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3d-nand 文章 進(jìn)入3d-nand技術(shù)社區
中國半導體市場(chǎng)暢旺 東芝再次上調 2016 上半年獲利預估
- 根據彭博社的報導，受惠于于儲存晶片以及硬碟業(yè)務(wù)的營(yíng)收成長(cháng)，加上撙節計畫(huà)的奏效，日本最大半導體生產(chǎn)公司東芝 (Toshiba) 于 31 日將公司 2016 上半年度(4 月到 9 月)的預期營(yíng)業(yè)利益上調 36%，來(lái)到 950 億日圓 (約新臺幣 285.83 億元 )，似乎已經(jīng)完全走出過(guò)去因作假帳所造成的經(jīng)營(yíng)低潮期。 根據報導，東芝在聲明中表示，除了上調 2016 年上半年的預期營(yíng)業(yè)利益之外，還同時(shí)微幅上調了上半年的預期營(yíng)收，從 2.55 兆日圓上調至 2.58 兆日圓。根據彭博社的統計資料顯示
- 關(guān)鍵字： 東芝 NAND
技術(shù)革新日新月異：3D NAND及PCIe NVMe SSD晉升巿場(chǎng)主流
- 慧榮科技全新主控解決方案為新生代SSD產(chǎn)品開(kāi)發(fā)設計保駕護航 以相同的成本，卻能達到倍增的容量，各家內存大廠(chǎng)對3D NAND創(chuàng )新技術(shù)的強力投入，預告了2017年將成為3D NAND固態(tài)硬盤(pán)(SSD)爆發(fā)成長(cháng)的起點(diǎn)。加上Intel制定的Non-Volatile Memory Express(NVMe;非揮發(fā)性?xún)却娓咚僖幐?超高傳輸接口的普及登場(chǎng)。容量更大、價(jià)格更低、壽命更長(cháng)、速度更快，新世代SSD產(chǎn)品的卓越價(jià)格性能比，預期將大幅拉近與傳統硬盤(pán)市場(chǎng)的規模差距，兩種儲存裝置已逐漸接近黃金交叉點(diǎn)，高速大容
- 關(guān)鍵字： NAND SSD
關(guān)于NAND閃存顆粒 你必須知道這些事兒
- 隨著(zhù)近段時(shí)間以來(lái)，固態(tài)硬盤(pán)、內存條甚至優(yōu)盤(pán)等存儲設備的大幅度一致性漲價(jià)，影響著(zhù)存儲設備漲價(jià)的背后關(guān)鍵性元件閃存顆粒，開(kāi)始浮出水面，被越來(lái)越多的業(yè)內人士，反復解讀。 那么，在價(jià)格上起著(zhù)關(guān)鍵性因素的閃存顆粒到底是什么?閃存顆粒和存儲設備的價(jià)格上漲又有什么關(guān)系?2D NAND和3D NAND閃存顆粒之間又有哪些區別?下面，我們一起來(lái)聊聊NAND閃存顆粒這些年。 閃存顆粒的釋義及廠(chǎng)商 閃存顆粒，又稱(chēng)閃存，是一種非易失性存儲器，即在斷電的情況下依舊可以保存已經(jīng)寫(xiě)入的數據，而且是以固定的區塊為單
- 關(guān)鍵字： NAND 存儲器
英特爾下一代突破性3D XPoint內存遭遇嚴重推遲
- 去年英特爾宣布了內存技術(shù)突破。該公司推出了所謂的3D XPoint技術(shù)，它非常適合DRAM和SSD之間的市場(chǎng)。新的非易失性芯片據稱(chēng)會(huì )從根本上改變計算，但是現在傳出這一技術(shù)及其產(chǎn)品將被嚴重推遲發(fā)布。 根據英特爾自己的營(yíng)銷(xiāo)材料顯示，3D XPoint技術(shù)不僅提升非易失性存儲器速度，而且還提供了出色的存儲密度。這使得存儲設備體積顯著(zhù)小于現有型號。英特爾當時(shí)宣稱(chēng)這一新技術(shù)不僅僅是一些概念證明，而是準備在今年全面生產(chǎn)與推廣。不幸的是，現在看起來(lái)英特爾已經(jīng)遇到麻煩，悄然大大推遲了3D XPoint技術(shù)和產(chǎn)品
- 關(guān)鍵字： 英特爾 3D XPoint
英特爾下一代突破性3D XPoint內存遭遇嚴重推遲
