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碳化硅 mosfet
碳化硅 mosfet 文章 進(jìn)入碳化硅 mosfet技術(shù)社區
天岳先進(jìn)上海碳化硅基地驗收
- 作為天岳先進(jìn)三大SiC材料生產(chǎn)基地之一，與其位于山東濟南和濟寧的兩大基地相比，其上?；仨椖克坪醺荜P(guān)注。近日，天岳先進(jìn)上?；仨椖颗读俗钚逻M(jìn)展，再次成為焦點(diǎn)。2024年5月，天岳先進(jìn)位于上海臨港重裝備產(chǎn)業(yè)區的生產(chǎn)基地第一個(gè)項目完成驗收，意味著(zhù)該生產(chǎn)基地由此進(jìn)入新的發(fā)展階段。01天岳先進(jìn)“瘋狂”擴產(chǎn)據悉，天岳先進(jìn)上?；仨椖孔畛跤?021年第二季度備案和申報，規劃投資25億元，項目全部達產(chǎn)后，SiC襯底的產(chǎn)能約為30萬(wàn)片/年。從投資規模和產(chǎn)能規劃來(lái)看，上?；仨椖坑型屘煸老冗M(jìn)的市場(chǎng)地位再進(jìn)一步。近年來(lái)
- 關(guān)鍵字： 天岳先進(jìn) 碳化硅
MOSFET在服務(wù)器電源上的應用
- 服務(wù)器電源主要用在數據中心場(chǎng)景中，主要應用于服務(wù)器、存儲器等設備。它和PC電源一樣，都是一種開(kāi)關(guān)電源。服務(wù)器電源按照標準可以分為ATX電源和SSI電源兩種。ATX標準是Intel在1997年推出的一個(gè)規范，使用較為普遍，輸出功率一般在125瓦～350瓦之間主要用于臺式機、工作站和低端服務(wù)器。SSI（Server System Infrastructure）規范是Intel聯(lián)合一些主要的IA架構服務(wù)器生產(chǎn)商推出的新型服務(wù)器電源規范，SSI規范的推出是為了規范服務(wù)器電源技術(shù)，降低開(kāi)發(fā)成本，延長(cháng)服務(wù)器的使用壽命
- 關(guān)鍵字： MOSFET 服務(wù)器電源
意法半導體在意大利打造世界首個(gè)一站式碳化硅產(chǎn)業(yè)園
- ●? ?ST將在意大利卡塔尼亞新建8英寸碳化硅功率器件和模塊大規模制造及封測綜合基地●? ?這項多年長(cháng)期投資計劃預計投資總額達50億歐元，包括意大利政府按照《歐盟芯片法案》框架提供的20億歐元資金●? ?卡塔尼亞碳化硅產(chǎn)業(yè)園將實(shí)現ST的碳化硅制造全面垂直整合計劃，在一個(gè)園區內完成從芯片研發(fā)到制造、從晶圓襯底到模塊的碳化硅功率器件全部生產(chǎn)，賦能汽車(chē)和工業(yè)客戶(hù)的電氣化進(jìn)程和高能效轉型服務(wù)多重電子應用領(lǐng)域、全球排名前列的半導體公司意法半導體?
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ST宣布50億歐元在意新建8英寸SiC工廠(chǎng)
- 自意法半導體（STMicroelectronics）官方獲悉，當地時(shí)間5月31日，意法半導體宣布，將在意大利卡塔尼亞新建一座大批量200mm碳化硅（SiC）工廠(chǎng)，用于功率器件和模塊以及測試和封裝。新碳化硅工廠(chǎng)的建設是支持汽車(chē)、工業(yè)和云基礎設施應用中碳化硅器件客戶(hù)向電氣化過(guò)渡并尋求更高效率的關(guān)鍵里程碑。據悉，該項目預計總投資約為50億歐元（約合人民幣392.61億元），意大利政府將提供約20億歐元的補助支持。新工廠(chǎng)的目標是在2026年投入生產(chǎn)，到2033年達到滿(mǎn)負荷生產(chǎn)，滿(mǎn)產(chǎn)狀態(tài)下每周可生產(chǎn)多達15,000
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MOSFET基本原理、參數及米勒效應全解
- 1MOSFET基本工作原理1.1小功率MOSFET場(chǎng)效應管（FET）是利用輸入回路的電場(chǎng)效應來(lái)控制輸出回路電流的一種半導體器件，由于緊靠半導體中的多數載流子導電，又稱(chēng)單極型晶體管。場(chǎng)效應管分為結型和絕緣柵兩種，因為絕緣柵型晶體管（MOSFET，下面簡(jiǎn)稱(chēng)MOS管）的柵源間電阻比結型大得多且比結型場(chǎng)效應管溫度穩定性好、集成化時(shí)工藝簡(jiǎn)單，因而目前普遍采用絕緣柵型晶體管。MOS管分為N溝道和P溝道兩類(lèi)，每一類(lèi)又分為增強型和耗盡型兩種，只要柵極-源極電壓uGS為零時(shí)漏極電流也為零的管子均屬于增強型管，只要柵極-源極
- 關(guān)鍵字： MOSFET 參數 米勒效應
功率MOSFET的工作原理
