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cmos digital image sensor
cmos digital image sensor 文章 進(jìn)入cmos digital image sensor技術(shù)社區
三維圖像指紋傳感器問(wèn)世 CMOS一觸即發(fā)
- 日前，加州大學(xué)戴維斯分校和加州大學(xué)伯克利分校的研究人員開(kāi)發(fā)了一種基于MEMS和CMOS技術(shù)的超聲波指紋傳感器，可以獲取指紋的三維圖像，這將大大提升指紋識別的安全性。指紋傳感器越來(lái)越被廣泛的應用在智能手機等設備方面。采用指紋進(jìn)行解鎖與支付等功能，比傳統的密碼在安全性上面有了極大的提高。之前的指紋識別是通過(guò)傳感器提取的二維圖像，可以通過(guò)打印指紋圖案來(lái)繞過(guò)指紋認證。三維圖像的提取無(wú)疑將進(jìn)一步提高指紋識別的準確率與安全性。 CMOS圖像傳感器在智能手機領(lǐng)域獨領(lǐng)風(fēng)騷 自蘋(píng)果發(fā)布iPhone5s后指紋
- 關(guān)鍵字： 圖像指紋傳感器 CMOS
豪威“中國化”對圖像傳感器行業(yè)有何影響？
- 2015年對CMOS圖像傳感器(CIS：CMOS Image Sensor)行業(yè)來(lái)說(shuō)，是變動(dòng)比較大的一年。Yole Developpement(以下簡(jiǎn)稱(chēng)Yole)的報告《2015年CMOS圖像傳感器行業(yè)動(dòng)向(Status of the CMOS image sensor industry 2015)》顯示，CIS市場(chǎng)今年將達到100億美元。另外，索尼為支撐自己的技術(shù)優(yōu)勢和業(yè)績(jì)出色的蘋(píng)果產(chǎn)品戰略而實(shí)施的產(chǎn)能投資收到成效，獲得三分之一以上的市場(chǎng)份額，有在整個(gè)智能手機行業(yè)獨領(lǐng)風(fēng)騷之勢。 而索尼的競爭對
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微光CMOS圖像傳感器讀出電路設計
- 當前固體微光器件以EBCCD及EMCCD器件為主，隨著(zhù)CMOS工藝及電路設計技術(shù)的發(fā)展，微光CMOS圖像傳感器的性能在不斷提高，通過(guò)采用專(zhuān)項技術(shù)，微光CMOS圖像傳感器的性能已接近EMCCD的性能，揭開(kāi)了CMOS圖像傳感器在微光領(lǐng)域應用的序幕。隨著(zhù)對微光CMOS圖像傳感器研究的進(jìn)一步深入，在不遠的未來(lái)，微光CMOS圖像傳感器的性能將達到夜視應用要求，在微光器件領(lǐng)域占據重要地位。 讀出電路是微光CMOS圖像傳感器的重要組成部分，它的基本功能是將探測器微弱的電流、電壓或電阻變化轉換成后續信號處理電路
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風(fēng)雨欲來(lái)，CMOS圖像傳感器產(chǎn)業(yè)變局已現
- CMOS影像感測器(CIS)市場(chǎng)近年因智慧型手機大幅成長(cháng)，未來(lái)則可望在汽車(chē)、醫療和安控等嵌入式應用推助下持續向上攀升，預期2014～2020年復合年均成長(cháng)率將高達10.6%?？春么艘簧虣C，中小型CIS晶片商正競相展開(kāi)技術(shù)布局，期進(jìn)一步擴大市場(chǎng)占有率。 CMOS影像感測器(CMOS Image Sensor, CIS)市場(chǎng)即將風(fēng)云變色，眾家廠(chǎng)商為卡位新商機，可謂八仙過(guò)海、各顯神通。Yole Developpement指出，智慧型手機雖占現今CIS市場(chǎng)應用大宗，但汽車(chē)、醫療和安全監控等新興應用需求已
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CMOS影像傳感器市場(chǎng)釀重整，汽車(chē)/醫療/安全監控新商機浮現
