EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
cmos digital image sensor
cmos digital image sensor 文章 進(jìn)入cmos digital image sensor技術(shù)社區
使用CMOS集成電路需注意的幾個(gè)問(wèn)題
- 集成電路按晶體管的性質(zhì)分為T(mén)TL和CMOS兩大類(lèi)，TTL以速度見(jiàn)長(cháng)，CMOS以功耗低而著(zhù)稱(chēng)，其中CMOS電路以其優(yōu)良的特性成為目前應用最廣泛的集成電路。在電子制作中使用CMOS集成電路時(shí)，除了認真閱讀產(chǎn)品說(shuō)明或有關(guān)資料，了解其引腳分布及極限參數外，還應注意以下幾個(gè)問(wèn)題?！ ?、電源問(wèn)題 (1)CMOS集成電路的工作電壓一般在3-18V，但當應用電路中有門(mén)電路的模擬應用(如脈沖振蕩、線(xiàn)性放大)時(shí)，最低電壓則不應低于4.5V。由于CMOS集成電路工作電壓寬，故使用不穩壓的電源電路CMOS集成電路也可以正
- 關(guān)鍵字： CMOS，集成電路
25億美元CIS大項目開(kāi)創(chuàng )南京新產(chǎn)業(yè)板塊
- 上周五，德科碼“CMOS圖像傳感器芯片(CIS)產(chǎn)業(yè)園”項目正式落戶(hù)南京開(kāi)發(fā)區。該項目總投資約25億美元，建成后將填補中國CIS產(chǎn)業(yè)的空白，主導中國的CIS市場(chǎng)?！ D像傳感器是數字攝像頭的重要組成部分。根據元件不同，可分為CCD(電荷耦合元件)和CMOS(金屬氧化物半導體元件)兩大類(lèi)。相機和智能手機的拍照 功能離不開(kāi)圖像傳感器芯片，市場(chǎng)很大。但CIS所屬的集成電路產(chǎn)業(yè)是內地的薄弱產(chǎn)業(yè)，芯片目前已超過(guò)石油，成為我國第一大進(jìn)口商品?！ 爸袊仨殦碛凶约旱腃IS設計、生產(chǎn)和自主品牌?！毕愀鄣驴拼a科技有限
- 關(guān)鍵字： CMOS CCD
“芯”技術(shù)，“芯”夢(mèng)想
- 2015年11月27日，全球領(lǐng)先的200mm純晶圓代工廠(chǎng)──華虹半導體有限公司之全資子公司上海華虹宏力半導體制造有限公司(“華虹宏力”)2015年度技術(shù)論壇，繼9月23日首場(chǎng)在深圳獲得熱烈反響后，于今日在北京麗亭華苑酒店再度拉開(kāi)帷幕。來(lái)自北京、長(cháng)三角、西部地區的150多位IC設計精英、知名合作伙伴、行業(yè)分析師和媒體朋友齊聚一堂，就產(chǎn)業(yè)趨勢和市場(chǎng)熱點(diǎn)進(jìn)行了深入交流，并分享了華虹宏力新的技術(shù)成果?！ 」緢绦懈笨偛梅逗阆壬蛨绦懈笨偛每孜等徊┦康裙靖邔佑H臨論壇現場(chǎng)，與參會(huì )嘉賓互動(dòng)交流。同時(shí)公司派出了陣容
- 關(guān)鍵字： 華虹 RF-CMOS
我國研發(fā)的世界最高分辨率CMOS圖像傳感器亮相高交會(huì )
- 長(cháng)久以來(lái)，我國用于高端光學(xué)成像的核心元器件一直受制于人。然而，在本月16日在深圳召開(kāi)的第十七屆中國國際高新技術(shù)成果交易會(huì )(高交會(huì ))上，由我國研發(fā)的世界上像素分辨率最高、靶面最大的CMOS傳感器GMAX3005正式亮相。其以1.5億像素的超高分辨率，打破了我國一直以來(lái)都不具備高分辨率和高靈敏度CMOS圖像傳感器研發(fā)能力的窘境。 圖像傳感器可以將光信號轉化為電信號，是所有成像設備中的核心關(guān)鍵器件。其光電參數直接決定了成像設備的成像質(zhì)量。今天亮相的GMAX3005擁有著(zhù)1.5億像素的超高分辨率，成像速
