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cmos digital image sensor
cmos digital image sensor 文章 進(jìn)入cmos digital image sensor技術(shù)社區
芯片光傳輸突破瓶頸 頻寬密度增加10~50倍
- 整合光子與電子元件的半導體微芯片可加快資料傳輸速度、增進(jìn)效能并減少功耗，但受到制程方面的限制，一直無(wú)法廣泛應用。自然(Nature)雜志刊登一篇由美國加州大學(xué)柏克萊分校、科羅拉多大學(xué)和麻省理工學(xué)院研究人員發(fā)表的論文，表示已成功利用現有CMOS標準技術(shù)，制作出一顆整合光子與電子元件的單芯片。 據HPC Wire網(wǎng)站報導，這顆整合7，000萬(wàn)個(gè)電晶體和850個(gè)光子元件的芯片，采用商業(yè)化的45納米SOI CMOS制程制作，與現有的設計和電子設計工具均相容，因此可以大量生產(chǎn)。芯片內建的光電發(fā)射器和接收器
- 關(guān)鍵字： 芯片 CMOS
使用CMOS集成電路需要注意的幾個(gè)問(wèn)題
- 集成電路按晶體管的性質(zhì)分為T(mén)TL和CMOS兩大類(lèi)，TTL以速度見(jiàn)長(cháng)，CMOS以功耗低而著(zhù)稱(chēng)，其中CMOS電路以其優(yōu)良的特性成為目前應用最廣泛的集成電路。在電子制作中使用CMOS集成電路時(shí)，除了認真閱讀產(chǎn)品說(shuō)明或有關(guān)資料，了解其引腳分布及極限參數外，還應注意以下幾個(gè)問(wèn)題?！ ?、電源問(wèn)題 (1)CMOS集成電路的工作電壓一般在3-18V，但當應用電路中有門(mén)電路的模擬應用(如脈沖振蕩、線(xiàn)性放大)時(shí)，最低電壓則不應低于4.5V。由于CMOS集成電路工作電壓寬，故使用不穩壓的電源電路CMOS集成電路也可以正
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歐盟為5G打造III-V族CMOS技術(shù)
- 歐盟(E.U.)最近啟動(dòng)一項為期三年的“為下一代高性能CMOS SoC技術(shù)整合III-V族奈米半導體”(INSIGHT)研發(fā)計劃，這項研發(fā)經(jīng)費高達470萬(wàn)美元的計劃重點(diǎn)是在標準的互補金屬氧化物半導體 (CMOS)上整合III-V族電晶體通道。其最終目的則在于符合未來(lái)的5G規格要求，以及瞄準頻寬更廣、影像解析度更高的雷達系統。 除了IBM (瑞士)，該計劃將由德國弗勞恩霍夫應用固態(tài)物理研究所Fraunhofer IAF、法國LETI、瑞典隆德大學(xué)(Lund Universi
- 關(guān)鍵字： 5G CMOS
以高整合度混合信號單片機實(shí)現橋式Force Sensor應用設計
- 1.?內容簡(jiǎn)介 在2015年，蘋(píng)果新一代的MacBook和Apple?Watch皆搭載壓力觸控感應技術(shù)，它被Apple稱(chēng)為Force?Touch，用戶(hù)每次按下觸摸板之后除了可以在屏幕看見(jiàn)視覺(jué)回饋，它同時(shí)能夠分辨出用戶(hù)點(diǎn)按的力度強弱來(lái)做出一系列的相關(guān)操控與應用。而本文將介紹以HY16F184內建高精密Sigma-delta?24?Bit?ADC搭配HDK?Force?Sensor來(lái)實(shí)現一個(gè)類(lèi)似Force?Touc
- 關(guān)鍵字： 混合信號 Force Sensor
安森美半導體推出先進(jìn)的1300萬(wàn)像素CMOS圖像傳感器，采用SuperPD PDAF技術(shù)
