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碳化硅 mosfet
碳化硅 mosfet 文章 進(jìn)入碳化硅 mosfet技術(shù)社區
MOSFET開(kāi)關(guān)損耗簡(jiǎn)介
- 本文將通過(guò)解釋MOSFET功耗的重要來(lái)源來(lái)幫助您優(yōu)化開(kāi)關(guān)模式調節器和驅動(dòng)器電路。MOSFET的工作可以分為兩種基本模式：線(xiàn)性和開(kāi)關(guān)。在線(xiàn)性模式中，晶體管的柵極到源極電壓足以使電流流過(guò)溝道，但溝道電阻相對較高?？鐪系赖碾妷汉土鬟^(guò)溝道的電流都是顯著(zhù)的，導致晶體管中的高功耗。在開(kāi)關(guān)模式中，柵極到源極電壓足夠低以防止電流流動(dòng)，或者足夠高以使FET處于“完全增強”狀態(tài)，在該狀態(tài)下溝道電阻大大降低。在這種狀態(tài)下，晶體管就像一個(gè)閉合的開(kāi)關(guān)：即使大電流流過(guò)通道，功耗也會(huì )很低或中等。隨著(zhù)開(kāi)關(guān)模式操作接近理想情況，功耗變得可
- 關(guān)鍵字： MOSFET 開(kāi)關(guān)損耗
Power Integrations升級你的電池管理系統
- 電池組，無(wú)疑是電動(dòng)汽車(chē)心臟般的存在，它不僅是車(chē)輛動(dòng)力之源，更是決定車(chē)輛成本高低的關(guān)鍵因素。作為電動(dòng)汽車(chē)中最昂貴的單個(gè)組件，電池組承載了車(chē)輛行駛所需的大部分能量，而其內部的每一個(gè)電池單元都需要經(jīng)過(guò)精密的監測和控制，以維持其長(cháng)久且安全的使用壽命。電池管理系統（BMS），作為電池組的“大腦”，其任務(wù)繁重且關(guān)鍵。它要實(shí)時(shí)監控每一個(gè)電池單元的健康狀況，確保它們的平衡與穩定；還要負責操作電池組的加熱和冷卻系統，確保電池在各種環(huán)境條件下都能維持最佳的工作狀態(tài)；此外，BMS還需實(shí)時(shí)報告電池的充電狀態(tài)，以便駕駛員能夠準確了
- 關(guān)鍵字： BMS 電動(dòng)汽車(chē) 碳化硅 Power Integrations
一文詳解電池充電器的反向電壓保護
- 處理電源電壓反轉有幾種眾所周知的方法。最明顯的方法是在電源和負載之間連接一個(gè)二極管，但是由于二極管正向電壓的原因，這種做法會(huì )產(chǎn)生額外的功耗。雖然該方法很簡(jiǎn)潔，但是二極管在便攜式或備份應用中是不起作用的，因為電池在充電時(shí)必須吸收電流，而在不充電時(shí)則須供應電流。另一種方法是使用圖 1 所示的 MOSFET 電路之一。圖 1：傳統的負載側反向保護對于負載側電路而言，這種方法比使用二極管更好，因為電源 (電池) 電壓增強了 MOSFET，因而產(chǎn)生了更少的壓降和實(shí)質(zhì)上更高的電導。該電路的 NMOS 版本比 PM
- 關(guān)鍵字： MOSFET 電源電壓反轉
解析LLC諧振半橋變換器的失效模式
- 在功率轉換市場(chǎng)中，尤其對于通信/服務(wù)器電源應用，不斷提高功率密度和追求更高效率已經(jīng)成為最具挑戰性的議題。對于功率密度的提高，最普遍方法就是提高開(kāi)關(guān)頻率，以便降低無(wú)源器件的尺寸。零電壓開(kāi)關(guān)(ZVS)拓撲因具有極低的開(kāi)關(guān)損耗、較低的器件應力而允許采用高開(kāi)關(guān)頻率以及較小的外形，能夠以正弦方式對能量進(jìn)行處理，開(kāi)關(guān)器件可實(shí)現軟開(kāi)閉，因此可以大大地降低開(kāi)關(guān)損耗和噪聲。在這些拓撲中，移相ZVS全橋拓撲在中、高功率應用中得到了廣泛采用，因為借助功率MOSFET的等效輸出電容和變壓器的漏感可以使所有的開(kāi)關(guān)工作在ZVS狀態(tài)下
