EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
cmos finfet
cmos finfet 文章 進(jìn)入cmos finfet技術(shù)社區
格芯發(fā)布為IBM系統定制的14納米FinFET技術(shù)
- 格芯(GLOBALFOUNDRIES)正在提供其為IBM的下一代服務(wù)器系統處理器定制的量產(chǎn)14納米高性能(HP)技術(shù)。這項雙方共同開(kāi)發(fā)的工藝專(zhuān)為IBM提供所需的超高性能和數據處理能力,從而在大數據和認知計算的時(shí)代為IBM的云、商業(yè)和企業(yè)解決方案提供支持。IBM在9月13日宣布推出IBM Z產(chǎn)品?! ?4HP是業(yè)內唯一將三維FinFET晶體管架構結合在SOI襯底上的技術(shù)。該技術(shù)采用了17層金屬層結構,每個(gè)芯片上有80多億個(gè)晶體管,通過(guò)嵌入式動(dòng)態(tài)隨機存儲器(DRAM)以及其它創(chuàng )新功能,達到比前代
- 關(guān)鍵字: 格芯 FinFET
格芯為高性能應用推出全新12納米 FinFET技術(shù)
- 格芯(GLOBALFOUNDRIES)今日宣布計劃推出全新12納米領(lǐng)先性能(12LP)的FinFET半導體制造工藝。該技術(shù)預計將提高當前代14納米 FinFET產(chǎn)品的密度和性能,同時(shí)滿(mǎn)足從人工智能、虛擬現實(shí)到高端智能手機、網(wǎng)絡(luò )基礎設施等最具計算密集型處理需求的應用?! ∵@項全新的12LP技術(shù)與當前市場(chǎng)上的16 /14納米 FinFET解決方案相比,電路密度提高了15%,性能提升超過(guò)10%。這表明12LP完全可與其它晶圓廠(chǎng)的12納米 FinFET產(chǎn)品競爭。這項技術(shù)
- 關(guān)鍵字: 格芯 FinFET
電路設計常用接口類(lèi)型說(shuō)明

- 本文主要對電路設計常用接口類(lèi)型進(jìn)行了簡(jiǎn)要說(shuō)明,下面一起來(lái)學(xué)習一下: (1)TTL電平接口: 這個(gè)接口類(lèi)型基本是老生常談的吧,從上大學(xué)學(xué)習模擬電路、數字電路開(kāi)始,對于一般的電路設計,TTL電平接口基本就脫不了“干系”!它的速度一般限制在30MHz以?xún)?,這是由于BJT的輸入端存在幾個(gè)pF的輸入電容的緣故(構成一個(gè)LPF),輸入信號超過(guò)一定頻率的話(huà),信號就將“丟失”。它的驅動(dòng)能力一般最大為幾十個(gè)毫安。正常工作的信號電壓一般較高,要是把它和信號電壓較低的ECL電路接近時(shí)會(huì )產(chǎn)生比較明顯的串擾問(wèn)題。
- 關(guān)鍵字: TTL CMOS
關(guān)于TTL電平、CMOS電平和EIA電平的一些總結

- 手機串口一般是CMOS電平,當把android手機當做開(kāi)發(fā)板上的一個(gè)器件(比如利用android系統自帶的GPRS模塊,wifi模塊,語(yǔ)音視頻模塊等等)看待時(shí),常常會(huì )涉及到自己重寫(xiě)底層協(xié)議和驅動(dòng)的情況,同時(shí)也會(huì )涉及到不同開(kāi)發(fā)板不同電平之間的轉換。最近在做一個(gè)利用android手機收發(fā)數據的實(shí)驗,其中就涉及到了EIA電平和TTL電平的轉換,TTL電平和CMOS電平的轉換?,F簡(jiǎn)要的總結下常用的TTL電平,CMOS電平和EIA電平,以及一些與上述電平有關(guān)集成邏輯電路和rs232串口的一些基本知識: 一、集
- 關(guān)鍵字: TTL CMOS
Sony傳擴增CMOS產(chǎn)能14%,滿(mǎn)足車(chē)用、物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)需求
- 據海外媒體報道,Sony 計劃于 2018 年 3 月底前將使用于智能手機、數字相機等用途的 CMOS 影像傳感器月產(chǎn)能擴增至 10 萬(wàn)片(以 12 吋晶圓計算)左右水準,大幅增加 14%。目前 Sony 月產(chǎn)能約 8.8 萬(wàn)片。 報導指出,因智能手機自拍用前置相機朝高性能化演進(jìn),加上車(chē)用、物聯(lián)網(wǎng)(IoT)用需求增加,因此 Sony 決定增產(chǎn)因應。 根據 Sony 公布的財報數據顯示,2016 年度(2016 年 4 月~2017 年 3 月)Sony 影像傳感器銷(xiāo)售額年增 15% 至 5
- 關(guān)鍵字: Sony CMOS
CMOS影像傳感器市場(chǎng)下一輪成長(cháng)要靠誰(shuí)?

