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CMOS圖像傳感器的過(guò)去,現在和未來(lái)

作者: 時(shí)間:2017-06-21 來(lái)源:半導體行業(yè)觀(guān)察 收藏

  在過(guò)去的十年里,(CIS)技術(shù)取得了令人矚目的進(jìn)展,的性能也得到了極大的改善。自從在手機中引入相機以來(lái),CIS技術(shù)取得了巨大的商業(yè)成功。

本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/201706/360774.htm

  包括科學(xué)家和市場(chǎng)營(yíng)銷(xiāo)專(zhuān)家在內的許多人,早在15年前就預言,將完全取代CCD成像設備,就像20世紀80年代中期CCD設備取代了視頻采集管一樣。盡管在成像領(lǐng)域占有牢固的地位,但它并沒(méi)有完全取代CCD設備。

  另一方面,對CMOS技術(shù)的驅動(dòng)極大地提升了整個(gè)成像市場(chǎng)。CMOS圖像傳感器不僅創(chuàng )建了新的產(chǎn)品應用程序,而且還提高了CCD成像設備的性能。本文介紹了CMOS圖像傳感器技術(shù)中最先進(jìn)的技術(shù),并對未來(lái)的發(fā)展前景進(jìn)行了展望。

  圖像傳感器的定義和用途

  圖像傳感器是一種將光學(xué)圖像轉換成電子信號的電子設備。轉換的方法因圖像傳感器的類(lèi)型而異

   “模擬”CCD執行光子到電子的轉換。

   “數字”CMOS圖像傳感器(CIS)執行光子到電壓的轉換

  圖像傳感器用于數碼相機和成像設備,將相機或成像設備接收到的光線(xiàn)轉換為數字圖像。

  CIS vs. CCD

  今天,有兩種不同的技術(shù)用于數字圖像采集(圖1):

   電荷耦合器件(CCD)是線(xiàn)性傳感器,其輸出與接收到的光子數量直接相關(guān)。

   互補金屬氧化物半導體(CMOS,或CMOS圖像傳感器CIS)是一種較新的并行讀出技術(shù)。

  這兩種類(lèi)型的成像設備都將光轉化為電子(或電荷),隨后即可處理成電子信號。CCD的設計目的是將電荷逐個(gè)像素地移動(dòng),直到它們到達專(zhuān)用讀出區域放大器。CMOS圖像傳感器直接在像素上進(jìn)行放大。更高級的CIS技術(shù)提供了一個(gè)并行讀出架構,其中每個(gè)像素都可以單獨尋址,或者作為一個(gè)組并行地讀出(參見(jiàn)圖1)。

CMOS圖像傳感器的過(guò)去,現在和未來(lái)


  CMOS傳感器的制造成本遠低于CCD傳感器。由于新型圖像傳感器的價(jià)格下降,數碼相機已經(jīng)變得非常便宜和普及。

  在表1中,我們展示了CCD和CMOS架構的主要區別。 每個(gè)都有獨特的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn),在不同的應用中各顯其能(用綠色表示)。

CMOS圖像傳感器的過(guò)去,現在和未來(lái)

  表1:CCD與CMOS架構比較(來(lái)源:e2V)

  CIS中的關(guān)鍵組件

  CMOS圖像傳感器有四個(gè)主要組件(見(jiàn)圖2):

  1光電二極管(PD)

  2 像素設計

  3 彩色濾光片(CF)

  4 微透鏡

  光電二極管(PD)用于捕捉光,一般用于實(shí)現這一功能的是PIN二極管或PN結器件。最廣泛實(shí)現的像素設計被稱(chēng)為“有源像素傳感器”(APS)。通常使用3—6個(gè)晶體管,它們可以從大型電容陣列中獲得或緩沖像素。彩色濾光片用于分離反射光的紅、綠、藍(RGB)成分。最后,微透鏡從CIS的非活性部分收集光,并將其聚焦到光電二極管。微透鏡通常具有球形表面和網(wǎng)狀透鏡。

CMOS圖像傳感器的過(guò)去,現在和未來(lái)

  圖2:CIS中的關(guān)鍵組件(來(lái)源:IBM,FSI)

  CIS性能參數

  有許多參數可用于評估圖像傳感器的性能。我們使用三個(gè)主要指標對這些參數進(jìn)行分類(lèi):

  1像素布局:像素數,像素間距,像素填充因子

  2像素物理:量子效率,阱容量,動(dòng)態(tài)范圍,轉換增益,暗電流

  3像素讀數:信噪比,幀速率,線(xiàn)性度,功耗,位深度,調制傳遞函數,快門(mén)效率

  (4)背面照度(BSI)技術(shù)與前面照度(FSI)技術(shù)

  高級CMOS圖像傳感器制造商正在尋求新的架構,以便在保持或增強電—光性能的同時(shí)減小像素尺寸。較小的像素通常會(huì )帶來(lái)更高的分辨率、更小的器件,以及更低的功耗和成本。理想情況下,縮小像素尺寸的任何新CIS架構都不應該降低性能或圖像質(zhì)量。一種較新的CIS架構背面照度(BSI)技術(shù),是常用的前面照度(FSI)技術(shù)的有前途的替代方案(見(jiàn)圖3)。

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  圖3:::FSI vs. BSI

  BSI技術(shù)涉及到將圖像傳感器倒置,并將彩色濾光片和微透鏡應用于像素的背面,以便傳感器可以通過(guò)背面收集光線(xiàn)。 BSI具有深光電二極管和短光路,從而具有更高的量子效率(1)(QE)和較低的串擾(2)(見(jiàn)圖4)。

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  圖4:串擾

  (1)QE =轉換成為電子的光子的百分比

  (2)電子串擾=相鄰像素之間的電荷(電子或空穴,取決于像素類(lèi)型)的擴散。它由于底層的電子機制(擴散和漂移)而在硅材料中發(fā)生


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