英飛凌推出OptiMOS調壓MOSFET和DrMOS系列

　　英飛凌科技股份公司近日宣布，公司將在2010年應用電力電子會(huì )議和產(chǎn)品展示會(huì )上，推出OptiMOS 25V器件系列，壯大OptiMOS 功率 MOSFET產(chǎn)品陣容。該系列器件經(jīng)過(guò)優(yōu)化，適合應用于計算機服務(wù)器電源的電壓調節電路和電信/數據通信的開(kāi)關(guān)。這種全新的MOSFET還被集成進(jìn)滿(mǎn)足英特爾DrMOS規范的TDA21220 DrMOS。

　　通過(guò)大幅降低三個(gè)關(guān)鍵的能效優(yōu)值(FOM)，這種全新的器件無(wú)論在任何負載條件下，都可使MOSFET功耗降低20%，同時(shí)達到更高的性能。此外，更高的功率密度還能讓典型電源的降壓轉換器的占板空間縮小40%以上。

　　例如，在一個(gè)六相穩壓器設計中，采用一個(gè)5V柵極驅動(dòng)的全新25V OptiMOS器件，在輸出電流為30A 至180A條件下，能效可超過(guò)90%，最高可達93%。這主要歸功于該器件具備行業(yè)最低的導通電阻、最低的柵極電荷以及最低的輸出電容等特性。英飛凌聲稱(chēng)，它是全球第一家能夠提供同時(shí)具備這樣三種特性的器件的功率MOSFET供應商。

　　據幾家市場(chǎng)研究公司的預測，2011年服務(wù)器保有量將達到6,000萬(wàn)臺。這些服務(wù)器的平均功耗為600瓦，總耗電量高達36,000兆瓦。這些服務(wù)器的用電量每減少1%，即可節省360兆瓦的電能，相當于一座水電站的裝機容量。此外，更高效的電源的制冷需求相應降低，從而進(jìn)一步減少耗電量。

　　英飛凌科技低壓MOSFET產(chǎn)品線(xiàn)負責人Richard Kuncic指出：“更高效地使用能源，也就是說(shuō)消耗更少的電能，是確保未來(lái)能源安全的最有效的途徑，英飛凌將為此做出巨大貢獻。英飛凌為工業(yè)、電信、消費類(lèi)電子設備和家電等領(lǐng)域的產(chǎn)品提供非常強大和高效的MOSFET解決方案。我們設立了MOSFET的性能標桿。我們矢志鞏固我們作為MOSFET器件頭號供應商的地位，使電源盡可能達到最高能效。通過(guò)推出這個(gè)全新的25V OptiMOS器件系列，我們能夠讓客戶(hù)設計出功耗和成本更低的產(chǎn)品。”

　　電源設計人員可通過(guò)采用25V OptiMOS器件，減少產(chǎn)品的用電量，降低其熱負載，甚至縮小其尺寸。這些改進(jìn)對于數據中心運營(yíng)商而言十分有益，因為服務(wù)器運行及制冷所發(fā)生的電費，是數據中心最大的運營(yíng)成本項目。最終用戶(hù)同樣非常重視縮小整個(gè)系統的體積。

　　英飛凌全新推出的25V OptiMOS分立式器件采用三種封裝形式：SuperSO8、CanPAK和超小的S3O8封裝。S3O8封裝尺寸僅為3.3 毫米 x 3.3毫米。若采用S3O8封裝，一個(gè)六相轉換器的外形尺寸僅為1,120平方毫米，比另外兩種封裝分別縮小45%至 55%。全新推出的DrMOS器件——TDA21220——是一個(gè)多片封裝，集成了兩個(gè)全新的OptiMOS晶體管和一個(gè)驅動(dòng)IC。它的能效比市場(chǎng)上同類(lèi)解決方案高2%至4%。

　　相對于采用低導通電阻溝槽技術(shù)和超低柵極電荷橫向MOSFET概念的器件，OptiMOS25V器件在能效優(yōu)值方面表現更為出色。在導通電阻相同的情況下，全新的OptiMOS 25V器件的柵極電荷，比采用最接近的溝槽工藝制造的器件低35%，而其輸出電荷比最佳的橫向MOSFET器件低一半。