格羅方德推出性能增強型130nm 硅鍺射頻技術(shù)，以促進(jìn)下一代無(wú)線(xiàn)網(wǎng)絡(luò )通信發(fā)展

　　格羅方德半導體(GlobalFoundries)于今日宣布針對硅鍺(SiGe)高性能技術(shù)組合，推出新一代射頻芯片解決方案。該項技術(shù)專(zhuān)為需要更優(yōu)性能解決方案的客戶(hù)而打造，適用于汽車(chē)雷達、衛星通信、5G毫米波基站等其他無(wú)線(xiàn)或有線(xiàn)通信網(wǎng)絡(luò )的應用。

　　格羅方德半導體的硅鍺 8XP技術(shù)是該公司130nm高性能硅鍺系列產(chǎn)品的最新成員，它可協(xié)助客戶(hù)制定射頻解決方案，以在更遠距離實(shí)現更快的數據吞吐量，同時(shí)耗能更少。這項先進(jìn)技術(shù)大幅提升了異質(zhì)結雙極晶體管(HBT)的性能、降低噪聲指數、改善信號完整性并將硅鍺 8XP的最大振蕩頻率(Fmax)增加至340GHz，相比以前的硅鍺 8HP提升了25%。

　　運行于毫米波頻段的高帶寬通信系統帶來(lái)了復雜性和高性能要求，因此急切需要性能更優(yōu)的芯片解決方案。除了依靠硅鍺技術(shù)獲得高性能的各種應用外(如：通信基站設施、回程信號隧道、衛星和光纖網(wǎng)絡(luò ))，高性能硅鍺解決方案還可在5G智能手機的射頻前端以及其他毫米波相控陣消費應用領(lǐng)域迎來(lái)發(fā)展良機。

　　格羅方德半導體射頻業(yè)務(wù)部高級副總裁Bami Bastani博士認為：“5G網(wǎng)絡(luò )將促進(jìn)射頻SoC設計實(shí)現新一代的創(chuàng )新，以支持高帶寬的數據傳輸并滿(mǎn)足對更快數據傳輸和更低延遲率應用的需求。格羅方德的硅鍺 8HP和8XP技術(shù)可以有效平衡性能、功率和效率，助力客戶(hù)在下一代移動(dòng)和硬件設施上開(kāi)發(fā)出差異化的射頻解決方案。”

　　Anokiwave的首席執行官Robert Donahue表示：“格羅方德的領(lǐng)先硅鍺技術(shù)和全面的平臺開(kāi)發(fā)工具包能使我們的開(kāi)發(fā)設計人員快速開(kāi)發(fā)出性能更優(yōu)、更具差異化的毫米波解決方案。利用硅鍺 8XP技術(shù)，我們可以推出面向未來(lái)、更高性能的毫米波解決方案，以幫助我們的供應商隨時(shí)隨地確保穩定的連接性，同時(shí)從容應對呈爆炸式激增的海量移動(dòng)數據流。”

　　未來(lái)的5G網(wǎng)絡(luò )將在更小單元面積內促進(jìn)基站擴增，硅鍺8HP和8XP技術(shù)旨在充分平衡微波和毫米波頻段的價(jià)值、輸出功率、效率、低噪性和線(xiàn)性，以實(shí)現下一代移動(dòng)基礎硬件設施和智能手機射頻前端的差異化射頻解決方案。格羅方德的硅鍺 8HP和8XP高性能技術(shù)可幫助芯片設計者整合重要的數字和射頻功能，以開(kāi)發(fā)出比砷化鎵(GaAs)更經(jīng)濟，比CMOS性能更優(yōu)越的芯片技術(shù)。

　　除了在毫米波頻段高效運行的高性能晶體管，該技術(shù)引發(fā)的技術(shù)創(chuàng )新還可以減少芯片尺寸，產(chǎn)生高效空間利用的解決方案。全新的銅金屬化功能特性使得材料的電流承受能力在100攝氏度時(shí)提高5倍(以電流密度計)，或相比標準銅線(xiàn)，在相同的電流密度下其溫度高出25攝氏度;此外，格羅方德經(jīng)生產(chǎn)驗證的硅通孔(TSV)互連技術(shù)現已問(wèn)世。

　　硅鍺 8XP設計套件現已全面上市。欲了解關(guān)于格羅方德130nm 硅鍺高性能技術(shù)解決方案的更多詳情，請蒞臨我們在舊金山國際微波研討會(huì )(International Microwave Symposium)的1443號展位(5月22日-27日)，或訪(fǎng)問(wèn)globalfoundries.com/sige。