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4Gb手機RAM芯片出貨

  • 　　從3月23日開(kāi)始，三星出貨4Gb容量的LPDDR2 RAM，該芯片為30納米制程，采用該芯片的設備主要為手機和平板電腦，有望帶來(lái)手機和平板運行速度上的提升。 　　　　
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雙RAM技術(shù)的LED顯示屏控制系統設計

  • 針對顯示信息在垂直循環(huán)顯示時(shí)存儲器的使用效率低、存儲器占用量大等問(wèn)題，基于雙RAM思想，用靜態(tài)顯示數據組織方式來(lái)組織動(dòng)態(tài)顯示數據，達到降低存儲器占用率的目的。將組織好的數據按奇偶規則存放在一塊帶有SPI接口的串行Flash中，并使用高速單片機VRS51L3 074控制數據輸出顯示。
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多光譜可見(jiàn)光遙感圖像壓縮系統設計

  • 摘要：為了實(shí)現多光譜可見(jiàn)光遙感圖像高質(zhì)量壓縮的要求，提出以JPEG2000壓縮標準為理論，將FPGA與專(zhuān)用壓縮芯片ADV212相結 合的空間遙感圖像壓縮方法。該系統設計采用ADV212，通過(guò)小波變換及熵編碼實(shí)現對大數據量的空間
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Ramtron和奧地利微電子公司合作提供MaxArias無(wú)線(xiàn)存儲器套件

  • 　　世界領(lǐng)先的低功耗鐵電存儲器(F-RAM)和集成半導體產(chǎn)品開(kāi)發(fā)商及供應商Ramtron International Corporation (簡(jiǎn)稱(chēng)Ramtron) 和全球領(lǐng)先的高性能模擬IC設計商與生產(chǎn)商奧地利微電子公司(austriamicrosystems)宣布提供用于評測第三代數據豐富自動(dòng)識別應用的MaxArias無(wú)線(xiàn)存儲器套件。Ramtron的MaxArias無(wú)線(xiàn)存儲器評測套件在德國慕尼黑electronica 2010展會(huì )上首次展出。 　　
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為何電子式電能表需要使用鐵電存儲器(F-RAM)

  • 為何電子式電能表需要使用鐵電存儲器(F-RAM),　　自從1889年匈牙利工程師 Otto Blathy 發(fā)明全世界第一個(gè)電能表 (瓦特瓦時(shí)表)原型之后，電能表經(jīng)過(guò)一個(gè)世紀多的演進(jìn)：由機械式電表到今日的各種不同型式的電子電能表，包含新的預付費電能表 (pre-paid) 復費率電能
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幾種常用的單片機系統RAM測試方法

  • 在各種單片機應用系統中，存儲器的正常與否直接關(guān)系到該系統的正常工作。為了提高系統的可靠性，對系統的可靠性進(jìn)行測試是十分必要的。通過(guò)測試可以有效地發(fā)現并解決因存儲器發(fā)生故障對系統帶來(lái)的破壞問(wèn)題。本文針對
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存儲器大廠(chǎng)重兵部署Mobile RAM　明年激戰難免

  • 　　高階智能型手機和平板計算機應用逐漸侵蝕筆記型計算機(NB)市場(chǎng)，全球存儲器大廠(chǎng)包括三星電子(Samsung Electronics)、爾必達(Elpida)、美光(Micron)紛重兵部署Mobile RAM市場(chǎng)，由于生產(chǎn)標準型DRAM利潤減少，國際存儲器大廠(chǎng)持續將產(chǎn)能移往Mobile RAM產(chǎn)品。臺系DRAM廠(chǎng)加入Mobile RAM戰局時(shí)間點(diǎn)較晚，其中，南亞科Mobile RAM已送客戶(hù)認證，預計2011年第1季放量，茂德2011年亦將在爾必達授權下加入戰局，而華邦Mobile RAM更是目前營(yíng)運
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存儲器大廠(chǎng)重兵部署Mobile RAM 臺廠(chǎng)加入戰局 明年激戰難免

