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14納米
14納米 文章 進(jìn)入14納米技術(shù)社區
傳Nvidia也變“芯” 擁抱三星14納米制程
- 臺積電再掉單?韓媒報導，蘋(píng)果、高通之外，繪圖晶片巨擘Nvidia也看上三星電子的14奈米FinFET制程，將從臺積電轉單三星。 韓媒3日報導，Nvidia轉單三星，可提前一季推出次世代制程晶片。Meritz Securities分析師Park Yu-ak表示，今年全球廠(chǎng)商可能會(huì )全力降低成本，以抵銷(xiāo)應用處理器價(jià)格下滑的損失。預料三星系統半導體部門(mén)今年第二季會(huì )向蘋(píng)果、高通、Nvidia出貨。 與此同時(shí)，三星拓展記憶體業(yè)務(wù)，3日宣稱(chēng)量產(chǎn)業(yè)界首見(jiàn)的ePoP(embedded package on
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格羅方德喊冤！強調14納米技術(shù)良率、量產(chǎn)進(jìn)度都OK
- Semiwatch長(cháng)期觀(guān)察半導體設備產(chǎn)業(yè)的分析師Robert Maire先前傳出，臺積電競爭對手格羅方德半導體( GlobalFoundries Inc.)已要求供應商將14 奈米半導體設備運送倉庫暫存、而非直接在晶圓廠(chǎng)進(jìn)行安裝，因此引發(fā)格羅方德可能面臨良率問(wèn)題等疑慮。Summit Research分析師Srini Sundarajan 30日也發(fā)表研究報告，確認格羅方德將設備暫送倉庫存放的說(shuō)法。 不過(guò)，格羅方德發(fā)言人Jason Gorss 30日隨后特地對barron`s發(fā)布電子郵件聲明稿表示
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三星擬以14納米FinFET制程 守住蘋(píng)果、進(jìn)攻臺積電
- 三星電子(Samsung Electronics)在稍早傳出開(kāi)始量產(chǎn)采用14納米FinFET制程技術(shù)的A9芯片，這對于三星來(lái)說(shuō)，在搶佔先進(jìn)微細制程市場(chǎng)以及與蘋(píng)果(Apple)合作關(guān)系上，可以說(shuō)是一箭雙雕。 據ET News報導，三星美國奧斯汀廠(chǎng)傳出已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)采用14納米FinFET技術(shù)的蘋(píng)果A9。雖然美國奧斯汀廠(chǎng)以及韓國器興廠(chǎng)均擁有FinFET制程的產(chǎn)線(xiàn)，但由于為量產(chǎn)的第一階段，因此先由奧斯汀廠(chǎng)打頭陣。 此外分析指出，由于顧及次世代芯片性能資安以及供應等問(wèn)題，奧斯汀廠(chǎng)是在蘋(píng)果的要求下首先
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三星披露：開(kāi)始14納米芯片合約生產(chǎn)
- 三星半導體業(yè)務(wù)及LSI系統業(yè)務(wù)部門(mén)總裁金奇南(Kim Ki-nam)表示，14納米FinFET芯片工廠(chǎng)已經(jīng)開(kāi)始批量生產(chǎn)，不過(guò)，他并未透露這家工廠(chǎng)的客戶(hù)。 三星這家14納米制程工廠(chǎng)主要是為了拉攏臺積電的客戶(hù)。 三星為蘋(píng)果生產(chǎn)的首批14納米芯片很可能由這兩家工廠(chǎng)制造，有傳言稱(chēng)，蘋(píng)果已經(jīng)開(kāi)始下單生產(chǎn)S1系統芯片，S1芯片將用于蘋(píng)果智能手表。而業(yè)內最大的“應用處理器”(AP)巨頭高通也已經(jīng)和三星簽訂協(xié)議，準備生產(chǎn)下一代應用處理器。高通應用處理器有望出現在A(yíng)MD新一代的GPU
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臺積急起直追 差距將縮小
- 三星證實(shí)14納米制程已進(jìn)入生產(chǎn)階段，左右與臺積電16納米的市占落差，業(yè)界認為，臺積電已全力追趕，明年雖然還是會(huì )落后三星，但雙方差距將會(huì )縮小。 三星首度出現在臺積電的雷達屏幕上，靠的就是14納米制程，并讓臺積電董事長(cháng)張忠謀坦言，明年16納米市占率將輸給三星。 業(yè)界認為，三星的14納米制程月產(chǎn)能已有2.5萬(wàn)片，臺積電則要等到明年6月底前，才能備足5萬(wàn)片的16納米FinFET+產(chǎn)能，在產(chǎn)能落差下，明年上半年蘋(píng)果A9處理器訂單確實(shí)可能略低于三星。 不過(guò)，業(yè)界認為，三星搶下的A9訂單，應該是先
