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耶魯大學(xué)和SRC共同研制出高性能鐵電存儲器
- 耶魯大學(xué)的研究人員和Semiconductor Research Corp (SRC)稱(chēng)利用鐵電材料制作存儲器來(lái)代替DRAM和閃存非常合適。目前DRAM技術(shù)必須每幾個(gè)毫秒就刷新一下，而鐵電存儲器可以持續幾分鐘而無(wú)需刷新。 耶魯大學(xué)和SRC的研究人員制成了一種用于FeDRAM的鐵電晶體管實(shí)驗樣品，該FeDRAM保存信息的時(shí)間比DRAM長(cháng)1000倍，而功耗僅為DRAM的1/20，而且尺寸可以縮至ITRS上的最先進(jìn)節點(diǎn)。 “我們的存儲器的速度至少和DRAM一樣快，但尺寸和閃存一樣小，
- 關(guān)鍵字： 存儲器 DRAM 閃存 FeDRAM
耶魯大學(xué)與SRC公司聯(lián)合開(kāi)發(fā)下一代內存芯片技術(shù)FeDRAM
- SRC公司與耶魯大學(xué)的研究者們周二宣布發(fā)明了一種能顯著(zhù)提高內存芯片性能的新技術(shù)。這項技術(shù)使用鐵電體層來(lái)替換傳統內存芯片中的電容結構作為基本的存儲 單元，科學(xué)家們將這種內存稱(chēng)為鐵電體內存(FeDRAM),這種內存芯片的存儲單元將采用與CMOS微晶體管類(lèi)似的結構，不過(guò)其門(mén)極采用鐵電體材料而不是傳統的電介質(zhì)材料制作。 這種技術(shù)能使存儲單元的體積更小，信息的保存時(shí)間比傳統方式多1000倍左右，刷新的時(shí)間間隔可以更大，因此耗電量也更小，還可以像閃存芯片中那樣在一個(gè)存儲單元中存儲多位數據。此外，有關(guān)的制
- 關(guān)鍵字： 內存芯片 CMOS FeDRAM
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