- 關(guān)鍵字： LLC MOSFET ZVS 變換器
談?wù)剮追N常用的MOSFET驅動(dòng)電路
- 一、MOS管驅動(dòng)簡(jiǎn)述MOSFET因導通內阻低、開(kāi)關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)被廣泛應用于開(kāi)關(guān)電源中。MOSFET的驅動(dòng)常根據電源IC和MOSFET的參數選擇合適的電路。在使用MOSFET設計開(kāi)關(guān)電源時(shí)，大部分人都會(huì )考慮MOSFET的導通電阻、最大電壓、最大電流。但很多時(shí)候也僅僅考慮了這些因素，這樣的電路也許可以正常工作，但并不是一個(gè)好的設計方案。更細致的，MOSFET還應考慮本身寄生的參數。對一個(gè)確定的MOSFET，其驅動(dòng)電路，驅動(dòng)腳輸出的峰值電流，上升速率等，都會(huì )影響MOSFET的開(kāi)關(guān)性能。當電源IC與MOS管選定之
- 關(guān)鍵字： MOSFET
Microchip推出基于dsPIC? DSC的新型集成電機驅動(dòng)器將控制器、柵極驅動(dòng)器和通信整合到單個(gè)器件
- 為了在空間受限的應用中實(shí)現高效、實(shí)時(shí)的嵌入式電機控制系統，Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）推出基于dsPIC?數字信號控制器（DSC）的新型集成電機驅動(dòng)器系列。該系列器件在一個(gè)封裝中集成了dsPIC33 數字信號控制器 （DSC）、一個(gè)三相MOSFET柵極驅動(dòng)器和可選LIN 或 CAN FD 收發(fā)器。這種集成的一個(gè)顯著(zhù)優(yōu)勢是減少電機控制系統設計的元件數量，縮小印刷電路板（PCB）尺寸，并降低復雜性。該系列器件的支持資源包括開(kāi)發(fā)板、參考設計、應用筆記和 Micr
- 關(guān)鍵字： dsPIC 數字信號控制器 MOSFET 電機控制
Qorvo SiC FET與SiC MOSFET優(yōu)勢對比
- 在之前一篇題為《功率電子器件從硅（Si）到碳化硅（SiC）的過(guò)渡》的博文中，我們探討了碳化硅（SiC）如何成為功率電子市場(chǎng)一項“顛覆行業(yè)生態(tài)”的技術(shù)。如圖1所示，與硅（Si）材料相比，SiC具有諸多技術(shù)優(yōu)勢，因此我們不難理解為何它已成為電動(dòng)汽車(chē)（EV）、數據中心和太陽(yáng)能/可再生能源等許多應用領(lǐng)域中備受青睞的首選技術(shù)。圖1.硅與碳化硅的對比眾多終端產(chǎn)品制造商紛紛選擇采用SiC技術(shù)替代硅基工藝，來(lái)開(kāi)發(fā)基于雙極結型晶體管（BJT）、結柵場(chǎng)效應晶體管（JFET）、金屬氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管（MOSFET）和絕緣
- 關(guān)鍵字： Qorvo SiC MOSFET
英飛凌為汽車(chē)應用推出業(yè)內導通電阻最低的80 V MOSFET OptiMOS? 7
- 英飛凌科技股份公司近日推出其最新先進(jìn)功率MOSFET?技術(shù)——?OptiMOS? 7 80 V的首款產(chǎn)品IAUCN08S7N013。該產(chǎn)品的特點(diǎn)包括功率密度顯著(zhù)提高，和采用通用且穩健的高電流SSO8 5 x 6 mm2 SMD封裝。這款OptiMOS? 7 80 V產(chǎn)品非常適合即將推出的?48 V板網(wǎng)應用。它專(zhuān)為滿(mǎn)足高要求汽車(chē)應用所需的高性能、高質(zhì)量和穩健性而打造，包括電動(dòng)汽車(chē)的汽車(chē)直流-直流轉換器、48 V電機控制（例如電動(dòng)助力轉向系統（EPS））、48 V電池開(kāi)關(guān)以及電動(dòng)
