LED用藍寶石基板(襯底)詳細介紹
1:藍寶石詳細介紹
藍寶石的組成為氧化鋁(Al2O3),是由三個(gè)氧原子和兩個(gè)鋁原子以共價(jià)鍵型式結合而成,其晶體結構為六方晶格結構.它常被應用的切面有A-Plane,C-Plane及R-Plane.由于藍寶石的光學(xué)穿透帶很寬,從近紫外光(190nm)到中紅外線(xiàn)都具有很好的透光性.因此被大量用在光學(xué)元件、紅外裝置、高強度鐳射鏡片材料及光罩材料上,它具有高聲速、耐高溫、抗腐蝕、高硬度、高透光性、熔點(diǎn)高(2045℃)等特點(diǎn),它是一種相當難加工的材料,因此常被用來(lái)作為光電元件的材料。目前超高亮度白/藍光LED的品質(zhì)取決于氮化鎵磊晶(GaN)的材料品質(zhì),而氮化鎵磊晶品質(zhì)則與所使用的藍寶石基板表面加工品質(zhì)息息相關(guān),藍寶石(單晶Al2O3 )C面與Ⅲ-Ⅴ和Ⅱ-Ⅵ族沉積薄膜之間的晶格常數失配率小,同時(shí)符合GaN 磊晶制程中耐高溫的要求,使得藍寶石晶片成為制作白/藍/綠光LED的關(guān)鍵材料。
下圖則分別為藍寶石的切面圖;晶體結構圖上視圖;晶體結構側視圖; Al2O3分之結構圖;藍寶石結晶面示意圖:
最常用來(lái)做GaN磊晶的是C面(0001)這個(gè)不具極性的面,所以GaN的極性將由制程決定

(a)圖從C軸俯看 (b)圖從C軸側看

2 藍寶石晶體的生長(cháng)方法
藍寶石晶體的生長(cháng)方法常用的有兩種:
1:柴氏拉晶法(Czochralski method),簡(jiǎn)稱(chēng)CZ法.先將原料加熱至熔點(diǎn)后熔化形成熔湯,再利用一單晶晶種接觸到熔湯表面,在晶種與熔湯的固液界面上因溫度差而形成過(guò)冷。于是熔湯開(kāi)始在晶種表面凝固并生長(cháng)和晶種相同晶體結構的單晶。晶種同時(shí)以極緩慢的速度往上拉升,并伴隨以一定的轉速旋轉,隨著(zhù)晶種的向上拉升,熔湯逐漸凝固于晶種的液固界面上,進(jìn)而形成一軸對稱(chēng)的單晶晶錠.。
2:凱氏長(cháng)晶法(Kyropoulos method),簡(jiǎn)稱(chēng)KY法,大陸稱(chēng)之為泡生法.其原理與柴氏拉晶法(Czochralskimethod)類(lèi)似,先將原料加熱至熔點(diǎn)后熔化形成熔湯,再以單晶之晶種(SeedCrystal,又稱(chēng)籽晶棒)接觸到熔湯表面,在晶種與熔湯的固液界面上開(kāi)始生長(cháng)和晶種相同晶體結構的單晶,晶種以極緩慢的速度往上拉升,但在晶種往上拉晶一段時(shí)間以形成晶頸,待熔湯與晶種界面的凝固速率穩定后,晶種便不再拉升,也沒(méi)有作旋轉,僅以控制冷卻速率方式來(lái)使單晶從上方逐漸往下凝固,最后凝固成一整個(gè)單晶晶碇。
兩種方法的晶體生長(cháng)示意圖如下:

