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英飛凌OptiMOS? 7 40V 車(chē)規MOSFET ，助力汽車(chē)控制器應用
- OptiMOS? 7 40V 車(chē)規MOSFET概況采用OptiMOS? 7 技術(shù)的40V車(chē)規MOSFET產(chǎn)品系列，進(jìn)一步提升比導通電阻，減小RDSON*A，即在同樣的晶圓面積下實(shí)現更低的RDSON，或者說(shuō)在更小的晶圓面積下實(shí)現相同的RDSON。如下圖所示，英飛凌40V MOSFET不同代際產(chǎn)品在比導通電阻的演進(jìn)。英飛凌40V MOSFET比導通電阻代際演進(jìn)英飛凌OptiMOS? 7 技術(shù)是英飛凌開(kāi)發(fā)的第五代溝槽技術(shù)，是當今領(lǐng)先的雙多晶硅溝槽技術(shù)。無(wú)引腳封裝結合銅夾技術(shù)的使用，大幅提高了產(chǎn)品的電流能
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新型OptiMOS 7 MOSFET改進(jìn)汽車(chē)應用中的導通電阻、設計穩健性和開(kāi)關(guān)效率
- 英飛凌科技股份公司正在擴大其用于汽車(chē)應用的下一代OptiMOS? 7 MOSFET產(chǎn)品組合，在40 V?產(chǎn)品組合中新增了采用穩健且無(wú)鉛封裝的器件，并且推出了80 V和100 V型號的OptiMOS? 7 MOSFET。這些MOSFET針對各項標準和未來(lái)的48 V汽車(chē)應用進(jìn)行了優(yōu)化，包括電動(dòng)助力轉向、制動(dòng)系統、新區域架構中的功率開(kāi)關(guān)、電池管理、電子保險絲盒，以及各種12 V和48 V電氣系統應用中的直流/直流和BLDC驅動(dòng)器等。這些產(chǎn)品還適用于輕型電動(dòng)汽車(chē)（LEV）、電動(dòng)二輪車(chē)、電動(dòng)踏板車(chē)、電動(dòng)摩
- 關(guān)鍵字： 英飛凌科技 汽車(chē)應用 OptiMOS? 7 MOSFET
英飛凌為汽車(chē)應用推出業(yè)內導通電阻最低的80 V MOSFET OptiMOS? 7
- 英飛凌科技股份公司近日推出其最新先進(jìn)功率MOSFET?技術(shù)——?OptiMOS? 7 80 V的首款產(chǎn)品IAUCN08S7N013。該產(chǎn)品的特點(diǎn)包括功率密度顯著(zhù)提高，和采用通用且穩健的高電流SSO8 5 x 6 mm2 SMD封裝。這款OptiMOS? 7 80 V產(chǎn)品非常適合即將推出的?48 V板網(wǎng)應用。它專(zhuān)為滿(mǎn)足高要求汽車(chē)應用所需的高性能、高質(zhì)量和穩健性而打造，包括電動(dòng)汽車(chē)的汽車(chē)直流-直流轉換器、48 V電機控制（例如電動(dòng)助力轉向系統（EPS））、48 V電池開(kāi)關(guān)以及電動(dòng)
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英飛凌推出OptiMOS? 6 200 V MOSFET，以更高的功率密度和效率樹(shù)立行業(yè)新標準
- 英飛凌科技股份公司近日推出OptiMOS? 6 200 V MOSFET產(chǎn)品系列，使電機驅動(dòng)應用取得了飛躍性的進(jìn)展。這一全新產(chǎn)品組合將為電動(dòng)摩托車(chē)、微型電動(dòng)汽車(chē)和電動(dòng)叉車(chē)等應用提供出色的性能。新 MOSFET產(chǎn)品的導通損耗和開(kāi)關(guān)性能均有所改善，降低了電磁干擾（EMI）和開(kāi)關(guān)損耗，有益于用于服務(wù)器、電信、儲能系統（ESS）、音頻、太陽(yáng)能等用途的各種開(kāi)關(guān)應用。此外，憑借寬安全工作區（SOA）和業(yè)界領(lǐng)先的RDS(on)，該產(chǎn)品系列非常適合電池管理系統等靜態(tài)開(kāi)關(guān)應用。全新推出的英飛凌OptiMOS? 6 200
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英飛凌推出OptiMOS? 6200V MOSFET
- 英飛凌科技股份公司近日出OptiMOS? 6 200 V MOSFET產(chǎn)品系列，使電機驅動(dòng)應用取得了飛躍性的進(jìn)展。這一全新產(chǎn)品組合將為電動(dòng)摩托車(chē)、微型電動(dòng)汽車(chē)和電動(dòng)叉車(chē)等應用提供出色的性能。新MOSFET產(chǎn)品的導通損耗和開(kāi)關(guān)性能均有所改善，降低了電磁干擾（EMI）和開(kāi)關(guān)損耗，有益于用于服務(wù)器、電信、儲能系統（ESS）、音頻、太陽(yáng)能等用途的各種開(kāi)關(guān)應用。此外，憑借寬安全工作區（SOA）和業(yè)界領(lǐng)先的RDS(on)，該產(chǎn)品系列非常適合電池管理系統等靜態(tài)開(kāi)關(guān)應用。全新推出的英飛凌OptiMOS? 6 200 V產(chǎn)