- 推動(dòng)高能效創(chuàng )新的安森美半導體(ON Semiconductor)，進(jìn)一步擴展成像方案產(chǎn)品陣容，推出最新的高性能CMOS數字圖像傳感器。AR1337是1/3.2英寸格式背照式器件，針對消費電子產(chǎn)品如智能手機和平板電腦。AR1337結合高性能的SuperPD?相位檢測自動(dòng)對焦(PDAF)像素技術(shù)，提供微光下300 ms或更少時(shí)間的對焦速度，即使微光低于25勒克斯(lux)。此外，AR1337通過(guò)采用其片上PDAF處理，大大簡(jiǎn)化集成到智能手機平臺和提高相機模塊集成商生產(chǎn)能力，較市場(chǎng)上其它
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摩爾定律邁入“后CMOS”時(shí)代
- 在英特爾(Intel)負責晶圓廠(chǎng)業(yè)務(wù)的最高長(cháng)官表示，摩爾定律(Moore’s Law)有很長(cháng)的壽命，但如果采用純粹的CMOS制程技術(shù)就可能不是如此。 “如 果我們能專(zhuān)注于降低每電晶體成本，摩爾定律的經(jīng)濟學(xué)是合理的;”英特爾技術(shù)與制造事業(yè)群(technology and manufacturing group)總經(jīng)理William Holt，在近日于美國舊金山舉行的年度固態(tài)電路會(huì )議(ISSCC)上對近3,000名與會(huì )者表示：“而超越CMOS，我們將看
- 關(guān)鍵字： 摩爾定律 CMOS
歷時(shí)兩年,清芯華創(chuàng )完成對OmniVision收購
- 美國 CMOS 圖像感測器大廠(chǎng)豪威(OmniVision)28 日宣布與中國清芯華創(chuàng )為首的投資基金完成收購，從清芯華創(chuàng )等提出收購邀約到完成并購歷時(shí)長(cháng)達兩年，而在消息公布同時(shí)，豪威也于 28 日暫停在那斯達克證券市場(chǎng)的交易。 豪威 28 日宣布，與中國清芯華創(chuàng )、中信資本與其旗下的金石投資所組成的投資基金完成收購，豪威以每股 29.75 美元、總計 19 億美元代價(jià)授予中國該基金，并于 28 日起于那斯達克證券市場(chǎng)暫停交易。據悉，早在 2014 年 8 月豪威即收到來(lái)自清
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【E課堂】數字電路中△ I噪聲的產(chǎn)生與特點(diǎn)
- 隨著(zhù)數字電路向高集成度、高性能、高速度、低工作電壓、低功耗等方向發(fā)展，數字電路中的△I噪聲正逐步成為數字系統的主要噪聲源之一，因此研究△I噪聲的產(chǎn)生過(guò)程與基本特點(diǎn)，對認識△I噪聲特性進(jìn)而抑制△I噪聲具有實(shí)際意義?！ 》聪嗥魇菙底衷O計的核心。本文從反相器入手，分析了TTL和CMOS中△I噪聲的產(chǎn)生過(guò)程與基本特點(diǎn)?！ ? △I噪聲的產(chǎn)生 1.1 TTL中△I噪聲的產(chǎn)生 TTL反相器的基本電路如圖1所示。在穩定狀態(tài)下，輸出Vo分別為高電平VOH和低電平VOL時(shí)，電源提供的電流IH和I
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索尼正式加入汽車(chē)熱潮：設立車(chē)用CMOS芯片部門(mén)
- 汽車(chē)行業(yè)(汽車(chē)電子、車(chē)聯(lián)網(wǎng))已經(jīng)成為科技和互聯(lián)網(wǎng)巨頭紛紛布局的下一個(gè)熱門(mén)領(lǐng)域，其中蘋(píng)果也跟進(jìn)谷歌(微博)，開(kāi)始研發(fā)電動(dòng)車(chē)。而在日前，日本索尼公司也對架構進(jìn)行了重組，設立了獨立的汽車(chē)業(yè)務(wù)部門(mén)，擬開(kāi)發(fā)車(chē)用CMOS圖像傳感器的市場(chǎng)。 據“今日日本”網(wǎng)站12月28日報道，索尼日前對外公布了公司架構的重組事宜以及人事變化，架構調整將會(huì )從2016年1月1日生效。 索尼宣布，在“設備解決方案業(yè)務(wù)集團”下，新設立三個(gè)部門(mén)，“汽車(chē)業(yè)務(wù)”