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杠臺積 英特爾14納米搶先出貨
- 臺積電正與英特爾、三星展開(kāi)14/16納米競賽，英特爾資深副總裁Kirk Skaugen 4日指出，采用14納米生產(chǎn)的首款Broadwell架構處理器「Core M」已出貨百萬(wàn)計，14納米是該公司歷史上最快切入的產(chǎn)品;明年也會(huì )出現更多無(wú)線(xiàn)化的終端產(chǎn)品。 全球三大晶圓制造廠(chǎng)明年進(jìn)入14/16納米之爭，由于英特爾以14納米生產(chǎn)的Core M處理器客戶(hù)端產(chǎn)品將在年底上市，三星以14納米為高通生產(chǎn)的手機芯片也預計明年上半年量產(chǎn)，一度落后的臺積電急追，已傳出16納米可能提前在明年第2季量產(chǎn)。 英特爾在
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英特爾推全球首款14納米芯片 10月開(kāi)始量產(chǎn)
- 2014年IDF期間，英特爾重點(diǎn)介紹了全球首款14納米可以商用的芯片?酷睿?M處理器，并且透露了這個(gè)產(chǎn)品發(fā)布的時(shí)間節點(diǎn)：基于這個(gè)芯片的產(chǎn)品將于下個(gè)月正式量產(chǎn)。關(guān)于這個(gè)新產(chǎn)品，有這些新聞點(diǎn)可以和大家分享： 1，功耗。盡管英特爾產(chǎn)品性能強勁，但業(yè)界一直在質(zhì)疑英特爾產(chǎn)品的功耗。這次發(fā)布的新處理器產(chǎn)品，功耗僅4.5瓦，是英特爾歷史上效能最高的酷睿處理器。 英特爾數據顯示，與上一代產(chǎn)品相比，由于功耗已降低至4.5W，在執行有效工作負載的情況下，可將電池的續航時(shí)間延長(cháng)達20%(1.
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三星迎接FinFET時(shí)代 11月量產(chǎn)14納米AP樣品
- 三星電子(SamsungElectronics)將于11月推出先進(jìn)代工制程14納米鰭式場(chǎng)效電晶體(FinFET)樣品，而此次應用14納米制程的應用處理器(AP)試制品，也傳出將先提供給高通(Qualcomm)、蘋(píng)果(Apple)、超微(AMD)等主要客戶(hù)。 據韓媒Newstomato報導，三星電子系統LSI事業(yè)部計畫(huà)將于年內開(kāi)始量產(chǎn)14納米、20納米晶圓代工產(chǎn)品。擴大產(chǎn)能(Rampup)時(shí)機??雖仍未決定，但業(yè)界分析，三星電子在與高通、蘋(píng)果簽訂最終晶圓代工合約后，有可能將于2015年上半擴大
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英特爾公布最新微架構及14納米制程的技術(shù)細節
- 英特爾今天公布了最新微架構的細節，該微架構使用英特爾業(yè)界領(lǐng)先的14納米制程工藝進(jìn)行了優(yōu)化。新的微架構和14納米制程技術(shù)相結合，將以高性能、低功耗的特性支持一系列計算需求和產(chǎn)品，涵蓋了從云計算和物聯(lián)網(wǎng)基礎設施，到個(gè)人及移動(dòng)計算。 新聞要點(diǎn)： 英特爾披露了英特爾®酷睿™ M處理器的微架構細節，這是利用英特爾14納米技術(shù)制造的第一款產(chǎn)品。 新的微架構和制程的結合將帶來(lái)新一輪外觀(guān)和體驗上的創(chuàng )新，產(chǎn)品會(huì )更加輕薄、噪音更低。 相比上一代處理器
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GLOBALFOUNDRIES年底驗證14納米工藝明年量產(chǎn)
- 現任GLOBALFOUNDRIES高級副總裁暨新加坡分公司總經(jīng)理洪啟財日前接受記者獨家專(zhuān)訪(fǎng)時(shí)表示，通過(guò)與韓國三星公司的技術(shù)合作，GLOBALFOUNDRIES的14納米工藝產(chǎn)線(xiàn)將在今年年底完成驗證工作，2015年將在Fab8廠(chǎng)順利進(jìn)入量產(chǎn)階段，量產(chǎn)規?？蓮淖畛醯拿吭?萬(wàn)片增長(cháng)到6萬(wàn)片。 ??????? ?????? 現任GLOBALFOUNDRIES高級副總裁暨新加坡分
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整體16/14納米FinFET設備訂單恐延一季
