IBM以標準CMOS制程打造三五族FinFET

　　整體半導體產(chǎn)業(yè)正在嘗試找到一種方法，不需要從矽基板轉換而利用砷化銦鎵(InGaAs)的更高電子遷移率，包括英特爾(Intel)與三星(Samsung);而IBM已經(jīng)展示了如何利用標準CMOS制程技術(shù)來(lái)達成以上目標。

　　上個(gè)月IBM展示了一種將三五族(III-V)砷化銦鎵化合物放到絕緣上覆矽(SOI)晶圓的技術(shù)，現在該公司有另一個(gè)研究團隊則是聲稱(chēng)發(fā)現了更好的方法，采用標準塊狀矽晶圓并制造出矽上砷化銦鎵證實(shí)其可行性。

　　IBMResearch先進(jìn)功能材料部門(mén)經(jīng)理、CMOS專(zhuān)家JeanFompeyrine表示：“我們以塊狀矽而非SOI晶圓片著(zhù)手，首先放上氧化層，然后做一個(gè)溝槽通過(guò)下面的矽晶圓;接著(zhù)以其為根源長(cháng)出砷化銦鎵──這是可制造性非常高的程序。”