- 關(guān)鍵字： CMOS 圖像傳感器
東芝正式宣布半導體業(yè)務(wù)結構改革計劃
- 東芝于2015年10月28日正式發(fā)布了半導體業(yè)務(wù)結構改革相關(guān)事宜。改革方針有以下幾點(diǎn)。 第一，退出CMOS圖像傳感器業(yè)務(wù)。將把生產(chǎn)該產(chǎn)品的大分工廠(chǎng)的300mm晶圓生產(chǎn)線(xiàn)及相關(guān)資產(chǎn)轉讓給索尼。完成轉讓后，該工廠(chǎng)將成為索尼全資子公司——索尼半導體(SCK)的生產(chǎn)基地之一，主要用于生產(chǎn)CMOS圖像傳感器。 另外，利用300mm晶圓生產(chǎn)線(xiàn)生產(chǎn)的CMOS圖像傳感器以外的半導體產(chǎn)品將委托SCK生產(chǎn)。隨著(zhù)300mm晶圓生產(chǎn)線(xiàn)轉讓?zhuān)c之相關(guān)的東芝及其相關(guān)公司的員工(大約1100人)
- 關(guān)鍵字： 東芝 CMOS
最簡(jiǎn)單的上下拉的問(wèn)題
- 本文介紹了上下拉電阻的作用、使用方法等問(wèn)題。 重要信號線(xiàn)的上下拉問(wèn)題 一般說(shuō)來(lái)，不光是重要的信號線(xiàn)，只要信號在一段時(shí)間內可能出于無(wú)驅動(dòng)狀態(tài)，就需要處理。 比如說(shuō)，一個(gè)CMOS門(mén)的輸入端阻抗很高，沒(méi)有處理，在懸空狀況下很容易撿拾到干擾，如果能量足夠甚至會(huì )導致?lián)舸┗蛘唛V鎖，導致器件失效。祈禱輸入的保護二極管安全工作吧。如果電平一直處于中間態(tài)，那輸出就可能是不確定的情況，也可能是上下MOS都導通，對器件壽命造成影響。 總線(xiàn)上當所有的器件都處于高阻態(tài)時(shí)也容易有干擾出現。因為這時(shí)讀寫(xiě)控制
- 關(guān)鍵字： CMOS TTL
Sony欲強化CMOS圖像傳感器業(yè)務(wù) 不排除并購可能
- Sony于8月推出全球首款內建4K錄影功能的數位相機α7R II后，將續推高階α7R系列產(chǎn)品。該系列產(chǎn)品不采用化學(xué)低通濾鏡(bandpass filter)，故圖像更為銳利。像素自3，640萬(wàn)提高至4，240萬(wàn)，同時(shí)加強自動(dòng)對焦(AF)與防手震功能。 日本經(jīng)濟新聞(Nikkei)報導，該相機并有399個(gè)相位對焦點(diǎn)、5軸圖像穩定系統與4K錄影等特色，感光值(ISO)最高可達ISO 102，400，結合了高解析、高感光及高速對焦的機種，實(shí)際售價(jià)約45.1萬(wàn)日圓(約3，800美
- 關(guān)鍵字： Sony CMOS
一種高速低壓低靜態(tài)功耗欠壓鎖定電路
- 在DC-DC電源管理芯片中，電壓的穩定尤為重要，因此需要在芯片內部集成欠壓鎖定電路來(lái)提高電源的可靠性和安全性。對于其它的集成電路，為提高電路的可靠性和穩定性，欠壓鎖定電路同樣十分重要。 傳統的欠壓鎖定電路要求簡(jiǎn)單、實(shí)用，但忽略了欠壓鎖定電路的功耗，使系統在正常工作時(shí)，仍然有較大的靜態(tài)功耗，這樣就降低了電源的效率，并且無(wú)效的功耗增加了芯片散熱系統的負擔，影響系統的穩定性。 基于傳統的欠壓鎖定電路，本文提出一種CMOS工藝下的低壓低靜態(tài)功耗欠壓鎖定電路，并通過(guò)HSPICE仿真。此電路可以在1.
