EVG集團為工程襯底和電源器件生產(chǎn)應用推出室溫共價(jià)鍵合技術(shù)

　　EVG集團，微機電系統(MEMS)、納米技術(shù)和半導體市場(chǎng)上領(lǐng)先的晶圓鍵合和光刻設備供應商，今天宣布推出EVG®580 ComBond® - 一款高真空應用的晶圓鍵合系統，使得室溫下的導電和無(wú)氧化共價(jià)鍵合成為可能。這一全新的系統以模塊化平臺為基礎，可以支持大批量制造(HVM)的要求，非常適合不同襯底材料的鍵合工藝，從而使得高性能器件和新應用的出現成為可能，包括：

　　· 多結太陽(yáng)能電池

　　· 硅光子學(xué)

　　· 高真空MEMS封裝

　　· 電源器件

　　· 化合物半導體以及其他用于“后CMOS”應用的先進(jìn)工程襯底，比如高電子遷移率晶體管、高性能/低功耗邏輯和射頻(RF)器件

　　多套 EVG580 ComBond 系統已經(jīng)成功付運到器件廠(chǎng)商和研發(fā)中心那里。EVG公司奧地利圣弗洛里安總部將提供客戶(hù)展示服務(wù)。如需下載產(chǎn)品數據表，請訪(fǎng)問(wèn)網(wǎng)址： http://www.evgroup.com/118694/118810/142472/EVG580_ComBond_ShortBrochure.pdf

　　法國研究機構CEA-Leti硅技術(shù)部門(mén)副總裁Fabrice Geiger表示：“在最近的安裝和驗收測試階段，我們全新的EVG580 ComBond系統在室溫下展示了卓越的共價(jià)鍵合能力。CEA-Leti實(shí)驗室正在尋求與EVG在公共實(shí)驗室內的合作，在幾個(gè)關(guān)鍵領(lǐng)域內部署EVG580 ComBond系統，推動(dòng)研發(fā)活動(dòng)的進(jìn)展。”

　　EVG集團執行技術(shù)總監Paul Lindner 表示：“EVG580 ComBond系統掌握了室溫下無(wú)污染、無(wú)氧化鍵合所需要的關(guān)鍵表面預處理步驟。憑借這項突破性的技術(shù)，我們幾乎可以將任何材料鍵合在一起——開(kāi)創(chuàng )出多種不同材料在晶圓形式下的組合。這不僅支持了我們客戶(hù)的研發(fā)力量，而且為大規模生產(chǎn)引入了全新的設備，使得各種快速發(fā)展的新興應用成為可能 – 從下一代電信技術(shù)硅光子學(xué)的發(fā)展到更為先進(jìn)的電源器件(在兩次充電之間，可以使得電動(dòng)車(chē)行駛更遠的距離)，等等。(這使得我們的客戶(hù)新器件從研發(fā)階段到大批量生產(chǎn)成為了可能，新器件指的是各種新興的、快速發(fā)展的應用——從下一代電信技術(shù)硅光子學(xué)的發(fā)展到更為先進(jìn)的電源器件，更先進(jìn)的電源器件可以使電動(dòng)汽車(chē)在充電間隔間跑的更遠。)”

　　化合物半導體和鍵合的挑戰

　　將不同性能的材料鍵合在一起，用以生產(chǎn)電子器件，例如硅襯底同氮化鎵(GaN)、砷化鎵(GaAs)和磷化銦(InP)等III-V化合物半導體材料的融合，可以產(chǎn)生更高的載流子遷移率進(jìn)而提高器件性能，并且開(kāi)拓出全新的功能，比如支持光纖互連和路由器功能的晶硅透光發(fā)射技術(shù)。然而，通過(guò)傳統的外延生長(cháng)工藝融合這些材料時(shí)，由于晶格常數和熱膨脹系數(CTE)之間的差異，將會(huì )導致晶體的位錯缺陷，反而會(huì )降低性能。

　　EVG集團推出室溫共價(jià)鍵合機

　　晶圓鍵合的優(yōu)勢

　　在優(yōu)化后的生長(cháng)襯底上讓各個(gè)半導體材料單獨生長(cháng)，之后再通過(guò)晶圓鍵合將他們融合在一起，可以減緩這些制造問(wèn)題。值得一提的是，室溫共價(jià)鍵合，將是一種理想的選擇，因為這一工藝無(wú)需退火處理，退火過(guò)程產(chǎn)生的高溫將增加熱膨脹系數差異引發(fā)的額外應力。但是，室溫共價(jià)鍵合的一個(gè)關(guān)鍵局限因素在于這一工藝無(wú)法保持對接合界面層厚度和均勻性的嚴格限制，包括有效去除顆粒污染物和原生氧化層(為了鍵合材料之間的鍵合界面同時(shí)保有足夠的鍵合強度和導電性，這一點(diǎn)至關(guān)重要)。EVG580 ComBond系統則克服了限制因素。

　　EVG580 ComBond系統主要特色

　　· 專(zhuān)用的 ComBond激活模塊(CAM)無(wú)縫集成到這一平臺中，不同于濕法化學(xué)蝕刻工藝，它通過(guò)引導帶電粒子附著(zhù)在襯底表面之上，提供先進(jìn)的表面處理工藝，從而實(shí)現無(wú)污染、無(wú)氧化的鍵合界面

　　· 可在高真空工藝環(huán)境運行，從而防止加工后的晶片在進(jìn)入融合階段之間出現再氧化。

　　· 最多可配置5個(gè)并行鍵合腔，同時(shí)滿(mǎn)足研發(fā)和HVM 應用需求

　　· 加工的晶圓尺寸可達8英寸(200毫米)