柴氏拉晶法(Czochralski method)之原理示意圖

3 藍寶石襯底加工流程
藍寶石基片的原材料是晶棒,晶棒由藍寶石晶體加工而成.其相關(guān)制造流程如下:
1,長(cháng)晶: 利用長(cháng)晶爐生長(cháng)尺寸大且高品質(zhì)的單晶藍寶石晶體
1,長(cháng)晶: 利用長(cháng)晶爐生長(cháng)尺寸大且高品質(zhì)的單晶藍寶石晶體
2,定向: 確保藍寶石晶體在掏棒機臺上的正確位置,便于掏棒加工
3,掏棒: 以特定方式從藍寶石晶體中掏取出藍寶石晶棒
4,滾磨: 用外圓磨床進(jìn)行晶棒的外圓磨削,得到精確的外圓尺寸精度
5,品檢: 確保晶棒品質(zhì)以及以及掏取后的晶棒尺寸與方位是否合客戶(hù)規格
6,定向:在切片機上準確定位藍寶石晶棒的位置,以便于精準切片加工
7,切片:將藍寶石晶棒切成薄薄的晶片
8,研磨:去除切片時(shí)造成的晶片切割損傷層及改善晶片的平坦度
9,倒角:將晶片邊緣修整成圓弧狀,改善薄片邊緣的機械強度,避免應力集中造成缺陷
10,拋光:改善晶片粗糙度,使其表面達到外延片磊晶級的精度
11,清洗:清除晶片表面的污染物(如:微塵顆粒,金屬,有機玷污物等)
12,品檢:以高精密檢測儀器檢驗晶片品質(zhì)(平坦度,表面微塵顆粒等),以合乎客戶(hù)要求
4 藍寶石基板應用種類(lèi)
廣大外延片廠(chǎng)家使用的藍寶石基片分為三種:
1,C-Plane藍寶石基板
這是廣大廠(chǎng)家普遍使用的供GaN生長(cháng)的藍寶石基板面.這主要是因為藍寶石晶體沿C軸生長(cháng)的工藝成熟、成本相對較低、物化性能穩定,在C面進(jìn)行磊晶的技術(shù)成熟穩定。
C-Plane藍寶石基板是普遍使用的藍寶石基板.1993年日本的赤崎勇教授與當時(shí)在日亞化學(xué)的中村修二博士等人,突破了InGaN 與藍寶石基板晶格不匹配(緩沖層)、p 型材料活化等等問(wèn)題后,終于在1993 年底日亞化學(xué)得以首先開(kāi)發(fā)出藍光LED.以后的幾年里日亞化學(xué)以藍寶石為基板,使用InGaN材料,通過(guò)MOCVD 技術(shù)并不斷加以改進(jìn)藍寶石基板與磊晶技術(shù),提高藍光的發(fā)光效率,同時(shí)1997年開(kāi)發(fā)出紫外LED,1999年藍紫色LED樣品開(kāi)始出貨,2001年開(kāi)始提供白光LED。從而奠定了日亞化學(xué)在LED領(lǐng)域的先頭地位。
C-Plane藍寶石基板是普遍使用的藍寶石基板.1993年日本的赤崎勇教授與當時(shí)在日亞化學(xué)的中村修二博士等人,突破了InGaN 與藍寶石基板晶格不匹配(緩沖層)、p 型材料活化等等問(wèn)題后,終于在1993 年底日亞化學(xué)得以首先開(kāi)發(fā)出藍光LED.以后的幾年里日亞化學(xué)以藍寶石為基板,使用InGaN材料,通過(guò)MOCVD 技術(shù)并不斷加以改進(jìn)藍寶石基板與磊晶技術(shù),提高藍光的發(fā)光效率,同時(shí)1997年開(kāi)發(fā)出紫外LED,1999年藍紫色LED樣品開(kāi)始出貨,2001年開(kāi)始提供白光LED。從而奠定了日亞化學(xué)在LED領(lǐng)域的先頭地位。
臺灣緊緊跟隨日本的LED技術(shù),臺灣LED的發(fā)展先是從日本購買(mǎi)外延片加工,進(jìn)而買(mǎi)來(lái)MOCVD機臺和藍寶石基板來(lái)進(jìn)行磊晶,之后臺灣本土廠(chǎng)商又對藍寶石晶體的生長(cháng)和加工技術(shù)進(jìn)行研究生產(chǎn),通過(guò)自主研發(fā),取得LED專(zhuān)利授權等方式從而實(shí)現藍寶石晶體,基板,外延片的生產(chǎn),外延片的加工等等自主的生產(chǎn)技術(shù)能力,一步一步奠定了臺灣在LED上游業(yè)務(wù)中的重要地位。目前大部分的藍光/綠光/白光LED產(chǎn)品都是以日本臺灣為代表的使用藍寶石基板進(jìn)行MOCVD磊晶生產(chǎn)的產(chǎn)品.使得藍寶石基板有很大的普遍性,以美國Cree公司使用SiC為基板為代表的LED產(chǎn)品則跟隨其后。
2,R-Plane或M-Plane藍寶石基板
主要用來(lái)生長(cháng)非極性/半極性面GaN外延薄膜,以提高發(fā)光效率.通常在藍寶石基板上制備的GaN外延膜是沿c軸生長(cháng)的,而c軸是GaN的極性軸,導致GaN基器件有源層量子阱中出現很強的內建電場(chǎng),發(fā)光效率會(huì )因此降低,發(fā)展非極性面GaN外延,克服這一物理現象,使發(fā)光效率提高。
以蝕刻(在藍寶石C面干式蝕刻/濕式蝕刻)的方式,在藍寶石基板上設計制作出微米級或納米級的具有微結構特定規則的圖案,藉以控制LED之輸出光形式(藍寶石基板上的凹凸圖案會(huì )產(chǎn)生光散射或折射的效果增加光的取出率),同時(shí)GaN薄膜成長(cháng)于圖案化藍寶石基板上會(huì )產(chǎn)生橫向磊晶的效果,減少生長(cháng)在藍寶石基板上GaN之間的差排缺陷,改善磊晶質(zhì)量,并提升LED內部量子效率、增加光萃取效率。與成長(cháng)于一般藍寶石基板的LED相比,亮度增加了70%以上.目前臺灣生產(chǎn)圖案化藍寶石有中美矽晶、合晶、兆晶,兆達.藍寶石基板中2/4英寸是成熟產(chǎn)品,價(jià)格逐漸穩定,而大尺寸(如6/8英寸)的普通藍寶石基板與2英寸圖案化藍寶石基板處于成長(cháng)期,價(jià)格也較高,其生產(chǎn)商也是主推大尺寸與圖案化藍寶石基板,同時(shí)也積極
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