- CMOS影像感測器(CIS)市場(chǎng)近年因智慧型手機大幅成長(cháng)，未來(lái)則可望在汽車(chē)、醫療和安控等嵌入式應用推助下持續向上攀升，預期2014～2020年復合年均成長(cháng)率將高達10.6%?？春么艘簧虣C，中小型CIS晶片商正競相展開(kāi)技術(shù)布局，期進(jìn)一步擴大市場(chǎng)占有率。 CMOS影像感測器(CMOS Image Sensor, CIS)市場(chǎng)即將風(fēng)云變色，眾家廠(chǎng)商為卡位新商機，可謂八仙過(guò)海、各顯神通。Yole Developpement指出，智慧型手機雖占現今CIS市場(chǎng)應用大宗，但汽車(chē)、醫療和安全監控等新興應用需求已
- 關(guān)鍵字： 傳感器 CMOS
“中芯國際”大力研發(fā)下一代CMOS邏輯工藝
- 近日，中國內地集成電路晶圓代工企業(yè)—中芯國際集成電路制造有限公司，與全球領(lǐng)先的信息和通信解決方案供應商華為、微電子研究中心之一比利時(shí)微電子研究中心(imec)、國際無(wú)晶圓半導體廠(chǎng)商Qualcomm Incorporated的附屬公司Qualcomm Global Trading Pte. Ltd.在京簽約，宣布共同投資中芯國際集成電路新技術(shù)研發(fā)(上海)有限公司，開(kāi)發(fā)下一代CMOS邏輯工藝。 中芯國際集成電路新技術(shù)研發(fā)(上海)有限公司由中芯國際控股，華為、imec、Qualcomm各占
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IBM以標準CMOS制程打造三五族FinFET
- 整體半導體產(chǎn)業(yè)正在嘗試找到一種方法，不需要從矽基板轉換而利用砷化銦鎵(InGaAs)的更高電子遷移率，包括英特爾(Intel)與三星(Samsung);而IBM已經(jīng)展示了如何利用標準CMOS制程技術(shù)來(lái)達成以上目標。 上個(gè)月IBM展示了一種將三五族(III-V)砷化銦鎵化合物放到絕緣上覆矽(SOI)晶圓的技術(shù)，現在該公司有另一個(gè)研究團隊則是聲稱(chēng)發(fā)現了更好的方法，采用標準塊狀矽晶圓并制造出矽上砷化銦鎵證實(shí)其可行性。 IBMResearch先進(jìn)功能材料部門(mén)經(jīng)理、CMOS專(zhuān)家JeanFompeyr
- 關(guān)鍵字： IBM CMOS
有關(guān)混合信號的技術(shù)方案及應用文獻，包括示波器、信號調節器等
- 混合信號，一種說(shuō)法是未來(lái)的系統將是大型的混合信號系統，它所占的比例將會(huì )增加一倍，從目前的33%到2005年的66%;另一種說(shuō)法是每一部份都是建立在超深次微米CMOS上的大型數位晶片，將來(lái)的ASICs會(huì )用到多達一千五百萬(wàn)個(gè)邏輯們，而類(lèi)比和混合信號電路將會(huì )被留在晶片之外。 RF和混合信號設計的藝術(shù)與科學(xué) 設計和生產(chǎn)混合信號IC不是件易事，尤其是包含RF功能時(shí)尤為如此。之所以存在如此大規模獨立的模擬和分立IC市場(chǎng)，是因為模擬與數字IC相結合不是一個(gè)簡(jiǎn)單、明了的過(guò)程。模擬和RF設計一直被認為是&l
- 關(guān)鍵字： ASICs CMOS
基于電荷泵改進(jìn)型CMOS模擬開(kāi)關(guān)電路
- 當前VLSI技術(shù)不斷向深亞微米及納米級發(fā)展，模擬開(kāi)關(guān)是模擬電路中的一個(gè)十分重要的原件，由于其較低的導通電阻，極佳的開(kāi)關(guān)特性以及微小封裝的特性，受到人們的廣泛關(guān)注。模擬開(kāi)關(guān)導通電阻的大小直接影響開(kāi)關(guān)的性能，低導通電阻不僅可以降低信號損耗而且可以提高開(kāi)關(guān)速度。要減小開(kāi)關(guān)導通電阻，可以通過(guò)采用大寬長(cháng)比的器件和提高柵源電壓的方法，可是調節器件的物理尺寸不可避免地會(huì )帶來(lái)一些不必要的寄生效應，比如增大器件的寬度會(huì )增加器件面積進(jìn)而增加柵電容，脈沖控制信號會(huì )通過(guò)電容耦合到模擬開(kāi)關(guān)的輸入和輸出，在每個(gè)開(kāi)關(guān)周期其充放電過(guò)