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英飛凌推出采用TOLx封裝的全新車(chē)用60V和120V OptiMOS 5,適用24 V-72V供電的大功率ECU
- 交通系統的電氣化進(jìn)程正在不斷加快。除了乘用車(chē)外，兩輪車(chē)、三輪車(chē)和輕型汽車(chē)也越來(lái)越多實(shí)現了電氣化。因此，由24V-72V電壓驅動(dòng)的車(chē)用電子控制單元（ECU）市場(chǎng)預計將在未來(lái)幾年持續增長(cháng)。英飛凌科技股份公司針對這一發(fā)展趨勢，推出采用高功率TOLL、TOLG和TOLT封裝的新半導體產(chǎn)品，進(jìn)一步補充其OptiMOS? 5 系列60V至120V 車(chē)用MOSFET 產(chǎn)品組合。這些產(chǎn)品能以小巧外形提供出色的熱性能與卓越的開(kāi)關(guān)性能。六款新產(chǎn)品具有較窄的柵極閾值電壓（V GS(th)），支持并聯(lián) MOSFET設計，以增加輸
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英飛凌推出OptiMOS?功率MOSFET，擴大采用PQFN 2mmx2mm封裝的產(chǎn)品陣容
- 【2023年8月3日，德國慕尼黑訊】小型分立式功率MOSFET在節省空間、降低成本和簡(jiǎn)化應用設計方面發(fā)揮著(zhù)至關(guān)重要的作用。此外，更高的功率密度還能實(shí)現靈活的布線(xiàn)并縮小系統的整體尺寸。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出先進(jìn)的全新OptiMOS?功率MOSFET，進(jìn)一步擴大其采用PQFN 2x2 mm2封裝的功率MOSFET的產(chǎn)品陣容，此舉旨在提供功率半導體行業(yè)標桿解決方案，在更小的封裝尺寸內實(shí)現更高的效率和更加優(yōu)異的性能。新產(chǎn)品廣泛適用于各種應用，如服務(wù)器、通信
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英飛凌推出面向汽車(chē)的OptiMOS? 7 40V MOSFET
- 【2023 年 5 月 12 日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE 代碼：IFX / OTCQX 代碼：IFNNY）推出 OptiMOS? 7 40V MOSFET 系列。作為英飛凌最新一代面向汽車(chē)應用的功率 MOSFET，OptiMOS? 7 40V MOSFET提供多種無(wú)引腳、堅固的功率封裝。該系列產(chǎn)品采用了 300 毫米薄晶圓技術(shù)和創(chuàng )新的封裝，相比于其它采用微型封裝的器件，具有顯著(zhù)的性能優(yōu)勢。這使得全新 MOSFET 成為所有的標準和未來(lái)車(chē)用 40V MOSFET 應用的理想選擇，如電動(dòng)助力
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英飛凌推出完全集成的新一代OptiMOS? POL DC-DC穩壓器
- 【2022 年 9 月 22日，德國慕尼黑訊】隨著(zhù)人工智能（AI）技術(shù)在大規模數據中心里的應用，整個(gè)市場(chǎng)對更高性能的半導體器件的需求也將持續增加。這一趨勢使得為智能的企業(yè)級系統創(chuàng )建高功率密度、高能效的解決方案成為了一大挑戰。為了解決這一挑戰，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出了全新的OptiMOS? 5 IPOL系列降壓穩壓器。該產(chǎn)品系列具有符合VR14標準的SVID和I2C/PMBus數字接口，適用于英特爾和AMD的服務(wù)器CPU及網(wǎng)絡(luò )ASIC/FPGA。這些
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OptiMOS?線(xiàn)性場(chǎng)效應晶體管兼具低RDS(on)值與大安全工作區