- 除了傳統的醫療和工業(yè)市場(chǎng),3D成像和感知已經(jīng)準備好征服消費者和汽車(chē)產(chǎn)業(yè);生態(tài)系統熱情洋溢,新的技術(shù)和應用將以破壞力改寫(xiě)市場(chǎng)現況… 根據法國市場(chǎng)研究公司Yole Developpement針對CIS產(chǎn)業(yè)現況進(jìn)行的調查,2016年全球CIS市場(chǎng)達到了116億美元的規模,在2016年至2022年間的年復合成長(cháng)率(CAGR)為10.5%。 移動(dòng)市場(chǎng)領(lǐng)域由于規模龐大及其專(zhuān)用性能,目前仍然是CMOS影像傳感器(CIS)技術(shù)的主要應用。不過(guò),安全與汽車(chē)應用也緊隨其后,紛紛借由顛覆性的CIS
- 關(guān)鍵字: CMOS 影像傳感器
CMOS圖像傳感器的過(guò)去,現在和未來(lái)

- 在過(guò)去的十年里,CMOS圖像傳感器(CIS)技術(shù)取得了令人矚目的進(jìn)展,圖像傳感器的性能也得到了極大的改善。自從在手機中引入相機以來(lái),CIS技術(shù)取得了巨大的商業(yè)成功。 包括科學(xué)家和市場(chǎng)營(yíng)銷(xiāo)專(zhuān)家在內的許多人,早在15年前就預言,CMOS圖像傳感器將完全取代CCD成像設備,就像20世紀80年代中期CCD設備取代了視頻采集管一樣。盡管CMOS在成像領(lǐng)域占有牢固的地位,但它并沒(méi)有完全取代CCD設備。 另一方面,對CMOS技術(shù)的驅動(dòng)極大地提升了整個(gè)成像市場(chǎng)。CMOS圖像傳感器不僅創(chuàng )建了新的產(chǎn)品應用程序
- 關(guān)鍵字: CMOS 圖像傳感器
模擬技術(shù)的困境
- 在這樣一個(gè)對數字電路處理有利的世界中,模擬技術(shù)更多地用來(lái)處理對它們不利的過(guò)程。但這個(gè)現象可能正在改變?! ∥覀兩钤谝粋€(gè)模擬世界中,但數字技術(shù)已經(jīng)成為主流技術(shù)?;旌闲盘柦鉀Q方案過(guò)去包含大量模擬數據,只需要少量的數字信號處理,這種方案已經(jīng)遷移到系統應用中,在系統中第一次產(chǎn)生了模數轉換過(guò)程?! ∧M技術(shù)衰落有幾個(gè)原因,其中一些是建立在自身缺陷上的。摩爾定律適用于數字電路而不是模擬電路;晶體管可以而且必須做得更小,這有利于數字電路。但這對模擬晶體管的影響并不大,反而器件尺寸越小,模擬器件特性往往越差。器件的
- 關(guān)鍵字: 摩爾定律 FinFET
運用石墨烯與CMOS技術(shù) 這個(gè)圖像傳感器逆天了!

- 硅基CMOS技術(shù)是當今大多數電子產(chǎn)品依賴(lài)的主要技術(shù)。然而,為了電子行業(yè)的進(jìn)一步發(fā)展,新技術(shù)必須開(kāi)發(fā)具有能將CMOS與其他半導體器件集成的能力。歐洲最大的一項研究計劃石墨烯旗艦項目(Graphene Flagship),即以10億歐元的預算將實(shí)驗室石墨烯轉向市場(chǎng),參與市場(chǎng)化競爭。 現在,來(lái)自巴塞羅那光電科學(xué)研究所ICFO的石墨烯旗艦項目研究人員,宣稱(chēng)已經(jīng)可以將石墨烯整合到CMOS集成電路中。這項工作在“Nature Photonics”上發(fā)表。 該團隊將石墨烯CMOS
- 關(guān)鍵字: 圖像傳感器 CMOS
格芯交付性能領(lǐng)先的7納米FinFET技術(shù)在即
- 格芯今日宣布推出其具有7納米領(lǐng)先性能的(7LP)FinFET半導體技術(shù),其40%的跨越式性能提升將滿(mǎn)足諸如高端移動(dòng)處理器、云服務(wù)器和網(wǎng)絡(luò )基礎設施等應用的需求。設計套件現已就緒,基于7LP技術(shù)的第一批客戶(hù)產(chǎn)品預計于2018年上半年推出,并將于2018年下半年實(shí)現量產(chǎn)?! ?016年9月,格芯曾宣布將充分利用其在高性能芯片制造中無(wú)可比擬的技術(shù)積淀,來(lái)研發(fā)自己7納米FinFET技術(shù)的計劃。由于晶體管和工藝水平的進(jìn)一步改進(jìn),7LP技術(shù)的表現遠優(yōu)于最初的性能目標。與先前基于14納米FinFET技術(shù)的產(chǎn)品相比,預
- 關(guān)鍵字: 格芯 FinFET
cmos finfet介紹
您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條cmos finfet!
歡迎您創(chuàng )建該詞條,闡述對cmos finfet的理解,并與今后在此搜索cmos finfet的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
歡迎您創(chuàng )建該詞條,闡述對cmos finfet的理解,并與今后在此搜索cmos finfet的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì )員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