- 關(guān)鍵字： CMOS 模擬開(kāi)關(guān)
NRAM已準備好進(jìn)軍市場(chǎng)？
- 美國記憶體技術(shù)開(kāi)發(fā)商Nantero最近宣布進(jìn)行新一輪融資，并準備“浮出水面”──因為該公司認為其獨家的非揮發(fā)性隨機存取記憶體(non-volatile random access memory，NRAM;或稱(chēng)Nano-RAM)，已經(jīng)準備好取代企業(yè)應用或消費性應用市場(chǎng)上的儲存級記憶體。 Nantero已經(jīng)向新、舊投資人募得3,150萬(wàn)美元資金，可用以加速NRAM的研發(fā);該公司執行長(cháng)Greg Schmergel在接受EE Times 美國版編輯電話(huà)訪(fǎng)問(wèn)時(shí)表示，NRAM是以碳奈
- 關(guān)鍵字： NRAM，CMOS
CMOS電容式微麥克風(fēng)設計
- 隨著(zhù)智能手機的興起，對于聲音品質(zhì)和輕薄短小的需求越來(lái)越受到大家的重視，近年來(lái)廣泛應用的噪聲抑制及回聲消除技術(shù)均是為了提高聲音的品質(zhì)。相比于傳統的駐極體式麥克風(fēng)(ECM)，電容式微機電麥克風(fēng)采用硅半導體材料制作，這便于集成模擬放大電路及ADC(∑-ΔADC)電路，實(shí)現模擬或數字微機電麥克風(fēng)元件，以及制造微型化元件，非常適合應用于輕薄短小的便攜式裝置。本文將針對CMOS微機電麥克風(fēng)的設計與制造進(jìn)行介紹，并比較純MEMS與CMOS工藝微導入麥克風(fēng)的差異。 電容式微麥克風(fēng)原理
- 關(guān)鍵字： CMOS
基于電荷泵改進(jìn)型CMOS模擬開(kāi)關(guān)電路
- 當前VLSI技術(shù)不斷向深亞微米及納米級發(fā)展，模擬開(kāi)關(guān)是模擬電路中的一個(gè)十分重要的原件，由于其較低的導通電阻，極佳的開(kāi)關(guān)特性以及微小封裝的特性，受到人們的廣泛關(guān)注。模擬開(kāi)關(guān)導通電阻的大小直接影響開(kāi)關(guān)的性能，低導通電阻不僅可以降低信號損耗而且可以提高開(kāi)關(guān)速度。要減小開(kāi)關(guān)導通電阻，可以通過(guò)采用大寬長(cháng)比的器件和提高柵源電壓的方法，可是調節器件的物理尺寸不可避免地會(huì )帶來(lái)一些不必要的寄生效應，比如增大器件的寬度會(huì )增加器件面積進(jìn)而增加柵電容，脈沖控制信號會(huì )通過(guò)電容耦合到模擬開(kāi)關(guān)的輸入和輸出，在每個(gè)開(kāi)關(guān)周期其充放電過(guò)
- 關(guān)鍵字： CMOS 模擬開(kāi)關(guān)
如何挑選一個(gè)高速ADC
- 高速ADC的性能特性對整個(gè)信號處理鏈路的設計影響巨大。系統設計師在考慮ADC對基帶影響的同時(shí)，還必須考慮對射頻(RF)和數字電路系統的影響。由于A(yíng)DC位于模擬和數字區域之間，評價(jià)和選擇的責任常常落在系統設計師身上，而系統設計師并不都是ADC專(zhuān)家。 還有一些重要因素用戶(hù)在最初選擇高性能ADC時(shí)常常忽視。他們可能要等到最初設計樣機將要完成時(shí)才能知道所有系統級結果，而此時(shí)已不太可能再選擇另外的ADC。 影響很多無(wú)線(xiàn)通信系統的重要因素之一就是低輸入信號電平時(shí)的失真度。大多數無(wú)線(xiàn)傳輸到達ADC的信號
- 關(guān)鍵字： ADC CMOS
cmos digital image sensor介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條cmos digital image sensor!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對cmos digital image sensor的理解，并與今后在此搜索cmos digital image sensor的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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