  • 　　高階智能型手機和平板計算機應用逐漸侵蝕筆記型計算機(NB)市場(chǎng)，全球存儲器大廠(chǎng)包括三星電子(Samsung Electronics)、爾必達(Elpida)、美光(Micron)紛重兵部署Mobile RAM市場(chǎng)，由于生產(chǎn)標準型DRAM利潤減少，國際存儲器大廠(chǎng)持續將產(chǎn)能移往Mobile RAM產(chǎn)品。臺系DRAM廠(chǎng)加入Mobile RAM戰局時(shí)間點(diǎn)較晚，其中，南亞科Mobile RAM已送客戶(hù)認證，預計2011年第1季放量，茂德2011年亦將在爾必達授權下加入戰局，而華邦Mobile RAM更是目前營(yíng)運
  • 關(guān)鍵字： 三星電子  RAM  智能手機  

雙口RAM芯片CY7C028的INS/GPS組合導航系統

  • 　　在眾多組合導般系統中，INS/GPS組合導航系統更是發(fā)展迅速，在軍用和民用領(lǐng)域均已獲得廣泛應用，而且愈來(lái)愈受到重視。就INS/GPS組合導航系統而言，除了要完成大量的導航解算工作外，還要完成控制、人機接口、與外
  • 關(guān)鍵字： 組合  導航  系統  INS/GPS  CY7C028  RAM  芯片  雙口  

使用用CPLD和Flash實(shí)現FPGA的配置

  • 電子設計自動(dòng)化EDA(ElectronicDesignAutomation)是指以計算機為工作平臺，以EDA軟件為開(kāi)發(fā)環(huán)境，以硬件描...
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基于FPGA的雙口RAM與PCI9O52接口設計

  • 摘要：為了解決PCI9052和雙口RAM之間讀寫(xiě)時(shí)序不匹配的問(wèn)題，本設計采用可編程器件來(lái)實(shí)現它們之間的接口電路。此電路可以使系統更加緊湊。核心邏輯部分采用有限狀態(tài)機實(shí)現，使控制邏輯直觀(guān)簡(jiǎn)單，提高了設計效率。
    通
  • 關(guān)鍵字： FPGA  PCI9  RAM  PCI    

雙端口RAM的并口設計應用

  • 雙端口RAM的并口設計應用,摘要：IDT7132/IDT7142是一種高速2k×8雙端口靜態(tài)RAM,它擁有兩套完全獨立的數據、地址和讀寫(xiě)控制線(xiàn)。文中分析了雙端口RAM（DPRAM）的設計方案。并以IDT7132/7142為例介紹了雙端口RAM的時(shí)序、競爭和并行通訊接口設計以
  • 關(guān)鍵字： 應用  設計  并口  RAM  雙端口  

F-RAM與BBSRAM功能和系統設計之比較

  • 　　引言 　　高性能和環(huán)保是當前技術(shù)創(chuàng )新的兩大要求。二者共同推動(dòng)半導體元器件的發(fā)展，同時(shí)也為全球眾多企業(yè)和消費者所耳熟能詳。 　　若系統設計需要采用半導體存儲器技術(shù)，工程師有(但不限于)以下選擇：電池備份靜態(tài)隨機存儲器(battery backed static random access memory, BBSRAM);非易失性SRAM;鐵電隨機存取存儲器(F-RAM);以及其它noVRAM技術(shù)。在從工廠(chǎng)自動(dòng)化和電信到計量和醫療技術(shù)的每一種應用中，要確定最適合的存儲器選擇，是一項重要的設計考慮事項。
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在MAXQ8913微控制器中從RAM執行應用程序

  • MAXQ8913及其它MAXQ®微控制器采用的Harvard存儲器映射架構為用戶(hù)提供了極大的靈活性，可根據需要將不同的物理內存(例如數據SRAM)映射為程序或數據內存空間。在特定環(huán)境下，從數據SRAM執行一個(gè)程序的部分代碼能夠
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基于0.13微米CMOS工藝下平臺式FPGA中可重構RAM模塊的一種設計方法

  • 基于0.13微米CMOS工藝下平臺式FPGA中可重構RAM模塊的一種設計方法,1. 引言

    對于需要大的片上存儲器的各種不同的應用，FPGA 需要提供可重構且可串聯(lián)的存儲器陣列。通過(guò)不同的配置選擇，嵌入式存儲器陣列可以被合并從而達到位寬或字深的擴展并且可以作為單端口，雙端口
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