- 去年英特爾宣布了內存技術(shù)突破。該公司推出了所謂的3D XPoint技術(shù)，它非常適合DRAM和SSD之間的市場(chǎng)。新的非易失性芯片據稱(chēng)會(huì )從根本上改變計算，但是現在傳出這一技術(shù)及其產(chǎn)品將被嚴重推遲發(fā)布。 根據英特爾自己的營(yíng)銷(xiāo)材料顯示，3D XPoint技術(shù)不僅提升非易失性存儲器速度，而且還提供了出色的存儲密度。這使得存儲設備體積顯著(zhù)小于現有型號。英特爾當時(shí)宣稱(chēng)這一新技術(shù)不僅僅是一些概念證明，而是準備在今年全面生產(chǎn)與推廣。不幸的是，現在看起來(lái)英特爾已經(jīng)遇到麻煩，悄然大大推遲了3D XPoint技術(shù)和產(chǎn)品
- 關(guān)鍵字： 英特爾 3D XPoint
2017年中國將推自主生產(chǎn)3D NAND閃存，32層堆棧
- 摘要：由于智能手機、SSD市場(chǎng)需求強烈，閃存、內存等存儲芯片最近都在漲價(jià)，這也給了中國公司介入存儲芯片市場(chǎng)的機遇。在中國發(fā)展半導體產(chǎn)業(yè)的規劃中，存儲芯片是最優(yōu)先的，也是全國各地都爭著(zhù)上馬的項目，其中國家級的存儲芯片基地在武漢，投資超過(guò)240億美元，之前是新芯科技主導，現在已經(jīng)變成了紫光公司主導，預計2017年正式推出自主生產(chǎn)的3D NAND閃存，而且是32層堆棧的，起點(diǎn)不算低。 2015年中，國家級存儲芯片基地確定落戶(hù)武漢市，由武漢新芯科技公司負責建設，今年3月份12寸晶圓廠(chǎng)正式動(dòng)工，整個(gè)項目預
- 關(guān)鍵字： SSD 3D NAND
如何將“壞塊”進(jìn)行有效利用
- 被廣泛應用于手機、平板等數碼設備中的Nand Flash由于工藝原因無(wú)法避免壞塊的存在，但是我們可以憑借高科技變廢為寶，將“壞塊”進(jìn)行有效的利用，從而滿(mǎn)足我們的應用需求，讓壞塊不“壞”。 要想變廢為寶，有效利用壞塊。我們首先要弄明白什么是“壞塊”，做到知己知彼，才能為我所用。壞塊的特點(diǎn)是當編程或者擦除這個(gè)塊時(shí)，不能將某些位拉高，從而造成編程和塊擦除操作時(shí)的錯誤，這種錯誤可以通過(guò)狀態(tài)寄存器的值反映出來(lái)。這些無(wú)效塊無(wú)法確定編程時(shí)
- 關(guān)鍵字： Nand Flash 寄存器
2017年中國將推自主生產(chǎn)32層堆棧3D NAND閃存
- 由于智能手機、SSD市場(chǎng)需求強烈，閃存、內存等存儲芯片最近都在漲價(jià)，這也給了中國公司介入存儲芯片市場(chǎng)的機遇。在中國發(fā)展半導體產(chǎn)業(yè)的規劃中，存儲芯片是最優(yōu)先的，也是全國各地都爭著(zhù)上馬的項目，其中國家級的存儲芯片基地在武漢，投資超過(guò)240億美元，之前是新芯科技主導，現在已經(jīng)變成了紫光公司主導，預計2017年正式推出自主生產(chǎn)的3D NAND閃存，而且是32層堆棧的，起點(diǎn)不算低。 2015年中，國家級存儲芯片基地確定落戶(hù)武漢市，由武漢新芯科技公司負責建設，今年3月份12寸晶圓
- 關(guān)鍵字： 3D NAND
大陸發(fā)展存儲器大計三箭齊發(fā) 明年推首顆自制3D NAND芯片
- 大陸發(fā)展3D NAND、DRAM、NOR Flash存儲器大計正如火如荼地展開(kāi)，初步分工將由長(cháng)江存儲負責3D NAND及DRAM生產(chǎn)，武漢新芯則專(zhuān)職NOR Flash和邏輯代工。2016年底長(cháng)江存儲將興建首座12吋廠(chǎng)，最快2017年底生產(chǎn)自制32層堆疊3D NAND芯片，盡管落后目前三星電子(Samsung Electronics)、東芝(Toshiba)技術(shù)約2個(gè)世代，然大陸終于將全面進(jìn)軍NAND Flash領(lǐng)域。 盡管大陸并未趕上NAND Flash存儲器世代，但在存儲器技術(shù)改朝換代之際，大
- 關(guān)鍵字： 存儲器 NAND
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