- 功率MOSFET的開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程原理(1)開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程實(shí)驗電路(2)MOSFET 的電壓和電流波形：(3)開(kāi)關(guān)過(guò)程原理：開(kāi)通過(guò)程[ t0 ~ t4 ]：-- 在 t0 前，MOSFET 工作于截止狀態(tài)，t0 時(shí)，MOSFET 被驅動(dòng)開(kāi)通;-- [t0-t1]區間，MOSFET 的GS 電壓經(jīng)Vgg 對Cgs充電而上升，在t1時(shí)刻，到達維持電壓Vth，MOSFET 開(kāi)始導電;-- [t1-t2]區間，MOSFET 的DS 電流增加，Millier 電容在該區間內因DS 電容的放電而放電，對GS 電容的充電
- 關(guān)鍵字： 功率 MOSFET 工作原理
第三代電力電子半導體SiC MOSFET：聚焦高效驅動(dòng)方案
- 第三代電力電子半導體SiC MOSFET：聚焦高效驅動(dòng)方案相比傳統的硅MOSFET，SiC MOSFET可實(shí)現在高壓下的高頻開(kāi)關(guān)。新能源、電動(dòng)汽車(chē)、工業(yè)自動(dòng)化等領(lǐng)域，SiC MOSFET（碳化硅-金屬氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管）憑借高頻、高功率、低損耗等卓越性能，SiC MOSFET驅動(dòng)方案備受關(guān)注。然而，SiC MOSFET的獨特器件特性，也意味著(zhù)它們對柵極驅動(dòng)電路有特殊的要求。本文將圍繞SiC MOSFET的驅動(dòng)方案展開(kāi)了解，其中包括驅動(dòng)過(guò)電流、過(guò)電壓保護以及如何為SiC MOSFET選擇合
- 關(guān)鍵字： 第三代半導體 SiC MOSFET 高效驅動(dòng) 電力電子
Nexperia出色的SiC MOSFET分立器件采用越來(lái)越受歡迎的D2PAK-7封裝
- Nexperia近日宣布，公司現推出業(yè)界領(lǐng)先的1200 V碳化硅(SiC) MOSFET，采用D2PAK-7表面貼裝器件(SMD)封裝，有30、40、60和80 mΩ RDSon值可供選擇。這是繼Nexperia于2023年底發(fā)布兩款采用3引腳和4引腳TO-247封裝的SiC MOSFET分立器件之后的又一新產(chǎn)品，它將使其SiC MOSFET產(chǎn)品組合迅速擴展到包括RDSon值為17、30、40、60和80 mΩ 且封裝靈活的器件。隨著(zhù)NSF0xx120D7A0的發(fā)布，Nexperia正在滿(mǎn)足市場(chǎng)對采用D2
- 關(guān)鍵字： Nexperia SiC MOSFET D2PAK-7
用于SiC MOSFET和高功率IGBT的IX4352NE低側柵極驅動(dòng)器
- Littelfuse公司是一家工業(yè)技術(shù)制造公司，致力于為可持續發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動(dòng)力。公司隆重宣布推出IX4352NE低側SiC MOSFET和IGBT柵極驅動(dòng)器。 這款創(chuàng )新的驅動(dòng)器專(zhuān)門(mén)設計用于驅動(dòng)工業(yè)應用中的碳化硅（SiC）MOSFET和高功率絕緣柵雙極晶體管（IGBT）。IX4352NE的主要優(yōu)勢在于其獨立的9A拉/灌電流輸出，支持量身定制的導通和關(guān)斷時(shí)序，同時(shí)將開(kāi)關(guān)損耗降至最低。 內部負電荷調節器還能提供用戶(hù)可選的負柵極驅動(dòng)偏置，以實(shí)現更高的dV/dt抗擾度和更快的關(guān)斷速度。 該驅動(dòng)器
- 關(guān)鍵字： SiC MOSFET IGBT 低側柵極驅動(dòng)器
布局海外市場(chǎng)，兩家半導體企業(yè)開(kāi)展合作
- 根據合肥安賽思半導體有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)：安賽思）官方消息，5月18日，安賽思與新加坡三福半導體科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)：三福半導體）簽署戰略合作備忘錄儀式暨安徽大學(xué)與三福半導體聯(lián)合實(shí)驗室揭牌儀式正式舉行。據介紹，安賽思是一家致力于研發(fā)新一代半導體功率器件智能驅動(dòng)技術(shù)及衍生產(chǎn)品的高新技術(shù)企業(yè)，目前已成功開(kāi)發(fā)了IGBT和SiC智能驅動(dòng)模塊以及工業(yè)電力電子變換器、電力電子繼電器等產(chǎn)品，應用領(lǐng)域涵蓋電動(dòng)汽車(chē)、智能制造、機電設備和航空航天等。三福半導體聚焦集成電路設計、制造和封裝測試，致力于先進(jìn)技術(shù)研發(fā)、成果轉移轉化
- 關(guān)鍵字： 碳化硅 化合物半導體
這家GaN外延工廠(chǎng)開(kāi)業(yè)!
