

　　致力于豐富數字媒體體驗、提供領(lǐng)先的混合信號半導體解決方案供應商 IDT 公司(Integrated Device Technology, Inc.; )今天宣布，推出全硅 CMOS 振蕩器 MM8202 和 MM8102，使 IDT 成為業(yè)界首家采用晶圓和封裝形式 CMOS 振蕩器提供石英晶體級性能的公司。這些集成電路滿(mǎn)足小型化要求，在消費、計算和存儲應用中無(wú)需使用石英諧振器和振蕩器，為所有常見(jiàn)串行有線(xiàn)接口提供優(yōu)異的鏈接性能，其中包括 S-ATA、PCIe、USB 2.0 和 USB 3.0。產(chǎn)品提供
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海力士將于5月決定8寸晶圓廠(chǎng)未來(lái)　

　　海力士(Hynix)唯一還在運作中的8寸晶圓廠(chǎng)M8產(chǎn)線(xiàn)，下周將確定往后的運用方案，海力士的選擇受到業(yè)界矚目。海力士正在尋找解決辦法，因為持續運作，早晚會(huì )遭遇收益性問(wèn)題，而要以出銷(xiāo)方式處理也不是件容易的事情。部分IC設計業(yè)者提議將此設施作為代工專(zhuān)用廠(chǎng)使用，另外也有建構成韓國代表性純代工廠(chǎng)的意見(jiàn)。　　海力士社長(cháng)權五哲22日在財報說(shuō)明會(huì )中，針對M8 廠(chǎng)是否會(huì )改變?yōu)榇?zhuān)用廠(chǎng)的問(wèn)題表示，目前正在多方探討M8廠(chǎng)長(cháng)期性的活用方案，5月底前可定案。　　位于韓國忠清北道清州的M8廠(chǎng)主要生產(chǎn)低容量快閃存儲器，并
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CMOS圖像傳感器IBIS5-B-1300的驅動(dòng)時(shí)序設計

介紹Cypress公司的圖像傳感器IBIS5-B-1300，分析其特性和工作原理，并對其兩種快門(mén)方式進(jìn)行了比較。在此基礎上設計它所需要的時(shí)序控制電路。選用Xilinx公司的Spartan3系列FPGA芯片XC3S50作為硬件設計平臺，對采用不同配置和快門(mén)的時(shí)序控制電路進(jìn)行了仿真。實(shí)驗結果表明，設計的驅動(dòng)電路能夠滿(mǎn)足成像器的工作需求。
關(guān)鍵字：時(shí)序設計驅動(dòng) IBIS5-B-1300 圖像傳感器 CMOS 數字信號

全球最大容量爾必達4Gb DDR3顆粒開(kāi)發(fā)完成

　　日本DRAM大廠(chǎng)爾必達今天宣布，已經(jīng)成功開(kāi)發(fā)出4Gbit容量DDR3內存顆粒。這是目前市場(chǎng)上DDR3顆粒的最大容量，只需單面8顆即可組成 4GB容量?jì)却鏃l，雙面16顆即可構成單條8GB內存。該顆粒使用40nm CMOS工藝制造，相比同工藝的2Gb顆?？晒澞?0%。支持x4、x8、x16 bit位寬，其中x4/x8位寬版本采用78-ball FBGA封裝，x16bit產(chǎn)品采用96-ball FBGA封裝。除DDR3標準的1.5V電壓外，還可支持1.35V低壓標準。　　爾必達計劃將該顆粒使用在單條32
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低成本CMOS圖像傳感器對醫學(xué)技術(shù)的推動(dòng)作用

低成本CMOS圖像傳感器對醫學(xué)技術(shù)的推動(dòng)作用, 醫學(xué)技術(shù)一直是CCD(電荷耦合設備)圖像傳感器的重要應用領(lǐng)域之一?，F在，CMOS傳感器已進(jìn)入高速發(fā)展時(shí)期。究其原因，首先，CMOS圖像質(zhì)量可與CCS圖像相媲美。其次，利用標準半導體制造工藝，CMOS傳感器在價(jià)格方面占據很
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臺積電讓大家感到驚奇的7件事

　　象過(guò)去多年來(lái)一樣, 在今年的會(huì )上臺積電也爆出讓人感到驚奇的新工藝技術(shù)。它的新工藝路線(xiàn)圖, 包括CMOS,Analog,MEMS,RF等領(lǐng)域。以下是在一天的會(huì )中對于會(huì )議的觀(guān)察及感受; 　　1,Morris張去年79歲高令重新執掌臺積電, 那時(shí)正值全球IC業(yè)混亂時(shí)代, 它又重新?lián)P帆啟航。但是在此次會(huì )上見(jiàn)到張時(shí)仍是如1990年首次見(jiàn)到它時(shí)那樣精力充沛而健談。更重要的是在公司經(jīng)歷40nm的風(fēng)波后,它似乎為客戶(hù)重塑了信心及在它的掌舵下公司又重新采取積極的投資, 研發(fā)與招工策略, 張認為至今年底公司將從今日的2
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三星宣布新型CMOS傳感器量產(chǎn)技術(shù)

韓國三星電子宣布提高CMOS傳感器靈敏度的背面照射技術(shù)達到了實(shí)用化水平，2010年將批量生產(chǎn)產(chǎn)品。至此，三家大型...
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張忠謀談半導體業(yè) 需要加強合作

　　臺積電總裁張忠謀認為,雖然近期IC業(yè)的形勢越來(lái)越好, 但是產(chǎn)業(yè)還是面臨諸多挑戰。　　在近期舉行的臺積電技術(shù)會(huì )上張忠謀表示,摩爾定律正在減緩和芯片制造成本越來(lái)越高，因此臺積電將比過(guò)去在芯片制造商與代工之間更加加強緊密合作。　　它對于大家說(shuō),此種合作關(guān)系要從芯片設計開(kāi)始, 并相信未來(lái)臺積電會(huì )做得更好。　　它同時(shí)指出，加強合作要依技術(shù)為先。從技術(shù)層面, 那些老的，包括新的代工競爭者, 如GlobalFoundries,Samsung及UMC,對于臺積電都能構成大的威脅。　　非常幸運, 大部分
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低功耗高轉換速率CMOS模擬緩沖器

提出了減小輸入電容的軌到軌電壓緩沖器。軌到軌操作不僅在電路的輸出端，同樣在電路的輸入端實(shí)現。所介紹電路的AB特性導致了低功耗和高的轉換速率，使它很適合驅動(dòng)大的電容負載。仿真結果已經(jīng)提供了該電路的操作。
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基于3GHz CMOS低噪聲放大器優(yōu)化設計

　摘要：基于0.18 μm CMOS工藝，采用共源共柵源極負反饋結構，設計了一種3 GHz低噪聲放大器電路。從阻抗匹配及噪聲優(yōu)化的角度分析了電路的性能，提出了相應的優(yōu)化設計方法。仿真結果表明，該放大器具有良好的性能
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