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EVG集團在融化晶圓鍵合領(lǐng)域取得重大突破，一舉掃清制造3D-IC硅片通道大容量設備的主要障礙
- 印刷設備的主要供應商，EVG集團今日公布了新一代融化晶圓鍵合平臺GEMINI®FB XT，該平臺匯集多項技術(shù)突破，令半導體行業(yè)向實(shí)現3D-IC硅片通道高容量生產(chǎn)的目標又邁進(jìn)了一步。新平臺晶圓對晶圓排列精度是過(guò)去標準平臺的三倍，生產(chǎn)能力更是比先前高出50%，此外GEMINI FB XT平臺還為半導體行業(yè)應用3D-IC及硅片通道技術(shù)掃清了幾大關(guān)鍵障礙，使半導體行業(yè)能夠在未來(lái)不斷提升設備密度，強化設備機能，同時(shí)又無(wú)需求助于越發(fā)昂貴復雜的光刻工藝技術(shù)。 晶圓對晶圓鍵合是激活諸如堆疊式內存，邏輯記
- 關(guān)鍵字： EVG 晶圓 GEMINI FB XT
Ziptronix和EVG集團展示晶圓與晶圓間混合鍵合的亞微米精度
- Ziptronix Inc. 與 EV Group(簡(jiǎn)稱(chēng)“EVG ”)于2014年5月28日宣布已成功地在客戶(hù)提供的 300 毫米 DRAM 晶圓實(shí)現亞微米鍵合后對準精度。方法是在 EVG Gemini? FB 產(chǎn)品融合鍵合機和 SmartView ? NT 鍵合對準機上采用 Ziptronix 的 DBI? 混合鍵合技術(shù)。這種方法可用于制造各種應用的微間距3D集成電路，包括堆棧存儲器、高級圖像傳感器和堆棧式系統芯片 (SoC)?！ iptronix 的首席技術(shù)官兼工程副總裁 Paul Enquis
- 關(guān)鍵字： EVG DRAM 3D
EVG推出用于EVG620HBL Gen II掩模對準系統
- 在SEMICON 2012展會(huì )期間，為半導體、微機電系統(MEMS)和納米技術(shù)應用提供晶圓處理解決方案的全球領(lǐng)先企業(yè)EVG隆重推出了用于高亮度發(fā)光二極管(HB-LED)批量生產(chǎn)的第二代全自動(dòng)掩模對準系統。EVG公司銷(xiāo)售及客戶(hù)支持執行總監Hermann Waltl先生及亞洲/太平洋地區銷(xiāo)售經(jīng)理朱思問(wèn)先生詳細介紹了此款新設備的卓越性能。 Gen II在發(fā)布第一代EVG620HBL的一年后推出，提供一個(gè)工具平臺，主要用于滿(mǎn)足HB-LED客戶(hù)的特定需求，以及市場(chǎng)對降低總所有權成本的不斷要求。另外，EVG
- 關(guān)鍵字： EVG LED
EVG推出EVG620HBL光刻系統
- 世界領(lǐng)先的先進(jìn)半導體與封裝、微機電系統、硅絕緣體(SOI)和新興納米技術(shù)市場(chǎng)晶圓鍵合與光刻設備應供應商EVG宣布，其產(chǎn)品組合中再添新成員。 這一全新的EVG620HBL全自動(dòng)光刻系統以經(jīng)過(guò)實(shí)戰作業(yè)驗證的EVG光刻機平臺為基礎，旨在優(yōu)化高亮度發(fā)光二極管(HB - LED)、復合半導體和動(dòng)力電子設備的生產(chǎn)制造。據悉，EVG620HBL增加了一個(gè)高強度紫外線(xiàn)光源和五個(gè)向盒裝卸臺，可以不間斷地制造設備。
- 關(guān)鍵字： EVG 光刻系統
EV Group將與CEA-Leti共同開(kāi)發(fā)三維積層技術(shù)
- 奧地利EV Group(EVG)宣布，將與法國CEA/Leti(法國原子能委員會(huì )的電子信息技術(shù)研究所)共同開(kāi)發(fā)TSV(硅通孔)等三維積層技術(shù)。EVG將向CEA/Leti提供支持300mm晶圓的接合和剝離技術(shù)。計劃于2009年5月向CEA/Leti供貨上述裝置系統。此次的共同開(kāi)發(fā)，將加速TSV技術(shù)的實(shí)用化進(jìn)程。 一般情況下，在生產(chǎn)三維積層元器件時(shí)將硅晶圓研磨變薄的工序中，為保持研磨的晶圓強度需要使用支持底板。而支持底板臨時(shí)粘合后要進(jìn)行剝離。EVG提供的就是臨時(shí)粘合工序中的技術(shù)。雙方已經(jīng)共同生產(chǎn)了采
- 關(guān)鍵字： EVG 晶圓
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