- Needham & Co.半導體設備分析師Edwin Mok 27日針對晶圓代工領(lǐng)域提出了透徹分析，認為相關(guān)的半導體設備訂單有望在今(2014)年下半年攀高，但16/14奈米FinFET(鰭式場(chǎng)效電晶體)訂單卻將遞延一季。 barron`s.com報導，Mok發(fā)表研究報告指出，據了解晶圓代工廠(chǎng)格羅方德(GlobalFoundries;GF)正在提高紐約州Malta廠(chǎng)的20奈米制程產(chǎn)能，而三星電子(Samsung)也正在逐漸增加Austin廠(chǎng)的設備，這似乎支持了近來(lái)傳出的高通(Qualco
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三星攜手GLOBALFOUNDRIES開(kāi)發(fā)14nm工藝
- 根據為期多年的協(xié)議，GLOBALFOUNDRIES將授權三星的14納米FinFET器件, 和三星同步使用自己在美國和韓國的晶圓廠(chǎng)制造和生產(chǎn)14nm。這是在晶圓業(yè)第一個(gè)能從20納米真實(shí)面積縮放的14納米FinFET技術(shù)，而這術(shù)平臺已經(jīng)獲得了牽引作為高容量，低功耗的SoC設計中的首選。隨著(zhù)GLOBALFOUNDRIES和三星攜手合作，無(wú)晶圓廠(chǎng)半導體客戶(hù)將享有更多的選擇和靈活性，因為供應將來(lái)自多個(gè)世界源地。與此同時(shí)，無(wú)晶圓廠(chǎng)半導體客戶(hù)也能維持在流動(dòng)性和IT基礎設施的領(lǐng)導地位。
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英特爾三星14納米來(lái)勢洶洶 臺積電迎戰
- 全球半導體大廠(chǎng)臺積電、英特爾(Intel)及三星電子(SamsungElectronics)在10納米級多重閘極3D架構的鰭式場(chǎng)效電晶體(FinFET)技術(shù)展開(kāi)激烈競爭，三星和英特爾為確保14納米FinFET技術(shù)領(lǐng)先，紛準備投入量產(chǎn)，臺積電則致力于16納米FinFET技術(shù)發(fā)展。半導體業(yè)者透露，面對競爭對手14納米進(jìn)逼，臺積電亦布下天羅地網(wǎng)迎戰，傳出內部針對16納米制程規劃3個(gè)版本，且第二版本可能直接在2014年底進(jìn)行試產(chǎn)，近期已開(kāi)始說(shuō)服客戶(hù)導入。 三星系統LSI事業(yè)部已完成14納米FinFE
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14納米：“六仙”過(guò)海 各顯神通
- 摩爾定律即將敲響終止的音符，業(yè)界對于半導體業(yè)的前景也產(chǎn)生了各種看法，其中從大的方面，包括從工藝來(lái)看，在14nm之后如何往下走，包括10nm、7nm甚至5nm以及450mm硅片的進(jìn)程等。顯然時(shí)至今日尚沒(méi)有非常清楚的路線(xiàn)圖，但是硅基半導體之后采用什么材料仍值得人們期待。 英特爾：繼續執行“Tick-Tock”發(fā)展策略 英特爾預計2014年導入14nm制程量產(chǎn)，2015年導入10nm制程，并計劃于2017年達到7nm。 據英特爾已經(jīng)公布的工藝路線(xiàn)圖顯示，在201
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英特爾揭開(kāi)14納米至強與凌動(dòng)服務(wù)器芯片神秘面紗
- 英特爾目前仍然牢牢把持著(zhù)數據中心，至少是數據中心內的大部分服務(wù)器，自然希望在保持現狀之外在網(wǎng)絡(luò )及存儲業(yè)務(wù)等毗鄰領(lǐng)域占據統治地位。有鑒于此，芯片巨頭舉辦了為期一天的記者與分析師招待會(huì )。同時(shí)參加的還有公司數據中心與連接系統部門(mén)的所有高層，共同就未來(lái)數年的數據中心發(fā)展戰略做出說(shuō)明。 作為會(huì )議的一部分，英特爾公司披露了針對低功耗服務(wù)器的芯片路線(xiàn)圖，外加服務(wù)器與存儲類(lèi)凌動(dòng)芯片產(chǎn)品，代號分別為“Avoton”與“Rangeley”。 “我們清
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14納米介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條14納米!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對14納米的理解，并與今后在此搜索14納米的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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