- 作為第三代半導體兩大代表材料，SiC產(chǎn)業(yè)正在火熱發(fā)展，頻頻傳出各類(lèi)利好消息；GaN產(chǎn)業(yè)熱度也正在持續上漲中，圍繞新品新技術(shù)、融資并購合作、項目建設等動(dòng)作，不時(shí)有新動(dòng)態(tài)披露。在關(guān)注度較高的擴產(chǎn)項目方面，上個(gè)月，能華半導體張家港制造中心（二期）項目在張家港經(jīng)開(kāi)區再制造基地正式開(kāi)工建設。據悉，能華半導體張家港制造中心（二期）項目總投資6000萬(wàn)元，總建筑面積約10000平方米，將新建GaN外延片產(chǎn)線(xiàn)。項目投產(chǎn)后，將形成月產(chǎn)15000片6英寸GaN外延片的生產(chǎn)能力。而在近日，又有一個(gè)GaN外延片項目取得新進(jìn)展。5
- 關(guān)鍵字： 碳化硅 氮化鎵 化合物半導體
欠電壓閉鎖的一種解釋
- 了解欠壓鎖定（UVLO）如何保護半導體器件和電子系統免受潛在危險操作的影響。當提到電源或電壓驅動(dòng)要求時(shí)，我們經(jīng)常使用簡(jiǎn)化，如“這是一個(gè)3.3 V的微控制器”或“這個(gè)FET的閾值電壓為4 V”。這些描述沒(méi)有考慮到電子設備在一定電壓范圍內工作——3.3 V的微型控制器可以在3.0 V至3.6 V之間的任何電源電壓下正常工作，而具有4 V閾值電壓的MOSFET可能在3.5 V至5 V之間獲得足夠的導電性。但即使是這些基于范圍的規范也可能具有誤導性。當VDD軌降至2.95V時(shí)，接受3.0至3.6 V電源電壓的數字
- 關(guān)鍵字： 欠電壓閉鎖，UVLO MOSFET，IC
安森美2024“碳”路先鋒技術(shù)日暨碳化硅和功率解決方案系列研討會(huì )即將啟動(dòng)
- 智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)先企業(yè)安森美(onsemi)，將于5月至6月舉辦面向新能源和電動(dòng)汽車(chē)應用領(lǐng)域的技術(shù)經(jīng)理、工程師和渠道合作伙伴的2024“碳”路先鋒技術(shù)日暨碳化硅(SiC) 和功率解決方案5城巡回研討會(huì )。該系列研討會(huì )將針對汽車(chē)電氣化和智能化以及工業(yè)市場(chǎng)可持續性能源發(fā)展的廣泛應用場(chǎng)景，共同探討最新的能效設計挑戰，展示針對更多縱深應用的SiC解決方案。安森美希望借此攜手中國的“碳”路先鋒們，加速先進(jìn)功率半導體技術(shù)的落地，實(shí)現應用系統的最佳能效。在中國，市場(chǎng)對SiC的需求強勁，應用場(chǎng)景日益多樣化。新能源
- 關(guān)鍵字： 安森美 碳化硅 功率解決方案
碳化硅智造升級 浪潮信息存儲筑基廣東天域MES核心數據底座
- 隨著(zhù)人工智能技術(shù)的飛速發(fā)展，越來(lái)越多的企業(yè)開(kāi)始探索如何將人工智能技術(shù)融入業(yè)務(wù)流程中，以提升質(zhì)量、降本增效。在高精尖制造業(yè)領(lǐng)域，人工智能、自動(dòng)駕駛等新興產(chǎn)業(yè)對碳化硅材料的需求日益增多，大力發(fā)展碳化硅產(chǎn)業(yè)，可帶動(dòng)原材料與設備2000億級產(chǎn)業(yè)，加快我國向高端材料、高端設備制造業(yè)轉型發(fā)展的步伐。廣東天域聯(lián)手浪潮信息，為MES關(guān)鍵業(yè)務(wù)打造穩定、高效、智能的數據存儲底座，讓數字機臺、智能制造"有底有數"。廣東天域半導體股份有限公司成立于2009年，是我國最早實(shí)現第三代半導體碳化硅外延片產(chǎn)業(yè)化的企業(yè)
- 關(guān)鍵字： 碳化硅 浪潮信息 MES 核心數據底座
碳化硅 mosfet介紹
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