- 關(guān)鍵字： DC-DC CMOS
艾邁斯半導體推出可拓展的高壓CMOS晶體管
- 全球領(lǐng)先的高性能模擬IC和傳感器供應商艾邁斯半導體公司晶圓代工事業(yè)部今日宣布進(jìn)一步擴展其行業(yè)領(lǐng)先的0.35µm高壓CMOS專(zhuān)業(yè)制程平臺?；谠摳邏褐瞥唐脚_的先進(jìn)“H35”制程工藝，使艾邁斯半導體能涵蓋一整套可有效節省空間并提升設備性能的電壓可拓展的晶體管。 新的電壓可拓展的高壓NMOS和PMOS晶體管器件針對20V至100V范圍內的各種漏源電壓進(jìn)行了優(yōu)化，顯著(zhù)降低了導通電阻，因此可節省器件空間。在電源管理應用中，用優(yōu)化的30V NMOS晶體管代替固定的50V晶
- 關(guān)鍵字： 艾邁斯 CMOS
使用CMOS集成電路需注意的幾個(gè)問(wèn)題
- 集成電路按晶體管的性質(zhì)分為T(mén)TL和CMOS兩大類(lèi)，TTL以速度見(jiàn)長(cháng)，CMOS以功耗低而著(zhù)稱(chēng)，其中CMOS電路以其優(yōu)良的特性成為目前應用最廣泛的集成電路。在電子制作中使用CMOS集成電路時(shí)，除了認真閱讀產(chǎn)品說(shuō)明或有關(guān)資料，了解其引腳分布及極限參數外，還應注意以下幾個(gè)問(wèn)題： 1、電源問(wèn)題 (1)CMOS集成電路的工作電壓一般在3-18V，但當應用電路中有門(mén)電路的模擬應用(如脈沖振蕩、線(xiàn)性放大)時(shí)，最低電壓則不應低于4.5V。由于CMOS集成電路工作電壓寬，故使用不穩壓的電源電路CMOS集成電路
- 關(guān)鍵字： CMOS 集成電路
一些常用的電平標準
- 現在常用的電平標準有TTL、CMOS、LVTTL、LVCMOS、ECL、PECL、LVPECL、RS232、RS485等，還有一些速度比較高的LVDS、GTL、PGTL、CML、HSTL、SSTL等。下面簡(jiǎn)單介紹一下各自的供電電源、電平標準以及使用注意事項。 TTL：Transistor-Transistor Logic 三極管結構。 Vcc：5V;VOH>=2.4V;VOL<=0.5V;VIH>=2V;VIL<=0.8V。 因為2.4V與5V之間還有很大空閑
- 關(guān)鍵字： TTL，CMOS
CMOS電路中ESD保護結構的設計要求
- 簡(jiǎn)介：大部分的ESD電流來(lái)自電路外部，因此ESD保護電路一般設計在PAD旁，I/O電路內部。典型的I/O電路由輸出驅動(dòng)和輸入接收器兩部分組成。ESD 通過(guò)PAD導入芯片內部，因此I/O里所有與PAD直接相連的器件都需要建立與之平行的ESD低阻旁路，將ESD電流引入電壓線(xiàn)，再由電壓線(xiàn)分布到芯片各個(gè)管腳，降低ESD的影響。 引言 靜電放電會(huì )給電子器件帶來(lái)破壞性的后果，它是造成集成電路失效的主要原因之一。隨著(zhù)集成電路工藝不斷發(fā)展，CMOS電路的特征尺寸不斷縮小，管子的柵氧 厚度越來(lái)越薄，芯片的面
- 關(guān)鍵字： CMOS ESD
學(xué)習總結之電路是計算出來(lái)的
- 簡(jiǎn)介：不斷的思考，不斷的理解，不斷的總結!希望大家堅持下去! 1、CS單管放大電路 共源級單管放大電路主要用于實(shí)現輸入小信號的線(xiàn)性放大，即獲得較高的電壓增益。在直流分析時(shí)，根據輸入的直流柵電壓即可提供電路的靜態(tài)工作點(diǎn)，而根據MOSFET的I-V特性曲線(xiàn)可知，MOSFET的靜態(tài)工作點(diǎn)具有較寬的動(dòng)態(tài)范圍，主要表現為MOS管在飽和區的VDS具有較寬的取值范圍，小信號放大時(shí)輸入的最小電壓為VIN-VTH，最大值約為VDD，假設其在飽和區可以完全表現線(xiàn)性特性，并且實(shí)現信號的最大限度放大【理想條件下】
- 關(guān)鍵字： CMOS MOSFET
cmos digital image sensor介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條cmos digital image sensor!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對cmos digital image sensor的理解，并與今后在此搜索cmos digital image sensor的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對cmos digital image sensor的理解，并與今后在此搜索cmos digital image sensor的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
cmos digital image sensor電路
cmos digital image sensor相關(guān)帖子
cmos digital image sensor資料下載
cmos digital image sensor專(zhuān)欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì )員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473