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索尼新增車(chē)載事業(yè)部，CMOS傳感器做臥底？
- 索尼公布了將于2016年1月1日實(shí)施的人事及機構改革方案。在機構改革方案中，引人注目的是在器件解決方案事業(yè)本部中新設了3個(gè)組織。 新設的三個(gè)組織分別是車(chē)載事業(yè)部、模塊事業(yè)部、商品開(kāi)發(fā)部。雖然詳情未公布，不過(guò)可以看出此舉目的是強化圖像傳感器業(yè)務(wù)等。最近，索尼從東芝手中接收了用于生產(chǎn)CMOS圖像傳感器的300mm晶圓生產(chǎn)線(xiàn)和員工。 在智能手機及數碼相機等使用的CMOS圖像傳感器方面，索尼占有絕對優(yōu)勢。而在車(chē)載攝像頭使用的圖像傳感器方面，美國安森美半導體表示自己份額第一，“索尼并不是
- 關(guān)鍵字： 索尼 CMOS
索尼在器件部門(mén)新設車(chē)載事業(yè)部
- 索尼公布了將于2016年1月1日實(shí)施的人事及機構改革方案。在機構改革方案中，引人注目的是在器件解決方案事業(yè)本部中新設了3個(gè)組織?！ ⌒略O的三個(gè)組織分別是車(chē)載事業(yè)部、模塊事業(yè)部、商品開(kāi)發(fā)部。雖然詳情未公布，不過(guò)可以看出此舉目的是強化圖像傳感器業(yè)務(wù)等。最近，索尼從東芝手中接收了用于生產(chǎn)CMOS圖像傳感器的300mm晶圓生產(chǎn)線(xiàn)和員工(參閱本站報道)?！ ≡谥悄苁謾C及數碼相機等使用的CMOS圖像傳感器方面，索尼占有絕對優(yōu)勢。而在車(chē)載攝像頭使用的圖像傳感器方面，美國安森美半導體表示自己份額第一，“索尼并不是第一
- 關(guān)鍵字： 索尼 CMOS
CMOS放大器和JFET放大器的輸入偏置電流
- 由于具有較低的偏置電流，人們經(jīng)常選用CMOS和JFET運算放大器。然而你應該意識到，這個(gè)事實(shí)還與很多其它的原因相關(guān)?！ MOS晶體管的柵極 (CMOS運算放大器的輸入端)有極低的輸入電流。必須設計附加的電路來(lái)對脆弱的柵極進(jìn)行ESD和EOS保護。這些附加的電路是輸入偏置電流的主要來(lái)源。這些保護電路一般都通過(guò)在電源軌之間接入鉗位二極管來(lái)實(shí)現。圖1a中的OPA320就是一個(gè)例子。這些二極管會(huì )存在大約幾皮安的漏電流。當輸入電壓大約達到電源軌中間值的時(shí)候，漏電流匹配的相當好，僅僅會(huì )存在小于1皮安的殘余誤差電流
- 關(guān)鍵字： CMOS JFET
10位65MSPS模數轉換芯片ADC10065的原理和應用
- ADC10065是NS(National Semiconductor)公司推出的一款高速低功耗A/D轉換器，它的轉換速率可達65MSPS，標稱(chēng)功耗僅為68.4mW，且保證不失碼。文中介紹了該芯片的主要參數、工作原理和引腳功能，給出了ADC10065的簡(jiǎn)單應用電路?！ ?ADC10065的主要特點(diǎn) ADC10065是美國國家半導體公司推出的一款低功耗、單電源供電的CMOS 模數轉換器。該芯片在3V單電源供電時(shí)，能以65MSPS的采樣速率將模擬信號轉為精確的10 位數字信號，而功耗僅為68.4mW，其備
- 關(guān)鍵字： CMOS ADC10065
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歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對cmos digital image sensor的理解，并與今后在此搜索cmos digital image sensor的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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