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 MOSFET OptiMOS
P溝道功率MOSFETs及其應用領(lǐng)域
- Littelfuse P溝道功率MOSFETs，雖不及廣泛使用的N溝道MOSFETs出名，在傳統的應用范圍也較有限，然而，隨著(zhù)低壓（LV）應用需求的增加，P溝道功率MOSFET的應用范圍得到拓展。高端側（HS）應用P溝道的簡(jiǎn)易性使其對低壓變換器（<120 V）和非隔離的負載點(diǎn)更具吸引力。因為無(wú)需電荷泵或額外的電壓源，高端側（HS）P溝道MOSFET易于驅動(dòng)，具有設計簡(jiǎn)單、節省空間，零件數量少等特點(diǎn)，提升了成本效率。本文通過(guò)對N 溝道和P溝道MOSFETs進(jìn)行比較，介紹Littelfuse P溝道功率
- 關(guān)鍵字： 202404 P溝道功率MOSFET MOSFET
高壓功率器件設計挑戰如何破？
- 不斷提升能效的需求影響著(zhù)汽車(chē)和可再生能源等多個(gè)領(lǐng)域的電子應用設計。對于電動(dòng)汽車(chē) (EV) 而言，更高效率意味著(zhù)更遠的續航里程；而在可再生能源領(lǐng)域，發(fā)電效率更高代表著(zhù)能夠更充分地將太陽(yáng)能或風(fēng)能轉換為電能。圖1.在電動(dòng)汽車(chē)和可再生能源領(lǐng)域，對更高效率的不懈追求正推動(dòng)著(zhù)設計向前發(fā)展這兩大領(lǐng)域都廣泛采用開(kāi)關(guān)電子器件，因而又催生了更高電壓器件的需求。電壓和效率之間的關(guān)系遵循歐姆定律，也就是說(shuō)電路中產(chǎn)生的功耗或損耗與電流的平方成正比。同理，當電壓加倍時(shí)，電路中的電流會(huì )減半，因而損耗會(huì )降到四分之一。根據這個(gè)原理，為了減
- 關(guān)鍵字： 高電壓 高電壓 轉換器 逆變器 MOSFET 電力電子 EliteSiC
一鍵解鎖熱泵系統解決方案
- 熱泵是一種經(jīng)過(guò)驗證的、提供安全且可持續供暖的技術(shù)，其滿(mǎn)足低排放電力要求，是全球邁向安全、可持續供暖的核心技術(shù)。盡管逆循環(huán)熱泵也可以同時(shí)滿(mǎn)足供暖和制冷的要求，但熱泵的主要目標是提供供暖。由于熱泵能夠回收廢熱并將其溫度提高到更實(shí)用的水平，因此在節能方面具有巨大的潛力。系統目標熱泵的原理與制冷類(lèi)似，其大部分技術(shù)基于冰箱的設計。2021年，全球約有10%建筑的采暖由熱泵來(lái)完成，且安裝熱泵的步伐仍在不斷加快。鑒于政府對能源安全的關(guān)注以及應對氣候變化的承諾，熱泵將成為減少由建筑采暖以及熱水所產(chǎn)生的碳排放的主要途徑。此
- 關(guān)鍵字： 熱泵 供暖 IPM MOSFET IGBT
意法半導體隔離柵極驅動(dòng)器：碳化硅MOSFET安全控制的優(yōu)化解決方案和完美應用伴侶
- 意法半導體（下文為ST）的功率MOSFET和IGBT柵極驅動(dòng)器旨在提供穩健性、可靠性、系統集成性和靈活性的完美結合。這些驅動(dòng)器具有集成的高壓半橋、單個(gè)和多個(gè)低壓柵極驅動(dòng)器，非常適合各種應用。在確保安全控制方面，STGAP系列隔離柵極驅動(dòng)器作為優(yōu)選解決方案，在輸入部分和被驅動(dòng)的MOSFET或IGBT之間提供電氣隔離，確保無(wú)縫集成和優(yōu)質(zhì)性能。選擇正確的柵極驅動(dòng)器對于實(shí)現最佳功率轉換效率非常重要。隨著(zhù)SiC技術(shù)得到廣泛采用，對可靠安全的控制解決方案的需求比以往任何時(shí)候都更高，而ST的STGAP系列電氣隔離柵極驅