- 英飛凌科技股份公司推出OptiMOS?線(xiàn)性場(chǎng)效應晶體管系列。這個(gè)全新產(chǎn)品系列兼具溝槽型功率場(chǎng)效應管的低導通電阻(RDS(on))與平面MOSFET的大安全工作區。這就解決了RDS(on)與線(xiàn)性模式功能之間的平衡問(wèn)題。OptiMOS線(xiàn)性場(chǎng)效應晶體管可在增強模式MOSFET的飽和區工作。OptiMOS線(xiàn)性場(chǎng)效應晶體管最適合電信和電池管理系統(BMS)中常見(jiàn)的熱插拔、電子熔斷器和保護應用?！ ∧陀玫木€(xiàn)性模式操作和更高的脈沖電流都有助于實(shí)現較低傳導損耗、更快啟動(dòng)和更短的停機時(shí)間。通過(guò)限制較高的勵磁涌流，Opt
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英飛凌率先采用300毫米薄晶圓工藝批量生產(chǎn)新一代汽車(chē)功率場(chǎng)效應管
- 英飛凌科技股份公司在全球率先采用300毫米薄晶圓生產(chǎn)汽車(chē)功率場(chǎng)效應管。第一個(gè)產(chǎn)品系列OptiMOS™ 5 40V針對二氧化碳減排應用進(jìn)行了優(yōu)化。產(chǎn)品在英飛凌位于奧地利菲拉赫的晶圓廠(chǎng)生產(chǎn)。 英飛凌科技股份公司汽車(chē)電子事業(yè)部總裁Jochen Hanebeck表示：“通過(guò)采用300毫米薄晶圓工藝生產(chǎn)汽車(chē)功率場(chǎng)效應管，英飛凌加強了自身的技術(shù)與市場(chǎng)領(lǐng)先優(yōu)勢。英飛凌確保以具有競爭力的價(jià)格提供大規模量產(chǎn)的高性能汽車(chē)功率場(chǎng)效應管。我們的汽車(chē)行業(yè)客戶(hù)將受益于供貨保障，以及英飛凌300毫米薄
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英飛凌推出針對體二極管硬式整流進(jìn)行了優(yōu)化的快速二極管
- 英飛凌科技股份公司日前推出200V和250V?OptiMOSTM?FD，進(jìn)一步完善了中壓產(chǎn)品組合。作為針對體二極管硬式整流進(jìn)行優(yōu)化的最新一代功率MOSFET，這些器件更加可靠耐用，具有更低的過(guò)沖電壓和更低的反向恢復損耗，有助于實(shí)現最可靠的系統，特別是在硬開(kāi)關(guān)應用中，如通訊系統、工業(yè)電源、D類(lèi)音頻放大器、電機控制(適用于48–110V系統)和直流/交流逆變器等?！ √岣呖煽啃?，同時(shí)節省成本 OptiMOS?FD家族具備針對最高性能標準而優(yōu)化的反向恢復電荷(Qrr)。相比標
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英飛凌推出的汽車(chē)電源管理OptiMOS P2芯片
- 英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）近日宣布推出采用先進(jìn)溝道工藝制造的全新單P溝道40V汽車(chē)電源MOSFET產(chǎn)品系列。全新的40V OptiMOS P2產(chǎn)品為能效改進(jìn)、碳減排和成本節約樹(shù)立了行業(yè)新標桿，從而進(jìn)一步鞏固英飛凌在新一代汽車(chē)電源管理應用領(lǐng)域的領(lǐng)導地位。
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英飛凌推出全新40V P溝道OptiMOS P2芯片
- 2011年9月9日，德國紐必堡訊——英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)近日宣布推出采用先進(jìn)溝道工藝制造的全新單P溝道40V汽車(chē)電源MOSFET產(chǎn)品系列。全新的40V OptiMOS P2產(chǎn)品為能效改進(jìn)、碳減排和成本節約樹(shù)立了行業(yè)新標桿，從而進(jìn)一步鞏固英飛凌在新一代汽車(chē)電源管理應用領(lǐng)域的領(lǐng)導地位。
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英飛凌推出OptiMOS調壓MOSFET和DrMOS系列
- 英飛凌科技股份公司近日宣布，公司將在2010年應用電力電子會(huì )議和產(chǎn)品展示會(huì )上，推出OptiMOS 25V器件系列，壯大OptiMOS 功率 MOSFET產(chǎn)品陣容。該系列器件經(jīng)過(guò)優(yōu)化，適合應用于計算機服務(wù)器電源的電壓調節電路和電信/數據通信的開(kāi)關(guān)。這種全新的MOSFET還被集成進(jìn)滿(mǎn)足英特爾DrMOS規范的TDA21220 DrMOS。 通過(guò)大幅降低三個(gè)關(guān)鍵的能效優(yōu)值(FOM)，這種全新的器件無(wú)論在任何負載條件下，都可使MOSFET功耗降低20%，同時(shí)達到更高的性能。此外，更高的功率密度還能讓典型電
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