- 關(guān)鍵字： STGAP MOSFET IGBT 驅動(dòng)器 電氣隔離
通俗易懂的講解晶體管(BJT 和 MOSFET)
- 晶體管是一個(gè)簡(jiǎn)單的組件，可以使用它來(lái)構建許多有趣的電路。在本文中，將帶你了解晶體管是如何工作的，以便你可以在后面的電路設計中使用它們。一旦你了解了晶體管的基本知識，這其實(shí)是相當容易的。我們將集中討論兩個(gè)最常見(jiàn)的晶體管：BJT和MOSFET。晶體管的工作原理就像電子開(kāi)關(guān)，它可以打開(kāi)和關(guān)閉電流。一個(gè)簡(jiǎn)單的思考方法就是把晶體管看作沒(méi)有任何動(dòng)作部件的開(kāi)關(guān)，晶體管類(lèi)似于繼電器，因為你可以用它來(lái)打開(kāi)或關(guān)閉一些東西。當然了晶體管也可以部分打開(kāi)，這對于放大器的設計很有用。1 晶體管BJT的工作原理讓我們從經(jīng)典的NPN晶體
- 關(guān)鍵字： 晶體管 BJT MOSFET
全面升級！安森美第二代1200V SiC MOSFET關(guān)鍵特性解析
- 安森美(onsemi)發(fā)布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET，命名為M3S，其中S代表開(kāi)關(guān)。M3S 系列專(zhuān)注于提高開(kāi)關(guān)性能，相比于第一代1200V碳化硅MOSFET，除了降低特定電阻RSP (即RDS(ON)*Area) ，還針對工業(yè)電源系統中的高功率應用進(jìn)行了優(yōu)化，如太陽(yáng)能逆變器、ESS、UPS 和電動(dòng)汽車(chē)充電樁等。幫助開(kāi)發(fā)者提高開(kāi)關(guān)頻率和系統效率。本應用筆記將描述M3S的一些關(guān)鍵特性，與第一代相比的顯著(zhù)性能提升，以及一些實(shí)用設計技巧。本文為第一部分，將重點(diǎn)介紹M3S的一些關(guān)鍵特性以及與
- 關(guān)鍵字： 碳化硅 SiC MOSFET
小米首款汽車(chē)發(fā)售，碳化硅加速前行
- 3月28日，小米公司正式發(fā)布了小米SU7，一共有三款配置，分別是小米SU7 標準版，售價(jià)21.59萬(wàn)元；小米SU7 Pro版，售價(jià)24.59萬(wàn)元；小米SU7 Max版，售價(jià)29.99萬(wàn)元。圖片來(lái)源：小米公司2021年3月，小米創(chuàng )始人雷軍正式宣告小米造車(chē)。近三年時(shí)間過(guò)去，小米SU7正式發(fā)布，其相關(guān)供應商也浮出水面，既有包括高通、英偉達、博世等國際供應商，也包含了比亞迪、寧德時(shí)代、揚杰科技等本土供應鏈廠(chǎng)商。芯片領(lǐng)域，英偉達為小米汽車(chē)提供自動(dòng)駕駛芯片，小米SU7搭載了英偉達兩顆NVIDIA DRIVE Orin
- 關(guān)鍵字： 小米 汽車(chē) 碳化硅
碳化硅 mosfet介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條碳化硅 mosfet!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對碳化硅 mosfet的理解，并與今后在此搜索碳化硅 mosfet的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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